686
上次，我們總結(jié)了光刻工序部分的術(shù)語，見文章：《光刻工序常見術(shù)語中英文對照（1）》這次，我們把剩下的又總結(jié)了一些，供大家參閱。
1，Developer Mist：顯影液回濺產(chǎn)生的水霧，是顯影過程引入的一種缺陷。
3，Swelling：膨脹，在曝光前光刻膠表面存在水滴，水滴在光刻膠頂部膠層（ Top Coating ）中的滲透造成頂部膠層膨脹。
4，Contact Angle：接觸角，通過測量接觸角可以得出光刻膠的潤濕性。
5，diffraction：衍射，當掩膜板開口尺寸接近或小于入射光波長時，衍射效應(yīng)很明顯，這會導(dǎo)致在晶圓表面無法得到理想的銳利邊緣，而形成模糊的圖形。
6，interference：干涉。干涉在光刻中會產(chǎn)生駐波效應(yīng)。當入射光和從晶圓表面反射的光相遇時，會在光刻膠內(nèi)形成駐波，顯影后得到的結(jié)構(gòu)就是周期性的鋸齒狀結(jié)構(gòu)。
7，Mercury lamp：汞燈。用于產(chǎn)生G線（436 nm）和i線（365 nm）的光線。
8，Excimer laser：準分子激光燈。用于產(chǎn)生KrF（248 nm）和ArF（193 nm）光線。
9，solvent：溶劑。光刻膠中含有溶劑。
10，novolak：酚醛樹脂，光刻膠的主體支撐結(jié)構(gòu)
11，DNQ：二（重）氮萘醌，感光劑的一種。
12，TMAH：四甲基氫氧化銨,顯影液的主要成分。
13，dose：劑量，比如曝光的劑量
14，OPC：光學(xué)鄰近校正，作用是彌補衍射造成的圖像錯誤。
15，positive resist：正性光刻膠
16，negative resist:負性光刻膠
17，Immersion lithography machine：浸沒式光刻機，一般為ArF+浸沒式，其他波長的光線不配備浸沒式技術(shù)。
18，coat：勻膠19，uniformity：非均勻性，主要是用來衡量膠厚是否一致。
20，cp：光刻膠粘度單位，如光刻膠AZ4620的粘度為440cp
21，rpm：轉(zhuǎn)速單位，比如勻膠時設(shè)定轉(zhuǎn)速為2000rpm，即每分鐘兩千轉(zhuǎn)。
22，PGMEA：一種溶劑
23，hole：光刻膠上的針孔
24，resist residue：光刻膠殘留25：fence：細小的光刻膠殘留
26，Lens：光刻機的透鏡，蔡司公司的透鏡全球第一。
27，?：長度單位，0.1nm
由于篇幅有限，今天先總結(jié)到這里，后面會對其他工序再進行總結(jié)。
歡迎加入我的半導(dǎo)體制造知識星球社區(qū)，目前社區(qū)有2000人左右。在這里會針對學(xué)員問題答疑解惑，上千個半導(dǎo)體行業(yè)資料共享，內(nèi)容比文章豐富很多很多，適合快速提升半導(dǎo)體制造能力，介紹如下：? ? ?《歡迎加入作者的芯片知識社區(qū)！》
