斯達(dá)半導(dǎo)體Q4毛利率顯著改善，IGBT沒那么卷

4月8日，斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布2023年年報(bào)：2023年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入36.6億元，同比增長(zhǎng)35.4%，扣非后歸母凈利潤(rùn)為8.86億元，同比增長(zhǎng)16.25%。分季度來看，第四季度實(shí)現(xiàn)收入10.44億元，同比增長(zhǎng)25.6%，環(huán)比增長(zhǎng)12.1%，呈現(xiàn)逐季上漲的態(tài)勢(shì)。

毛利率方面，2023年前三季度，公司毛利率水平處于相對(duì)低位，維持在36%左右，四季度恢復(fù)到歷史高位40.5%，全年低開高走。2023年全年毛利率為37.5%，相比2022年，下降2.79%。

2023年斯達(dá)半導(dǎo)體IGBT模塊銷售量1274萬只，同比增長(zhǎng)29.9%，而IGBT模塊貢獻(xiàn)的收入為33.3億元，同比增長(zhǎng)49.7%，2023年IGBT模塊銷售均價(jià)上漲了14.9%，可見IGBT市場(chǎng)端需求仍然旺盛，供給環(huán)境相比MCU/模擬芯片沒那么卷。全年毛利率下降的原因主要是營(yíng)業(yè)成本的上升，同期IGBT模塊的營(yíng)業(yè)成本上升54.5%，單個(gè)IGBT模塊成本上漲18.9%，年報(bào)顯示主要是因?yàn)椴糠衷牧铣杀旧仙隆?/p>

值得關(guān)注的是，2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體海外業(yè)務(wù)取得快速發(fā)展：子公司斯達(dá)歐洲實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入3.1億元，同比增長(zhǎng)226.7%，連續(xù)兩年保持翻翻以上成長(zhǎng)；斯達(dá)歐洲以外的出口業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入0.77億元，同比增長(zhǎng)70.9%，海外市場(chǎng)的表現(xiàn)可以用高歌猛進(jìn)來形容。

斯達(dá)半導(dǎo)體致力于IGBT、快恢復(fù)二極管、MOSFET等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝及IGBT、SiC MOSFET等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試。2023年IGBT模塊的銷售收入占公司主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的91.55%，是公司的主要產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制和電源、新能源、新能源汽車、白色家電等領(lǐng)域。

過去一年，公司下游應(yīng)用領(lǐng)域業(yè)務(wù)均實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)：

• 新能源行業(yè)

2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)營(yíng)業(yè)收入為21.6億元，增長(zhǎng)48.1%，新能源領(lǐng)域的營(yíng)收比例高達(dá)59%。近年來，無論是新能源汽車還是光風(fēng)儲(chǔ)行業(yè)，終端市場(chǎng)規(guī)模均呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。

在新能源汽車領(lǐng)域，根據(jù)EVTank數(shù)據(jù)：2023年全球新能源汽車銷量達(dá)到1465.3萬輛，同比增長(zhǎng)35.4%，其中中國(guó)新能源汽車銷量達(dá)到949.5萬輛，占全球銷量的64.8%。EVTank預(yù)計(jì)2024年全球新能源汽車銷量將達(dá)到1830萬輛，其中中國(guó)新能源汽車銷量將達(dá)到1180萬輛，仍將保持高增速。

報(bào)告期內(nèi)，公司生產(chǎn)的應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車規(guī)級(jí)IGBT模塊合計(jì)配套超過200萬套新能源汽車，在車用空調(diào)、充電樁、電子助力轉(zhuǎn)向等新能源汽車半導(dǎo)體器件份額進(jìn)一步提高。

2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的750V車規(guī)級(jí)IGBT模塊大批量裝車，基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的1200V車規(guī)級(jí)IGBT模塊新增多個(gè)800V系統(tǒng)車型的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，將對(duì)2024年-2030年公司新能源汽車IGBT模塊銷售增長(zhǎng)提供持續(xù)推動(dòng)力。

SiC MOSFET模塊方面也取得較大突破，公司應(yīng)用于新能源汽車主控制器的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊大批量裝車應(yīng)用，同時(shí)新增多個(gè)使用車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)。

值得一提的是，2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體自主的車規(guī)級(jí)SiC MOSFET芯片在公司多個(gè)車用功率模塊封裝平臺(tái)通過多家客戶整車驗(yàn)證并開始批量出貨。

海外方面，公司車規(guī)級(jí)IGBT模塊在歐洲一線品牌Tier1開始大批量交付，同時(shí)新增多個(gè)IGBT/SiC MOSFET主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，海外新能源汽車市場(chǎng)呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)趨勢(shì)。

在風(fēng)光儲(chǔ)領(lǐng)域，“雙碳”戰(zhàn)略背景下，風(fēng)光儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)同樣處于快速發(fā)展態(tài)勢(shì)，根據(jù)國(guó)家能源局?jǐn)?shù)據(jù)：2023年中國(guó)光伏新增并網(wǎng)容量達(dá)到了216.88GW，同比增長(zhǎng)148%；2023年全國(guó)新增風(fēng)電并網(wǎng)裝機(jī)75.9GW，同比增長(zhǎng)102%；2023年中國(guó)新型儲(chǔ)能新增裝機(jī)規(guī)模約為22.6GW，同比去年增加 261%。

斯達(dá)半導(dǎo)體基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的IGBT 模塊在地面光伏電站和大型儲(chǔ)能批量裝機(jī)，并在北美等海外電站批量裝機(jī)；公司1200V 650V大電流單管已大批量應(yīng)用于工商業(yè)光伏和儲(chǔ)能。

目前，公司產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)戶用型、工商業(yè)、地面電站光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)全功率覆蓋，成為全球光伏和儲(chǔ)能行業(yè)的重要戰(zhàn)略供應(yīng)商。

• 工業(yè)控制和電源行業(yè)

2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體在工業(yè)控制和電源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)營(yíng)業(yè)收入為12.8億元，增長(zhǎng)15.6%。公司目前已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)多家頭部變頻器企業(yè)IGBT模塊的主要供應(yīng)商，也已經(jīng)正式進(jìn)入工控行業(yè)多家國(guó)際企業(yè)的供應(yīng)商。

據(jù)睿工業(yè)數(shù)據(jù)，去年中國(guó)工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng)相對(duì)萎靡，全年增長(zhǎng)-1.8%。盡管過去20年中國(guó)自動(dòng)化市場(chǎng)復(fù)合增速驚人，但2021-2023年，市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率突然轉(zhuǎn)負(fù)，下降了0.22%。睿工業(yè)預(yù)測(cè)整體市場(chǎng)增速將會(huì)在2023年后呈“L”曲線發(fā)展，增速放緩。

在終端市場(chǎng)規(guī)模下滑或長(zhǎng)期低增速的背景下，成長(zhǎng)的邏輯只能是份額提升。年報(bào)顯示，斯達(dá)半導(dǎo)體未來將充分利用650V/750V、1200V、1700V自主芯片產(chǎn)品的性能優(yōu)勢(shì)、成本優(yōu)勢(shì)、交付優(yōu)勢(shì)，在變頻器、電焊機(jī)、電梯控制器、伺服器、電源等領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，提高現(xiàn)有客戶的采購(gòu)份額，加大海外市場(chǎng)的開拓力度，突破海外頭部客戶，提高市場(chǎng)占有率。

• 變頻白色家電及其他行業(yè)

2023年，斯達(dá)半導(dǎo)體在變頻白色家電及其他領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)營(yíng)業(yè)收入為2億元，增長(zhǎng)69.5%。

中國(guó)白色家電產(chǎn)量在2023年都有2位數(shù)的增長(zhǎng)，空調(diào)、洗衣機(jī)和電冰箱分別增長(zhǎng)13.5%、19.3%和14.5%，隨著國(guó)家對(duì)節(jié)能減排的大力推行，具有變頻功能的白色家電將逐漸替代傳統(tǒng)家電，變頻功能的白色家電的市場(chǎng)規(guī)模增速應(yīng)該更快，而斯達(dá)半導(dǎo)體具有高頻開閉合功能的IPM模塊在這一趨勢(shì)中發(fā)揮著重要作用。

中國(guó)擁有全球銷售規(guī)模最大的白色家電廠商，尤其空調(diào)行業(yè)，80%以上的產(chǎn)能在中國(guó)，相關(guān)功率器件的國(guó)產(chǎn)替代空間巨大，也是本土以斯達(dá)半導(dǎo)體為代表的功率器件廠商的巨大機(jī)會(huì)。

根據(jù)集微咨詢數(shù)據(jù)，中國(guó)市場(chǎng)中IGBT在新能源汽車和風(fēng)光儲(chǔ)市場(chǎng)的應(yīng)用規(guī)模占比超50%，而本土新能源汽車和風(fēng)光儲(chǔ)的快速發(fā)展保證了IGBT市場(chǎng)旺盛的需求，本土廠商除了行業(yè)貝塔提升業(yè)績(jī)外，國(guó)產(chǎn)替代下的份額提升也是關(guān)鍵助力。

斯達(dá)半導(dǎo)體作為本土規(guī)模最大的IBGT產(chǎn)品廠商，其產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力相對(duì)其他本土廠商還是有一定優(yōu)勢(shì)的，無論是IGBT技術(shù)還是自身的產(chǎn)品矩陣的豐富度。

本土IGBT廠商中，目前已有多家實(shí)現(xiàn)第七代IGBT技術(shù)，而斯達(dá)半導(dǎo)體是本土少有的已實(shí)現(xiàn)第七代IGBT大批量交貨的廠商。

• 斯達(dá)半導(dǎo)體已經(jīng)基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的750V車規(guī)級(jí)IGBT模塊實(shí)現(xiàn)大批量裝車；
• 新潔能基于650V和1200V產(chǎn)品平臺(tái)，使用第七代微溝槽場(chǎng)截止技術(shù)的IGBT芯片，多款模塊產(chǎn)品完成開發(fā)，逐步量產(chǎn)；
• 時(shí)代電氣研發(fā)突破第七代超精細(xì)溝槽STMOS技術(shù)；
• 士蘭微電子已經(jīng)也推出了第七代產(chǎn)品，內(nèi)部對(duì)應(yīng)的是5+，性能測(cè)試下來完全符合，目前已在客戶驗(yàn)證導(dǎo)入和小批量階段；
• 宏微科技的IGBT技術(shù)已更新到第七代，已實(shí)現(xiàn)了25A小批量交付、完成了150A、200A的拓展；
• 振華永光成功研制出第七代IGBT芯片的1200V/900A功率模塊。

另外，從IGBT電壓覆蓋范圍來看，一般低壓IGBT（1200V以下）常用于變頻白色家電、新能源汽車零部件等領(lǐng)域；中壓IGBT（1200-2500V）常用于工業(yè)控制、新能源汽車等領(lǐng)域；高壓IGBT（2500V以上）常用于軌道交通、電網(wǎng)等領(lǐng)域。本土主流廠商已經(jīng)具備中低壓IGBT產(chǎn)品的生產(chǎn)能力，而具備高壓IGBT芯片生產(chǎn)能力的中國(guó)廠商則只有時(shí)代電氣和斯達(dá)半導(dǎo)體兩家，斯達(dá)半導(dǎo)體覆蓋100-3300V，而時(shí)代電氣覆蓋最廣750-6500V。

對(duì)于未來的研發(fā)方向，年報(bào)顯示，斯達(dá)半導(dǎo)體將圍繞新一代IGBT技術(shù)、高壓IGBT以及車規(guī)級(jí)SiC功率器件方面展開：

加速公司下一代IGBT芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化持續(xù)加大芯片研發(fā)力度，豐富基于第七代微溝槽Trench FieldStop技術(shù)的IGBT芯片以及和相匹配的快恢復(fù)二極管芯片的產(chǎn)品系列。

利用公司第六代Fieldstop Trench芯片平臺(tái)及大功率模塊生產(chǎn)平臺(tái)，推出應(yīng)用于軌道交通和輸變電等行業(yè)的3300V-6500V高壓IGBT產(chǎn)品。

開發(fā)出更多符合市場(chǎng)需求的車規(guī)級(jí)SiC功率模塊，并加大SiC功率芯片的研發(fā)力度，繼續(xù)推出符合市場(chǎng)需求的自主的車規(guī)級(jí)SiC芯片。

寫在最后

新能源市場(chǎng)的快速發(fā)展，帶來了IGBT旺盛的需求，正是上游本土IGBT廠商產(chǎn)品導(dǎo)入下游客戶的關(guān)鍵時(shí)期，斯達(dá)半導(dǎo)體憑借相對(duì)領(lǐng)先的IGBT技術(shù)、豐富的產(chǎn)品矩陣以及海外市場(chǎng)的成功開拓，近年來發(fā)展迅猛。

目前斯達(dá)半導(dǎo)體的IGBT芯片主要采用Fabless加工模式，且仍有相當(dāng)比例的是外購(gòu)的，這也解釋了為什么在終端產(chǎn)品加價(jià)的情況下毛利率還下跌的原因，目前公司擬自建晶圓產(chǎn)線向IDM模式轉(zhuǎn)型，未來將在成本端和生產(chǎn)端更具自主性。

值得關(guān)注的是，未來隨著行業(yè)IDM廠商及Fab廠IGBT 產(chǎn)能的擴(kuò)產(chǎn)放量，IGBT行業(yè)的毛利率水平是否會(huì)像MCU/模擬芯片一樣持續(xù)下行呢？