RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強模式側向MOSFET,這些高耐用性器件設計用于高VSWR的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應用。其無與倫比的輸入和輸出設計使其能夠在1.8至600 MHz的寬頻率范圍內(nèi)使用。
特點
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RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強模式側向MOSFET,這些高耐用性器件設計用于高VSWR的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應用。其無與倫比的輸入和輸出設計使其能夠在1.8至600 MHz的寬頻率范圍內(nèi)使用。
特點
器件型號 | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | ECAD模型 | 風險等級 | 參考價格 | 更多信息 |
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HBL5006P2T5G | 1 | onsemi | LED Electronic Shunt, 8000-REEL |
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$0.46 | 查看 | |
RC0402FR-070RL | 1 | YAGEO Corporation | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.0625W, 0ohm, Surface Mount, 0402, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.11 | 查看 | |
SBSS84LT1G | 1 | onsemi | TRANSISTOR 130 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CASE 318-08, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal |
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$0.42 | 查看 |
10/26 09:45
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10/25 09:39
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