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    • ?01、閃存模組市場格局
    • ?02、中國大陸閃存模組廠商還需努力
    • ?03、中國大陸廠商的競爭策略
    • ?04、向更高毛利率市場進(jìn)發(fā)
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閃存模組價格戰(zhàn)打響,中國大陸廠商做兩手準(zhǔn)備

05/20 09:51
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作者:暢秋

自2023下半年以來,全球NAND Flash閃存)和模組市場開始進(jìn)入回暖軌道,一直持續(xù)到現(xiàn)在。不過,在這個過程中,市場還是有起伏的,特別是2024年第一季度,是傳統(tǒng)淡季,在消費(fèi)類電子產(chǎn)品市場,NAND Flash和模組的價格戰(zhàn)依然在繼續(xù),相對而言,企業(yè)級市場需求一直很堅挺,而且,市場競爭也不像消費(fèi)類電子市場那么激烈,可提供企業(yè)級NAND Flash模組的企業(yè)要少很多,它們的日子過得還是不錯的。

下面看一下自2023年7月以來,NAND Flash和模組的市場走勢。

2023年7月,NAND Flash價格觸底,開始反彈。當(dāng)時,NAND Flash原廠(三星、SK海力士等)陸續(xù)以擴(kuò)大減產(chǎn)規(guī)模的方式全力推動價格止跌回升。

2023年9月,下游廠商開始補(bǔ)庫存,SSD模組出貨量持續(xù)回升,NAND Flash開始漲價。

2023年11月,NAND Flash迎來量價齊升的局面。SSD控制芯片總出貨量持續(xù)回升,其中,PCIe SSD控制芯片總出貨量同比增長近40%,創(chuàng)歷史同期新紀(jì)錄,NAND Flash整體存儲位元數(shù)總出貨量同比增長80%左右。

2024年1~4月,AI服務(wù)器用NAND Flash的需求量增加,幾乎每個容量規(guī)格都有缺貨,報價持續(xù)上漲。在過去兩個月,漲價消息頻傳,例如,西部數(shù)據(jù)對客戶發(fā)出漲價通知信,并預(yù)期未來幾季NAND Flash芯片價格累計漲幅可能比當(dāng)前報價高55%;三星已調(diào)升NAND Flash報價10%~20%,并決定在第二季度再調(diào)漲報價20%。

與AI服務(wù)器相比,手機(jī)應(yīng)用NAND Flash的需求增量較小,PC就更小了。

從2023年第四季度開始,PC和智能手機(jī)客戶的NAND Flash庫存持續(xù)攀升,對應(yīng)產(chǎn)品如Client SSD、eMMC、UFS均價在過去半年左右的時間內(nèi)已由低點反彈超過60%,但是,今年第一季度的市場需求沒有能夠跟上供應(yīng)量的增長,使得漲價勢頭減弱,最近,有的廠商甚至在降價搶單,特別是模組廠,為了降低庫存,開始以低于合約價的價格銷售NAND Flash Wafer。TrendForce認(rèn)為,隨著NAND Flash供應(yīng)商仍計劃在下半年提高產(chǎn)能利用率,消費(fèi)級NAND Flash產(chǎn)品的季度合約價將難上漲,整體NAND Flash季度合約價表現(xiàn)將會弱于企業(yè)級SSD。

?01、閃存模組市場格局

全球范圍內(nèi),提供NAND Flash、控制芯片和閃存模組的企業(yè)有很多家,除了面向大宗產(chǎn)品市場的原廠(三星和SK海力士等),還有很多第三方模組廠商,此外,還有一些做控制芯片的IC設(shè)計公司也加入了模組供應(yīng)商行列。

閃存模組可分為三大類:固態(tài)硬盤(SSD),應(yīng)用于大容量存儲場景;嵌入式存儲,應(yīng)用于電子移動終端低功耗場景;移動存儲,U盤、移動盤等,應(yīng)用于便攜式存儲場景。

閃存模組由NAND Flash、主控芯片和DRAM顆粒(主要存在于中高端SSD)組成。

主控芯片用于調(diào)配數(shù)據(jù)在各個閃存顆粒的負(fù)荷,承擔(dān)整體數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)、連接閃存芯片和外部SATA接口。此外,主控芯片還負(fù)責(zé)糾錯、耗損平衡、壞塊映射、讀寫緩存、垃圾回收以及加密等一系列功能算法。

存在于中高端SSD的DRAM顆粒,可提高輸入/輸出性能和耐用性,用于臨時保存從閃存讀取的數(shù)據(jù)、要寫入閃存的數(shù)據(jù)或地址映射表。為了節(jié)省成本,中低端SSD不配備DRAM顆粒,采用HMB(Host Memory Buffer,主機(jī)內(nèi)存緩沖)技術(shù)和主機(jī)共享內(nèi)存。

在NAND Flash市場,存儲原廠(三星和SK海力士等)主要聚焦于自主品牌的企業(yè)級或數(shù)據(jù)中心級SSD和嵌入式存儲產(chǎn)品(占NAND Flash市場85%以上),這些NAND Flash芯片大廠正在逐步退出移動存儲(存儲卡、UFD等)市場(約占NAND Flash市場的10%)。模組廠則主要面向移動存儲市場,通過提升自身產(chǎn)品競爭力,逐步憑借差異化競爭滲透到SSD和嵌入式存儲領(lǐng)域。

全球范圍內(nèi),存儲模組廠商包括:美國的金士頓、希捷和SMART,中國臺灣的威剛、創(chuàng)見(Transcend)、PLEXTOR、宜鼎國際(innodisk),中國大陸的江波龍、朗科、佰維、大為創(chuàng)芯、銓興、時創(chuàng)意電子、嘉合勁威、億恒創(chuàng)源等。

作為閃存模組的重要組成部分,主控芯片發(fā)揮著關(guān)鍵作用,相關(guān)廠商包括:美國的美滿電子(Marvell),中國臺灣的慧榮科技、群聯(lián)電子,中國大陸的江波龍、瀾起科技、德明利、得一微電子、聯(lián)蕓科技和國科微等。

?02、中國大陸閃存模組廠商還需努力

以上,對過去半年的NAND Flash和閃存模組市場發(fā)展變化,以及全球廠商做了一個簡要的梳理,下面看一下中國大陸相關(guān)廠商在這樣的市場背景下,其競爭力如何,還需要在哪些方面加強(qiáng)。

5月10日,閃存模組控制芯片大廠群聯(lián)電子表示,多家中國大陸閃存模組和控制芯片廠商開始拋售低價庫存產(chǎn)品,引發(fā)市場關(guān)注,中國臺灣廠商擔(dān)心握有高庫存的廠商恐無法再享有庫存漲價紅利,反而變成負(fù)擔(dān)。

5月13日,群聯(lián)電子再次表示,大陸廠商開始拋售低價庫存,主要是因為陸企產(chǎn)品附加值較低,第一季度又是傳統(tǒng)淡季,下游系統(tǒng)廠商庫存充裕。對于這樣的市況,群聯(lián)電子表示,該公司有其它高端產(chǎn)品,無需跟進(jìn)拋售,隨著下半年傳統(tǒng)旺季到來,PC、手機(jī)市場逐漸回暖,陸系廠商低價庫存逐漸減少,加上存儲原廠受惠數(shù)據(jù)中心市場的強(qiáng)勁增長,會持續(xù)提升企業(yè)級閃存模組及相關(guān)芯片價格,那時,以群聯(lián)電子為代表的擁有大量低價庫存的廠商就能迎來良好商機(jī)。

對于目前的市況,威剛表示,該公司的庫存DRAM和NAND Flash芯片比例為6:4,且采購的時間與成本也不同,加上消費(fèi)類電子規(guī)格在提升,威剛對市場持樂觀態(tài)度。據(jù)了解,該公司也有大量庫存,金額超過200億元新臺幣。

以上信息反映出中國大陸和中國臺灣閃存模組和相關(guān)芯片企業(yè)的發(fā)展情況,相對而言,中國臺灣相關(guān)企業(yè)起步較早,技術(shù)積累和市場影響力更勝一籌。以群聯(lián)電子為例,該公司原本只做閃存模組所需的主控芯片,后來,它成為了兼具設(shè)計模組和主控芯片的廠商,其采用的經(jīng)營模式串聯(lián)了NAND Flash存儲行業(yè)的上中游,以自研主控芯片為基礎(chǔ),將其融入閃存模組產(chǎn)品中,服務(wù)行業(yè)中下游客戶。

與模組廠商(江波龍、威剛等)和主控芯片廠商(慧榮科技、點序科技等)相比,將這兩項業(yè)務(wù)合為一身的廠商(群聯(lián)電子、德明利等),在保證資金和研發(fā)實力的情況下,具有以下優(yōu)勢:

一、可利用模組業(yè)務(wù)提升營收水平,從而為芯片研發(fā)提供更多資金儲備,可以在完成技術(shù)迭代的同時,有效降低研發(fā)和經(jīng)營費(fèi)用率。

二、可通過自研的技術(shù)加成,降低模組產(chǎn)品成本,提升毛利率。此外,由于存儲原廠專注于存儲芯片設(shè)計和提升制程工藝水平,很多原廠不再自研主控芯片,具備主控芯片研發(fā)能力的模組廠有機(jī)會與原廠建立更深層次的合作關(guān)系,進(jìn)一步穩(wěn)定上游NAND Flash晶圓的獲取能力。以德明利為例,該公司2022年的毛利率(17.19%)遠(yuǎn)高于江波龍、威剛等模組廠。

群聯(lián)電子之所以公開表示其不怕中國大陸廠商降價,就是因為該公司將利潤率最高的IC設(shè)計、銷售環(huán)節(jié)抓在了手中,獲利能力較高,同時,該公司也進(jìn)行模組設(shè)計,成品組裝則由外包廠商完成。由于掌控了利潤率最高的環(huán)節(jié),使其毛利率可維持在30%左右。在毛利率方面,中國大陸相關(guān)企業(yè)普遍較低。

?03、中國大陸廠商的競爭策略

在全球存儲器價值鏈金字塔中,處于最底層的模組廠商眾多,產(chǎn)品同質(zhì)化凸出,市場競爭也最為激烈。在這個細(xì)分市場,中國大陸廠商如何從紅海中殺出一條路呢?

隨著市場競爭的加劇和業(yè)務(wù)模式的先天瓶頸,傳統(tǒng)存儲模組廠的主流經(jīng)營模式都面臨著難以突破20億美金營收的天花板,需要在技術(shù)、產(chǎn)品、供應(yīng)鏈整合、品牌以及商業(yè)模式等多個維度進(jìn)行創(chuàng)新和轉(zhuǎn)型升級。

下面看一下中國大陸龍頭企業(yè)江波龍的策略。

據(jù)悉,江波龍專門負(fù)責(zé)閃存模組主控芯片研發(fā)的上海子公司慧憶微電子,已經(jīng)開發(fā)出兩款芯片:eMMC5.1控制芯片WM6000和SD6.1控制芯片WM5000。據(jù)悉,該公司自研主控芯片并非為降低成本,而是為了通過主控芯片實現(xiàn)存儲產(chǎn)品的差異化,以提升與第一梯隊廠商競爭的能力。例如,江波龍從IDM廠商購買存儲晶圓,最終開發(fā)出的存儲器產(chǎn)品就很難在價格上與IDM廠商競爭,只能通過定制化的封裝測試,或者在主控芯片上進(jìn)行新功能開發(fā)和性能優(yōu)化,從而提供更加符合終端客戶特定應(yīng)用需求的差異化產(chǎn)品和服務(wù)。

江波龍也推出了數(shù)款不同容量的自研SLC NAND Flash芯片,均已實現(xiàn)量產(chǎn),最大容量達(dá)到8Gb,主要服務(wù)于車規(guī)級、工規(guī)級客戶,與既有的產(chǎn)品線形成協(xié)同效應(yīng),增強(qiáng)了向客戶提供一體化存儲方案的能力。

此外,還需要提升自身的封測制造能力。江波龍已構(gòu)建起自有的高端封裝測試與制造中心,實現(xiàn)從芯片設(shè)計、軟硬件設(shè)計、晶圓加工、封裝測試到生產(chǎn)制造等各個環(huán)節(jié)的研發(fā)封測一體化,提升存儲技術(shù)垂直整合實力。

除了江波龍,中國大陸其它幾家閃存模組廠商也在想辦法提升產(chǎn)品技術(shù)含量和毛利水平,在降價促銷的同時,也在為未來的發(fā)展做準(zhǔn)備。

?04、向更高毛利率市場進(jìn)發(fā)

目前,手機(jī)和PC用閃存模組市場競爭太激烈了,因此,很多廠商在保證公司業(yè)務(wù)基本盤不出問題的情況下,積極向具有更高毛利率的閃存產(chǎn)品進(jìn)發(fā),特別是企業(yè)級應(yīng)用市場,AI的火爆還將繼續(xù),而能夠提供相應(yīng)高性能閃存模組的廠商數(shù)量還是比較少的,這里的商機(jī)非常誘人。

QLC SSD的普及是一個商機(jī)。

雖然消費(fèi)類電子產(chǎn)品增量市場乏善可陳,但在存儲細(xì)分領(lǐng)域還是涌現(xiàn)出了一些增長的應(yīng)用趨勢。存儲原廠正在推進(jìn)QLC NAND Flash的迭代升級,進(jìn)一步放大了QLC NAND的讀取優(yōu)勢,與讀取密集型應(yīng)用場景適配,例如,Solidigm正在積極擴(kuò)大QLC NAND Flash應(yīng)用,其最新192層QLC NAND Flash與第一代QLC相比,編程速度提升2.5倍,隨機(jī)讀性能提升5倍,讀延遲降低1.5倍。隨著更多原廠推出新一代QLC NAND Flash,QLC SSD將在消費(fèi)類PC市場加速滲透。

隨著北美CSP(云服務(wù)提供商)大廠擴(kuò)大存儲產(chǎn)品訂單,帶動企業(yè)級QLC SSD需求增長,TrendForce預(yù)估,2024全年,企業(yè)級QLC SSD出貨位元上看30EB,較2023年增長4倍。

TrendForce認(rèn)為,QLC SSD在AI服務(wù)器中用量增長有兩個原因:一、該產(chǎn)品的讀取速度塊;二、TCO(總體擁有成本)低。由于AI推理服務(wù)器主要以讀取為主,資料寫入次數(shù)不如AI訓(xùn)練型服務(wù)器頻繁,與HDD相比,QLC SSD讀取速度更勝一籌,且容量已發(fā)展至64TB。

目前,通用型服務(wù)器采用的HDD產(chǎn)品主流容量為20~24TB,而單個QLC SSD(64TB)產(chǎn)品比HDD省電,此外,QLC所需空間更少,可大幅降低TCO成本。AI訓(xùn)練已成為重度電力消耗應(yīng)用,節(jié)能將成為存儲產(chǎn)品的優(yōu)先考量因素,因此,大容量企業(yè)級QLC SSD更是AI客戶尋求的理想方案。

再有,NAND Flash正朝著密度更大、單位成本更低、I/O性能更高的方向演進(jìn),這樣的發(fā)展趨勢,意味著NAND Flash對主控芯片性能的要求更高,需要主控對閃存進(jìn)行更好的優(yōu)化、糾錯、資源分配等管理,并支持更快的傳輸協(xié)議和接口速度,從而把NAND Flash的高性能徹底發(fā)揮出來。這為閃存模組主控芯片研發(fā)廠商提供了更多發(fā)展空間。

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