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說到存儲器，大家都能談論幾句，但也僅此而已。RAM、ROM、EEPROM和Flash......都是存儲器的一種，但你知道它們有何區(qū)別？有何特點？分別用在哪種場合？恐怕沒幾個人能講清楚。
做人，不能膚淺！要有深度！有內涵！對于自己感興趣的話題，要一探究竟，搞得明明白白！
看了上面這些五花八門的半導體存儲器，估計你很頭大，別急，且聽我一一道來。
從人類文明誕生以來，我們就一直在尋求能夠有效存儲信息的方式。從結繩記事、甲骨文、竹簡、紙張到今天的閃存、量子存儲，腳步從未停止。
最早的信息存儲介質是繩子，那個時候，文字還沒出現(xiàn)，人類以結繩進行計數(shù)、記事。繩子上打結的數(shù)量表示事物的多少，而結的大小和形狀則表示其他信息，如部落發(fā)生的大事、天災人禍以及歷法等。
后來，出現(xiàn)了文字，人們把獸骨、龜甲、竹簡等當作文字的載體。
但這些載體能夠記錄的信息有限，如何大量、高效地存儲信息成為一道難題。
后來，紙出現(xiàn)了，西漢（公元前202年-8年）初期，中國人發(fā)明了造紙術，這是對人類文明的巨大貢獻，因為自那以后，信息的記錄、傳播和繼承變得容易了。
幾千年以來，人類存儲信息的介質就是紙張，一直沒變過。
到了現(xiàn)代以后，存儲介質又發(fā)生了很大的變化，如：選數(shù)管、穿孔卡片、磁帶、軟盤、光盤等。
由于本文的重點不是介紹存儲系統(tǒng)發(fā)展史，因此，在此一筆帶過，下面重點討論半導體存儲器。
半導體存儲器，顧名思義，就是用半導體材料作為介質進行信息存儲的器件。信息的本質是什么？其實就是“0”和“1”。一個圖片、一段視頻、一段代碼，在存儲器中都是以“0”和“1”的形式存在的。
半導體存儲器利用半導體介質儲存電荷以實現(xiàn)信息存儲，存儲與讀取過程就是電荷的儲存或釋放。
按大類來分，半導體存儲器分為易失性存儲器（RAM）和非易失性存儲器（ROM）。
隨機存儲器（Random Access Memory），簡稱RAM，它可以讓用戶臨時存儲和訪問數(shù)據(jù)、程序，訪問速度很快，但其存儲的內容在斷電后會丟失。電腦的內存就是一種典型的RAM。
RAM進一步又可分為DRAM（Dynamic Random Access Memory動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機存儲器）。
SRAM在工作時不需要刷新，而DRAM在工作時需要定期刷新，否則數(shù)據(jù)就會丟失，由此，SRAM的速度也要遠大于DRAM。
SRAM依靠觸發(fā)器存儲數(shù)據(jù)，花費6個晶體管才能存儲1bit；DRAM依靠電容存儲，每個存儲元（1bit）只需1個電容和1個晶體管，有電流時為1，無電流時為0。DRAM放置久了，電荷則會流失，而SRAM則不存在電荷泄漏問題。
基于以上特性，SRAM一般用在更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存，即高速緩沖存儲器（Cache），容量一般只有幾十K到幾十M，DRAM則用于電腦、手機等電子產品的主內存，容量一般在百M或GB級別。
DRAM根據(jù)不同的標準和規(guī)格，又可以分為如下幾類：
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）：SDRAM是最早出現(xiàn)的DRAM類型之一，它與傳統(tǒng)的DRAM相比，在數(shù)據(jù)傳輸上更具有效率，SDRAM通常以其運行速度命名，例如PC66、PC100、PC133等。
DDR（Double Data Rate）：DDR SDRAM是目前最常見和廣泛使用的DRAM類型之一。它采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸技術，能夠在每個時鐘內傳輸兩個數(shù)據(jù)位。DDR按代稱為DDR1、DDR2、DDR3、DDR4等，每一代都有不同的頻率和帶寬，性能逐步提升。
GDDR（Graphics Double Data Rate）：GDDR是專門為圖形處理器（GPU）設計的高速DRAM類型。它在DDR基礎上進行了優(yōu)化，具有更高的帶寬和更快的數(shù)據(jù)傳輸速度。GDDR也按代分為GDDR3、GDDR4、GDDR5等，每一代都增加了帶寬和性能。
LPDDR（Low Power Double Data Rate）：LPDDR是一種低功耗的移動設備專用DRAM，它在DDR基礎上進行了優(yōu)化，以提供更高的能效和較低的功耗，按代分為LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5等，每一代都提升了能效和性能。
RAM先討論到這里，下面說ROM。
電源關閉時，RAM不能保留數(shù)據(jù)，這個時候就需要ROM了。只讀存儲器（Read Only Memory）簡稱ROM。
百度百科上對ROM的解釋是ROM只能讀出無法寫入信息，這種說法在很久以前可能是對的，但放在現(xiàn)在可能會誤導大家。
早期的ROM真的是只讀，出廠啥樣就永遠啥樣，定型了，比如電腦主板的BIOS就是存儲在ROM中的，每次開機流程都一樣，從出廠到報廢，BIOS完全不用變。
但是隨著時代的發(fā)展，需求越來越多，ROM變得不那么只讀了。
所以出現(xiàn)了PROM（可編程只讀存儲器），給用戶的芯片是空白的，用戶寫一次之后就變成只讀了。
這顯然無法滿足需求，因為用戶寫一次后可能還想改，于是允許用紫外線擦除重寫的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）被發(fā)明了。EPROM與PROM相似，但它可以使用紫外線來擦除數(shù)據(jù)，并允許用戶多次重寫數(shù)據(jù)，在編程前需要先擦除整個芯片，因此擦除和編程過程比較耗時。
用紫外線照射擦除太麻煩了，所以EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）橫空出世，不同于EPROM，EEPROM可以通過在電路上加電脈沖來擦除數(shù)據(jù)，而不需要紫外線照射，并且支持反復擦寫和編程，操作更加方便。
EEPROM有時候被稱為E方PROM，因為有兩個E，即E的平方，簡稱E方。
EEPROM掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以擦寫100萬次。EEPROM可靠、電路復雜、成本也高，所以其容量一般都在512K以下。
此外，EEPROM讀寫是按字節(jié)操作的，所以雖然靈活，但速度比較慢，顯然不適宜存儲程序。
所以，就有了Flash ROM（閃存存儲器），簡稱Flash，它也是可電擦除的，因此，F(xiàn)lash是一種廣義的EEPROM。
Flash的改進主要在于擦寫時不再以字節(jié)為單位，而是以塊為單位，從而簡化了電路，降低了成本，擦寫速度得到了提升，這顯然成為存儲程序的完美載體！
汽車上的單片機程序就是存儲在Flash中的，這樣便于擦除和編寫，易于軟件更新與刷寫。
Flash進一步又可細分為NOR Flash和NAND Flash。
NOR Flash將數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實現(xiàn)RAM一樣的隨機尋址功能，可以讀取任何一個字節(jié)，但擦除仍然要按塊來擦除。NOR Flash成本較高，容量相對小，常見的有128KB、256KB、1MB、2MB等。
NAND Flash數(shù)據(jù)線和地址線復用，不能利用地址線隨機尋址，讀取只能按頁來讀取，同樣，擦除仍然要按塊來擦除。NAND Flash比較便宜，容量大，更適合存儲大量的數(shù)據(jù)。
NOR Flash適用于程序代碼并行讀寫存儲，NAND Flash適用于數(shù)據(jù)或文件的串行讀寫存儲，用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼，所以很多開發(fā)板除了使用NAND Flash外，還需要使用一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。
最后介紹一下eMMC。
eMMC是embedded MultiMediaCard的簡稱，即嵌入式多媒體卡，它是將Nand?Flash和Flash Controller和eMMC接口等封裝在一起的小型存儲系統(tǒng)。
這樣做的好處是簡化了存儲系統(tǒng)設計，降低了開發(fā)復雜度。因為生產Nand Flash的廠商很多，每家生成的產品特性都有差異，程序員需要針對這些特性做兼容性開發(fā)，而eMMC則規(guī)定了統(tǒng)一的協(xié)議接口，程序員只需要根據(jù)協(xié)議開發(fā)，就能兼容各個廠商的eMMC產品。
此外，eMMC的讀寫性能更好，其在Nand Flash的基礎上，加入了Cache、Memory array等技術，大大提高了讀寫速度。
eMMC的存儲容量很大，從4GB到256GB都有。
汽車存儲應用分布
eMMC曾為智能手機而生，如今在汽車領域得到了廣泛應用，T-Box、車機、ADAS等均有使用。
文章讀到這里，相信大家對半導體存儲器的了解又更深入了一些，以后跟別人聊起RAM、ROM等，再也不心虛了。
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