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SK海力士決定采用3納米代工工藝生產明年下半年量產的定制化HBM4，全力進軍美國市場。這意味著該公司將集中精力開發(fā)和量產具有 NVIDIA 和 Google 等美國人工智能 (AI) 加速器公司所尋求的最佳規(guī)格的產品。換句話說，這意味著他們將放棄低性能HBM市場。
隨著美國商務部12越2日正式禁止HBM對華出口，眾所周知，對華出口量超過SK海力士的三星電子也正在竭盡全力通過提高HBM4性能來吸引美國企業(yè)作為客戶。有預測稱，SK海力士與三星電子之間圍繞HBM4的技術開發(fā)競爭將會加劇。
據業(yè)內人士3日透露，SK海力士決定采用定制化的3納米代工工藝和通用化的12納米代工工藝來生產與臺積電共同開發(fā)的第6代HBM（HBM4）的基礎芯片。最初，SK海力士考慮將5nm工藝應用于定制HBM，臺積電去年5月在荷蘭阿姆斯特丹舉行的“臺積電歐洲技術研討會”上宣布，將采用12納米（通用）和5納米（定制）工藝進行HBM4基片生產。
在 HBM4 中，基礎芯片是連接圖形處理單元 (GPU) 和 HBM 的關鍵組件。直到HBM3E，內存制造商SK Hynix自己制作了基礎模具，但從HBM4開始，需要精細加工，因此需要與代工公司合作。考慮到HBM4的性能很大程度上取決于基礎芯片的制造方式，SK海力士決定采用與臺積電共同開發(fā)的最佳工藝。據了解，與5nm相比，使用3nm工藝制造的性能可提高20-30%。
目前，蘋果iPhone和MacBook中使用的最新半導體均采用臺積電3nm工藝量產。Nvidia的GPU采用4nm工藝生產。由于采用3nm工藝，明年發(fā)布的定制版HBM4預計將比HBM3E在性能、功耗等各方面都有大幅升級。
SK海力士之所以采用3nm工藝，是為了響應NVIDIA等客戶的需求。NVIDIA正在以“大手筆”采購SK海力士的大部分產品。在 NVIDIA 要求 HBM4 供應計劃提前約六個月后，SK 海力士最近提高了生產速度。SK 海力士計劃通過盡快提供具有最高性能的定制 HBM 來進一步加強與 NVIDIA 的蜜月關系。
預計明年下半年開放的定制化 HBM4 市場將更加激烈，內存廠商之間的性能競爭將更加激烈。為了繼續(xù)保持領先地位，SK 海力士正在鞏固與臺積電和 NVIDIA 的聯盟。
定制HBM市場被認為是存儲器公司之間最大的戰(zhàn)場。SK海力士和三星電子在去年9月的Semicon Taiwan 2024上推出“定制化HBM”作為搶占AI存儲器市場的轉折點。這是因為，AI時代內存市場的最終贏家很可能將取決于誰能快速提供最高性能的定制化HBM4。
據了解，三星電子已決定采用4nm工藝進行定制化HBM。不過，隨著SK海力士決定采用3nm工藝，有分析稱三星電子也有可能通過使用臺積電的3nm工藝及其代工廠進行反擊。
