加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入
  • 正文
    • 浪涌電流
    • 浪涌電流計(jì)算
    • 瞬態(tài)熱阻曲線的應(yīng)用
    • 小結(jié)
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流

12/11 11:10
801
閱讀需 6 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

/ 前言 /

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。

上一篇講了兩種熱等效電路模型,Cauer模型和Foster模型,這一篇以二極管浪涌電流為例,講清瞬態(tài)熱阻曲線的應(yīng)用。

浪涌電流

二極管的浪涌電流能力是半導(dǎo)體器件的一個(gè)重要參數(shù)。在被動(dòng)整流應(yīng)用中,由于電網(wǎng)的頻率是50Hz,因此10ms的二極管電流能力一般作為表征這一性能的參數(shù)被寫入器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中。但是也有一些應(yīng)用場(chǎng)合其時(shí)間是不同的,比如電網(wǎng)頻率是60Hz,或者半導(dǎo)體器件IGBT短路,直流側(cè)能量通過二極管放電,因此在這些特定場(chǎng)合條件下需要利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算不同時(shí)間尺度下二極管能承受的浪涌電流。

浪涌電流導(dǎo)致的二極管失效表明失效點(diǎn)來(lái)自鋁金屬化層的熱失效,然后導(dǎo)致二極管PN結(jié)損壞,因此普遍認(rèn)為二極管在承受高浪涌電流時(shí),能量或者熱是導(dǎo)致失效的根本原因,也就是說溫度變化是直接導(dǎo)致器件損壞。下圖是二極管損壞的照片,照片中紅色箭頭標(biāo)識(shí)的位置出現(xiàn)熔化。

圖1.浪涌電流條件下,二極管芯片損壞照片

浪涌電流計(jì)算

下面從能量角度分析,設(shè)E為這一過程中的由于大電流產(chǎn)生的能量:

在這一工作過程中,我們把V-I關(guān)系做線性化處理:

當(dāng)電流比較大時(shí),V0可以被忽略,通過積分可以得到:

在上式中,R表示二極管V-I曲線的斜率,IFSM表示浪涌電流大小,tp指對(duì)應(yīng)的時(shí)間。

另一方面,我們假定芯片的溫度變化Delta T可以用如下公式表示:

從上式可以得出,如果我們認(rèn)定溫度變化是導(dǎo)致芯片在浪涌大電流損壞的主要原因時(shí),就可以認(rèn)為zthjcI2FSM一個(gè)常量。

如上文中談到的,一般的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)給出10ms的二極管浪涌電流值,同時(shí)熱阻曲線也會(huì)給出,依據(jù)以上公式就可以計(jì)算任何時(shí)間的二極管浪涌電流大小了。

瞬態(tài)熱阻曲線的應(yīng)用

如下通過一個(gè)實(shí)例計(jì)算FF600R17ME4的二極管電流以及I2t隨時(shí)間變化的曲線,便于在應(yīng)用系統(tǒng)中和熔斷保護(hù)器匹配使用。以下舉例計(jì)算FF600R17ME4器件在100ms的浪涌電流。

圖2.FF600R17ME4二極管熱阻曲線

首先,借助動(dòng)態(tài)熱阻曲線的四階參數(shù),可以計(jì)算得到10ms時(shí)的動(dòng)態(tài)熱阻值為0.02384,同樣也可以計(jì)算得到100ms的動(dòng)態(tài)熱阻為0.0622。

從FF600R17ME4的數(shù)據(jù)手冊(cè)可以查到在10ms時(shí),器件的I2t為32000,因此可以計(jì)算浪涌電流值為1789A。

接下來(lái)用上述公式(1)計(jì)算得到100ms的浪涌電流值為1108A。圖3為按照上述方法計(jì)算得到的不同時(shí)間的浪涌電流值曲線。得到浪涌電流值后,在不同時(shí)間的I2t同樣也可以計(jì)算,圖4所示為不同時(shí)間相對(duì)于10ms時(shí)的關(guān)系曲線。

圖3.通過公式計(jì)算的浪涌電流隨時(shí)間的變化曲線

圖4.FF600R17ME4 I2t隨時(shí)間變化的標(biāo)幺值

小結(jié)

計(jì)算半導(dǎo)體器件二極管的浪涌電流的過程如下:

1.從數(shù)據(jù)手冊(cè)熱阻曲線中查到該時(shí)間條件下瞬態(tài)熱阻值

2.根據(jù)公式(1)計(jì)算浪涌電流

3.如果要計(jì)算和熔斷保護(hù)器匹配的I2t,利用上述電流計(jì)算就可以

如果想要了解詳細(xì)的測(cè)試以及仿真結(jié)果請(qǐng)參考2007年P(guān)CIM 論文:Numerical and ?experimental ?study ?on ?surge current ?limitation ?of ?wire-bonded ?power ?diodes

系列文章

功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)---功率半導(dǎo)體的熱阻

功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(二)---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)----功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測(cè)量

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——熱等效模型

參考資料

IGBT模塊:技術(shù)、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用 》機(jī)械工業(yè)出版社

英飛凌

英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約58,600名員工,在2023財(cái)年(截至9月30日)的營(yíng)收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國(guó)的OTCQX國(guó)際場(chǎng)外交易市場(chǎng)上市(股票代碼:IFNNY)。 更多信息,請(qǐng)?jiān)L問www.infineon.com

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。該公司在全球擁有約58,600名員工,在2023財(cái)年(截至9月30日)的營(yíng)收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國(guó)的OTCQX國(guó)際場(chǎng)外交易市場(chǎng)上市(股票代碼:IFNNY)。 更多信息,請(qǐng)?jiān)L問www.infineon.com收起

查看更多

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜

英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)的推廣和交流,發(fā)布研討會(huì)日程等。相關(guān)產(chǎn)品為IGBT, IPM,?大功率二極管晶閘管,IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器,功率組件,iMotion等。