AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊(cè)

2023/04/25

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RF功率LDMOS 晶體管 N通道增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET 此63瓦對(duì)稱多爾蒂射頻功率LDMOS晶體管設(shè)計(jì)用于覆蓋1805至1880 MHz頻段的蜂窩基站應(yīng)用。

典型的多爾蒂單載波W-CDMA性能：VDD = 28伏特，IDQA = 1000毫安培，VGSB = 1.2伏直流，Pout = 63瓦平均值，輸入信號(hào)PAR = 9.9分貝@ 0.01%概率的CCDF。

特點(diǎn)：

在對(duì)稱多爾蒂配置下進(jìn)行生產(chǎn)測(cè)試
更大的負(fù)門源電壓范圍，以改善C類操作
設(shè)計(jì)用于數(shù)字預(yù)畸變誤差校正系統(tǒng)
帶卷和卷筒。R6后綴= 150個(gè)單位，56毫米帶寬，13英寸卷筒

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器件型號(hào)	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價(jià)格	更多信息
PMR205AB6100M220R30	1	Evox Rifa / KEMET	Film Capacitor, Paper, 250V, 20% +Tol, 20% -Tol, 0.1uF, 7320,		$5.16	查看
RC0805JR-070RL	1	YAGEO Corporation	Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 0ohm, Surface Mount, 0805, CHIP	ECAD模型下載ECAD模型	$0.1	查看
LQP15MN3N9B02D	1	Murata Manufacturing Co Ltd	General Purpose Inductor, 0.0039uH, 2.565%, 1 Element, SMD, 0402, CHIP, 0402	ECAD模型下載ECAD模型	$0.2	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。