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MRFE6VP61K25N,MRFE6VP61K25GN 寬帶射頻功率LDMOS晶體管數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25
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射頻功率LDMOS晶體管 高韌性N溝道增強(qiáng)型橫向MOSFET?這些高韌性器件設(shè)計用于高駐波比的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計允許從1.8到600 MHz的廣泛頻率范圍使用。

特點

  • 無與倫比的輸入和輸出,可實現(xiàn)廣泛頻率范圍的利用
  • 設(shè)備可單端使用或采用推挽配置
  • 最大50 VDD操作的合格化
  • 在30到50 V范圍內(nèi)進(jìn)行特性化,以擴(kuò)展功率范圍
  • 適用于具有適當(dāng)偏置的線性應(yīng)用
  • 集成ESD保護(hù),具有更大的負(fù)柵源電壓范圍,以改善C類操作
  • 使用系列等效大信號阻抗參數(shù)進(jìn)行特性化
  • 推薦驅(qū)動器:AFT05MS004N(4 W)或MRFE6VS25N(25 W)

推薦器件

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RCNL25R0F02R0KTT 1 American Technical Ceramics Corp RC Network
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0500798100 1 Molex Wire Terminal, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT
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BTB10-600BWRG 1 STMicroelectronics 10A standard and Snubberless™ Triacs

ECAD模型

下載ECAD模型
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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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