RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET,這些高耐用性器件設(shè)計(jì)用于高VSWR的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動(dòng)無(wú)線電應(yīng)用。其無(wú)與倫比的輸入和輸出設(shè)計(jì)使其能夠在1.8至600 MHz的寬頻率范圍內(nèi)使用。
特點(diǎn)
- 無(wú)與倫比的輸入和輸出,可實(shí)現(xiàn)廣泛的頻率范圍利用
- 設(shè)備可單端使用或采用推挽配置
- 最大50 VDD運(yùn)行限制
- 在30至50 V范圍內(nèi)進(jìn)行擴(kuò)展功率測(cè)試
- 適用于帶有適當(dāng)偏置的線性應(yīng)用
- 集成ESD保護(hù),具有更大的負(fù)柵源電壓范圍,以改善C類操作
- 通過(guò)串聯(lián)等效大信號(hào)阻抗參數(shù)進(jìn)行特性描述
- 推薦驅(qū)動(dòng)器:AFT05MS004N(4 W)或MRFE6VS25N(25 W)