臺積電，危險了！

來源：雷科技數(shù)碼3C組?|?編輯：TSknight| 排版：LA

時隔數(shù)年，半導(dǎo)體市場似乎又進(jìn)入到一個風(fēng)起云涌的時代，隨著AI大模型到來，半導(dǎo)體巨頭們都開始加大投資，期望在AI時代中可以獲得新的增長。英偉達(dá)作為AI大模型時代獲益最多的廠商，自然是穩(wěn)坐釣魚臺，而AMD也開始奮力直追，陸續(xù)推出多款新的超強(qiáng)算力產(chǎn)品，目標(biāo)都直指AI市場。半導(dǎo)體領(lǐng)域中的兩大巨頭都已經(jīng)開始了明爭暗斗，那么英特爾顯然是不會缺席的。

在過去的三天時間里，英特爾已經(jīng)陸續(xù)對外公布了合計金額超600億美元的多項投資計劃，其中，芯片的生產(chǎn)與設(shè)計業(yè)務(wù)發(fā)生了巨變，可以說徹底改變了英特爾的芯片生產(chǎn)與設(shè)計方式。據(jù)悉，英特爾將會在稍后對晶圓制造業(yè)務(wù)進(jìn)行拆分并讓其獨立運營，同時也將會開始對外接受代工需求。此外，英特爾還宣布將會在2024年的下半年開始量產(chǎn)Intel 18A工藝，作為Intel 20A工藝的改進(jìn)版，從晶體密度來看，基本等效于其他晶圓代工廠商的1.8nm工藝。同時，Intel 18A工藝還會支持PowerVia、RibbonFET等技術(shù)，按英特爾的說法，Intel 18A的效能會完全超過臺積電和三星的2nm工藝。

從英特爾對外公布的技術(shù)文檔來看，PowerVia被稱為“背面供電技術(shù)”，該技術(shù)將傳統(tǒng)的電源線從前端移到晶圓的背面，將電源線與信號線分開部署，旨在解決芯片微縮結(jié)構(gòu)中日益嚴(yán)重的互連瓶頸問題。在測試中，PowerVia技術(shù)被證明可以有效降低芯片電壓，以更低的電壓獲得更高的處理器頻率，在溫度表現(xiàn)上也優(yōu)于此前的所有工藝。而RibbonFET實質(zhì)上是一個全新的晶體管架構(gòu)，正式中文名稱為全環(huán)繞柵極晶體管，主要的優(yōu)點是在更小的空間中部署更多的晶體管，以達(dá)成大幅度提高晶體管數(shù)量的需求。晶體管數(shù)量某種程度上可以直接代表處理器的性能，借助這個新的架構(gòu)，英特爾才得以在Intel 18A上完成對臺積電和三星的反超。

考慮到臺積電和三星的2nm工藝最快也要等到2025年才能實現(xiàn)量產(chǎn)，在此之前，英特爾的處理器在工藝技術(shù)水平上可能都會處于領(lǐng)先地位，當(dāng)然，前提是一切順利的情況下。

英特爾進(jìn)軍晶圓代工 臺積電“危”？

在三大半導(dǎo)體芯片巨頭中，英特爾是目前唯一還在堅持所有芯片均由自主晶圓工廠生產(chǎn)的廠商，AMD和英偉達(dá)早已完全轉(zhuǎn)為芯片設(shè)計企業(yè)，具體的生產(chǎn)均交由臺積電、三星等晶圓代工廠完成。目前，英偉達(dá)和AMD均采用臺積電的5nm工藝制造主流芯片，從此前公布的信息來看，英偉達(dá)和AMD似乎都打算在下一代的主流處理器上采用臺積電的3nm工藝。不過，考慮到制造成本等問題，屆時可能會出現(xiàn)5nm與3nm制程共用的情況，在中高端型號上使用3nm工藝，而在低端型號上采用改進(jìn)版的5nm制程，通常也被稱為4nm制程。對于多數(shù)芯片設(shè)計廠商而言，臺積電是目前他們可以找到的最好的晶圓代工廠，即使是擁有同等制程工藝的三星，實際出產(chǎn)的晶圓在能效比等方面都要落后于臺積電。高通的驍龍8Gen 1處理器，第一代采用的是三星工藝，第二代采用的則是臺積電工藝，在芯片本身的架構(gòu)設(shè)計沒有改變的情況下，僅僅是更改代工廠就得到了近20%的效能提升。

所以，高性能處理器的代工廠都首選臺積電，比如iPhone的A系列處理器均由臺積電代工，并且基本都能用上臺積電的最新制程工藝。相較于財大氣粗且產(chǎn)品利潤極高的蘋果，其他廠商則一般會選擇次一代的制程工藝，一般來說只有高通會在最新型號的旗艦處理器上跟進(jìn)臺積電的最新制程。即使是臺積電的次一代制程工藝，在半導(dǎo)體領(lǐng)域也依然是先進(jìn)制程，足夠滿足大多數(shù)的芯片設(shè)計需求。不過，正是因為臺積電目前在先進(jìn)制程上幾乎沒有對手，所以臺積電的代工價格近年來漲幅明顯，已經(jīng)讓不少芯片企業(yè)有了別的心思。高通、英偉達(dá)等企業(yè)一直都在與三星頻繁接觸，希望能夠進(jìn)一步優(yōu)化制程工藝技術(shù)，AMD也與三星關(guān)系密切，甚至通過技術(shù)合作的方式將RDNA 2架構(gòu)帶到了手機(jī)端，推出高性能的低功耗移動端核顯。可以說，芯片企業(yè)早就苦臺積電久矣，只是還在等待一個“救世主”的出現(xiàn)，此前，最有希望擔(dān)任這個角色的就是三星，現(xiàn)在，或許還有英特爾。

從英特爾目前的10nm制程來看，其性能與臺積電的5nm不相上下，如果后續(xù)的Intel 20A和Intel 18A可以如描述那般媲美2nm和1.8nm制程，那么對于其他芯片廠商來說，只要價格合適就會是一個巨大的誘惑。據(jù)悉，在英特爾發(fā)布這個信息后，很快就有芯片企業(yè)做出了回應(yīng)，而且還是近期風(fēng)頭正盛的英偉達(dá)。早前，英偉達(dá)的CEO黃仁勛在面對外界問詢時回復(fù)，自己確實在月初收到了英特爾提供的Intel 18A工藝的測試樣品，他已經(jīng)向英特爾方面表示了自己的興趣與關(guān)注。

如果英偉達(dá)選擇讓英特爾進(jìn)行芯片代工，無疑是對英特爾制程工藝的一個肯定，同時也會讓其他芯片產(chǎn)生在尋找代工廠時將英特爾納入考慮范圍。同時，英特爾在代工市場上位，也會直接威脅到臺積電，不管是讓臺積電暫緩提價方案，還是降價打價格戰(zhàn)，對于芯片廠商來說都是樂見其成的。在我看來，如今的半導(dǎo)體代工市場，確實缺乏一個新力量來遏制臺積電，而英特爾或許就會是其中的關(guān)鍵。

英特爾將重獲市場主導(dǎo)？

不得不承認(rèn)，代工生產(chǎn)與設(shè)計分開的模式，確實更有利于半導(dǎo)體企業(yè)進(jìn)行快速的迭代更新，讓團(tuán)隊可以將精力完全放在芯片設(shè)計上，無須去考慮自己的代工廠是否有足夠的能力進(jìn)行量產(chǎn)。此前，英特爾的新架構(gòu)處理器一直難產(chǎn)，以至于被AMD搶占大量市場，最主要的原因就是英特爾的晶圓生產(chǎn)能力無法滿足新架構(gòu)處理器的生產(chǎn)，即使解決了生產(chǎn)問題，英特爾也依然用了兩年來對技術(shù)進(jìn)行完善，最終才在13代酷睿處理器上完成了對AMD的反超。

即使如此，英特爾與AMD在市場份額上依然處于拉鋸狀態(tài)，目前是英特爾暫時領(lǐng)先，正在逐步拉高自己的市場份額。但是，在服務(wù)器領(lǐng)域，AMD已經(jīng)對英特爾的地位構(gòu)成了直接威脅，能否繼續(xù)遏制AMD的進(jìn)攻，新的制程工藝與架構(gòu)將成為關(guān)鍵。

所以，英特爾一直寄希望于即將在2024年量產(chǎn)的Intel 20A與Intel 18A兩項工藝技術(shù)，如果一切順利，英特爾將會擁有接近一年的時間差，可以在處理器市場上對AMD形成降維打擊，屆時AMD只有兩個選擇：

1、承受臺積電的高昂代工價格，大范圍3nm工藝；

2、調(diào)整產(chǎn)品價格，以此形成競爭力。但是在我看來，兩個選擇都只能算是權(quán)宜之計，依然無法直接對抗英特爾的架構(gòu)與工藝優(yōu)勢。

首先，英特爾的最新制程工藝對標(biāo)臺積電的2nm工藝，僅靠3nm工藝顯然是無法直接對抗的，最好的情況就是能效比持平。其次，產(chǎn)品降價確實可以提升競爭力，但是僅限于中低端市場，在高端服務(wù)器市場，對應(yīng)的客戶往往更在意整體的性能而非價格，對于這些科技巨頭而言，經(jīng)濟(jì)成本的優(yōu)先級是要低于時間成本的。

這么說來，AMD難道就沒有一點贏面嗎？顯然不是，處理器的性能除了制程工藝外，還會受到處理器架構(gòu)的影響，如果AMD可以在架構(gòu)設(shè)計上領(lǐng)先英特爾，那么在臺積電3nm制程工藝的輔助下，是可以與英特爾繼續(xù)分庭對抗的。不過，這樣就要湊足兩個先決條件，一是臺積電的3nm可以穩(wěn)定供應(yīng)，二是AMD的新架構(gòu)足夠給力。當(dāng)然，如果英特爾的代工廠真的來者不拒，那么找英特爾代工或許也是選項之一，不過對于AMD來說，這個選擇顯然是不可能的。至于英特爾是否愿意接受，那就是個未知數(shù)了。至少從目前的情況來看，英特爾憑借領(lǐng)先的制程工藝與架構(gòu)設(shè)計，是有望在2024年重新獲得市場的主導(dǎo)地位， 前提是英特爾的制程工藝量產(chǎn)一切平穩(wěn)。