7家SiC&GaN廠商公布新技術(shù)：車(chē)規(guī)級(jí)/1200V/效率超99%…

前不久，“行家說(shuō)三代半”盤(pán)點(diǎn)了三菱電機(jī)、羅姆半導(dǎo)體等十幾家PCIM Europe的SiC參展商（點(diǎn)擊查看）。今天，我們繼續(xù)盤(pán)點(diǎn)英諾賽科、芯聚能半導(dǎo)體、聯(lián)訊儀器等實(shí)力廠商，看他們帶來(lái)了哪些SiC、GaN新技術(shù)：

英諾賽科：呈現(xiàn)氮化鎵多領(lǐng)域解決方案

作為行業(yè)內(nèi)氮化鎵研發(fā)與制造的領(lǐng)先企業(yè)，英諾賽科在PCIM展會(huì)上展示了多樣化分立氮化鎵和集成氮化鎵產(chǎn)品，以及基于高性能氮化鎵的多種解決方案。

據(jù)悉，英諾賽科的展示產(chǎn)品包含30V-700V的氮化鎵分立芯片、氮化鎵合封芯片（SolidGaN）和雙向?qū)ㄐ酒╒-GaN），同時(shí)也將140W-240W 全系列 AllGaN 、1kW 電機(jī)驅(qū)動(dòng)、2kW PSU 電源、2kW微型逆變器方案等解決方案一一呈現(xiàn)，展示氮化鎵技術(shù)在電源應(yīng)用領(lǐng)域的最新突破。

官網(wǎng)介紹，英諾賽科致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發(fā)與制造，擁有全球最大規(guī)模的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)基地，產(chǎn)品設(shè)計(jì)及性能處于國(guó)際先進(jìn)水平，提供從15V-1200V的高、中、低壓全功率氮化鎵產(chǎn)品，涵蓋晶圓、分立器件、合封芯片三大品類(lèi)，累計(jì)出貨量突破5億顆。

芯聚能半導(dǎo)體：車(chē)規(guī)級(jí)模塊將量產(chǎn)交付

值得關(guān)注的是，芯聚能半導(dǎo)體在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)亮相了V5車(chē)規(guī)級(jí)模塊等產(chǎn)品，吸引了不少觀眾的關(guān)注。

據(jù)悉，他們的V5車(chē)規(guī)級(jí)模塊采用了領(lǐng)先的SiC MOSFET芯片和創(chuàng)新的封裝技術(shù)，具有高性能銀燒結(jié)技術(shù)、超低熱阻散熱結(jié)構(gòu)、超低雜散電感銅Clip及疊層端子、高可靠性激光焊接、靈活的壓接技術(shù)、先進(jìn)封裝材料等技術(shù)優(yōu)勢(shì)，令其完全符合新能源汽車(chē)主驅(qū)系統(tǒng)對(duì)高功率密度和高可靠性的嚴(yán)苛要求。

目前，該產(chǎn)品已在多家主機(jī)廠獲得驗(yàn)證，今年將陸續(xù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付。此外，新品V5G，V6進(jìn)一步升級(jí)封裝技術(shù)，其出流能力達(dá)到前一代量產(chǎn)模塊2倍水平，最高可輸出900Arms。

官微透露，芯聚能半導(dǎo)體主營(yíng)業(yè)務(wù)為碳化硅基功率半導(dǎo)體器件及模塊的研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試和銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品包括車(chē)規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)功率模塊，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)主機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域和光伏、風(fēng)能、儲(chǔ)能、IDC 等領(lǐng)域，是國(guó)內(nèi)率先進(jìn)入新能源主驅(qū)市場(chǎng)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)。

安建科技：展示SiC等先進(jìn)產(chǎn)品

安建科技透露，他們展示了企業(yè)最新的創(chuàng)新型產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了IGBT、 SGT MOSFET、SiC和其他可用于電能轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車(chē)、消費(fèi)電子、新能源和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域的多款先進(jìn)功率器件。

據(jù)悉，本次參展所展示產(chǎn)品和技術(shù)解決方案受到了行業(yè)伙伴和現(xiàn)場(chǎng)觀眾的高度關(guān)注和認(rèn)可。參展期間，安建科技與全球各地的行業(yè)專(zhuān)家和合作伙伴進(jìn)行了有意義的交流討論。

官網(wǎng)透露，安建科技有限公司是一家專(zhuān)門(mén)從事功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及銷(xiāo)售的高科技公司，現(xiàn)有低電壓的SGT-MOSFET、高電壓的SJ-MOSFET、Field Stop Trench IGBT三條成熟的產(chǎn)品線，功率芯片得到了國(guó)內(nèi)多家應(yīng)用客戶(hù)的認(rèn)可，目前已經(jīng)在眾多領(lǐng)域穩(wěn)定運(yùn)行。

聯(lián)訊儀器：帶來(lái)最新SiC測(cè)試設(shè)備

會(huì)場(chǎng)上，聯(lián)訊儀器攜帶最新SiC KGD PB6600測(cè)試系統(tǒng)、WLBI3800晶圓級(jí)老化系統(tǒng)以及WAT6300高壓串行參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)亮相，成為展會(huì)上的一大焦點(diǎn)。

聯(lián)訊儀器最新推出SiC KGD PB6600支持6個(gè)測(cè)試站并行測(cè)試，UPH能力＞1200pcs，支持硬Docking，動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)的雜散電感<45nH，探針卡采用密封腔設(shè)計(jì)，具有氮?dú)鈮毫ΡO(jiān)測(cè)功能，可保持壓力并防止電弧產(chǎn)生。目前，聯(lián)訊儀器已與多家客戶(hù)達(dá)成初步合作意向。

官微透露，聯(lián)訊儀器是國(guó)內(nèi)高端測(cè)試儀器和設(shè)備供應(yīng)商。主要專(zhuān)注于高速通信、光芯片、電芯片和第三代半導(dǎo)體功率芯片等測(cè)試儀表和設(shè)備的研發(fā)制造，旗下產(chǎn)品包括半導(dǎo)體激光器CoC老化、裸Die芯片測(cè)試、SiC晶圓老化、SiC裸Die 功率芯片KGD測(cè)試分選等。今年上半年，他們已陸續(xù)推出6項(xiàng)新品，涉及高精度源表、老化測(cè)試系統(tǒng)、KGD測(cè)試系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域。

IAF：推進(jìn)1200V GaN晶體管研發(fā)

據(jù)外媒報(bào)道，德國(guó)弗萊堡弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所（IAF）在展會(huì)介紹了其阻斷電壓高于1200V的橫向和垂直GaN晶體管新技術(shù)的開(kāi)發(fā)現(xiàn)狀。

該研究所目前正致力于實(shí)現(xiàn)基于GaN的HEMT技術(shù)，其阻斷電壓高達(dá)1200V及以上，?旨在為現(xiàn)有的SiC MOSFET提供替代方案。為此，IAF的研發(fā)方案有：

硅基氮化鎵HEMT：目前已經(jīng)上市，但由于氮化鎵層厚度有限，阻斷電壓限制為 650V。通過(guò)不斷優(yōu)化材料及其加工，他們?nèi)缃衲軌蛘故眷o態(tài)阻斷電壓超過(guò)1200V的硅基氮化鎵HEMT，此外，在面向應(yīng)用的測(cè)量臺(tái)架（雙脈沖測(cè)量）上，功率元件的開(kāi)關(guān)電壓高達(dá) 1100V。

絕緣體氮化鎵 HEMT ：研究人員用藍(lán)寶石、碳化硅或氮化鎵等高絕緣載體襯底取代了導(dǎo)電硅，消除了電壓限制。根據(jù)發(fā)光二極管應(yīng)用的研發(fā)成果，藍(lán)寶石氮化鎵 HEMT 目前已能在生產(chǎn)線投產(chǎn)。

垂直氮化鎵 HEMT：未來(lái)十年內(nèi)，他們將制造適合工業(yè)用途的垂直GaN功率IC。

CGD：發(fā)布GaN功率IC新封裝

據(jù)外媒報(bào)道，CGD宣布為旗下ICeGaN 系列 GaN 功率 IC 推出兩款新封裝，提供增強(qiáng)的熱性能并簡(jiǎn)化檢測(cè)。

DHDFN-9-1（雙散熱器 DFN）是一種薄型雙面冷卻封裝，具有 小尺寸、低熱阻等特點(diǎn)。它還采用雙柵極引腳排列設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)最佳 PCB 布局和簡(jiǎn)單并聯(lián)，能夠輕松應(yīng)對(duì)高達(dá) 6 kW 的應(yīng)用。

BHDFN-9-1（底部散熱器 DFN）是一種底部冷卻套件，熱阻為0.28 K/W，尺寸為10x10 mm，小于常用的 TOLL 封裝，但具有相似的基底面，因此可與 TOLL 封裝的 GaN 功率集成電路采用通用布局，便于使用和評(píng)估。

官網(wǎng)透露，Cambridge GaN Devices 屬于劍橋大學(xué)的衍生公司，是一家無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司，主要業(yè)務(wù)為氮化鎵功率器件研發(fā)，目前已推出650 V / 55 mohm、650 V / 25 mΩ 等規(guī)格氮化鎵晶體管。

德州儀器：GaN IPM可實(shí)現(xiàn)99%效率

在展會(huì)上，德州儀器推出了業(yè)界首款適用于250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的 650V 三相 GaN IPM，旨在解決大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)的能效標(biāo)準(zhǔn)難題。

德州儀器表示，該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)超過(guò) 99% 的逆變器效率，功耗與現(xiàn)有方案相比降低了 50%，并實(shí)現(xiàn)了低死區(qū)時(shí)間和低傳播延遲，兩者均小于 200ns，在獲得更高開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)，降低了噪聲和系統(tǒng)振動(dòng)，這些優(yōu)勢(shì)加上更高的功率效率和集成功能，還可以降低電機(jī)發(fā)熱，從而提高可靠性并延長(zhǎng)系統(tǒng)壽命。

此外，全新IPM采用 12mm x 12mm 封裝，與同類(lèi) IPM 解決方案相比，PCB 的尺寸可縮減高達(dá) 55%。此外，對(duì)電流檢測(cè)放大器、保護(hù)功能和逆變器級(jí)的集成進(jìn)一步縮減了解決方案的尺寸和成本。

官網(wǎng)透露，德州儀器是一家全球性的半導(dǎo)體公司，致力于設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和銷(xiāo)售模擬和嵌入式處理芯片，產(chǎn)品可幫助客戶(hù)高效地管理電源、準(zhǔn)確地感應(yīng)和傳輸數(shù)據(jù)并在其設(shè)計(jì)中提供核心控制或處理，目前在在全球擁有 15 個(gè)制造基地，其中包括多家晶圓制造廠、封裝測(cè)試廠、凸點(diǎn)加工廠以及晶圓測(cè)試廠。

PCIM Asia 2024：已有120+企業(yè)參展，100+報(bào)告發(fā)布

值得關(guān)注是，2024年8月28至30日，作為PCIM Europe的姐妹展，PCIM Asia 2024將在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）舉辦，為行業(yè)搭建一個(gè)高效的交流平臺(tái)，共同分享電力電子領(lǐng)域的最新科技成果和產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)。

據(jù)悉，本次PCIM Asia 已經(jīng)吸引了三菱電機(jī)、賽米控丹佛斯、富士電機(jī)、英飛凌、羅姆半導(dǎo)體、博世集團(tuán)、安森美、尼得科、合盛硅業(yè)、芯干線、中國(guó)中車(chē)、南砂晶圓、國(guó)基南方、安世半導(dǎo)體等累計(jì)120多家企業(yè)的贊助或參展，他們將在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)展示行業(yè)技術(shù)的前沿應(yīng)用。

除產(chǎn)品技術(shù)展示，展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)還將舉辦國(guó)際研討會(huì)、工業(yè)論壇等一系列會(huì)議活動(dòng)，會(huì)議主題涵蓋：寬禁帶半導(dǎo)體論壇、高功率器件論壇、電動(dòng)汽車(chē)論壇、清潔能源及儲(chǔ)能技術(shù)論壇等，并邀請(qǐng)到來(lái)自英飛凌、日立電源、禾望電氣、清華大學(xué)等企業(yè)及機(jī)構(gòu)的專(zhuān)家進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)研討，同時(shí)分享100+電力電子行業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告。