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臺積電:三星別逼我,10nm、7nm平行研發(fā)搞死你

2015/12/10
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小編語:晶圓代工廠有點(diǎn)停不下來的感覺,可小編怎么總覺得這是在趕著去投胎的節(jié)奏呢,主要調(diào)研機(jī)構(gòu)都已經(jīng)預(yù)言 28nm 將在未來相當(dāng)一段時(shí)間內(nèi)成為半導(dǎo)體的主流工藝,小編竊以為,晶圓代工廠之所以在更先進(jìn)工藝制程上大搞練兵,應(yīng)該還是芯片廠商在智能手機(jī)等消費(fèi)類市場的利潤率下降驅(qū)動,讓廠商迫切需要推出新品以刺激下一代移動設(shè)備升級,最終刺激消費(fèi)……

臺積電即將登陸于中國南京,打造以 16nm 制程為主的 12 吋晶圓廠。除了希望借由在當(dāng)?shù)氐姆?wù),搶下中國客戶訂單,一舉擺脫三星與英特爾的糾纏之外。臺積電也借由更先進(jìn)制程的開發(fā),鞏固晶圓代工龍頭位置。其中,10nm 與 7nm 將會是其中關(guān)鍵。

面對三星在先進(jìn)制程技術(shù)上步步進(jìn)逼,臺積電一改以往研發(fā)單位一個(gè)制程完成,移交給制造部門,再開發(fā)下一個(gè)制程的流程,直接用兩個(gè)團(tuán)隊(duì)平行研發(fā),同時(shí)開發(fā) 10nm 與 7nm 制程,而不是等 10nm 做好,再進(jìn)行 7nm 的開發(fā)。這也是臺積電宣稱,從 16nm 到 10nm 要花將近兩年,但是從 10nm 到 7nm 預(yù)計(jì)只要花 5 季。目前進(jìn)度,臺積電預(yù)估 10 奈米將在 2016 年底試產(chǎn),2017 年上半年投產(chǎn)。
 

▲臺積電的先進(jìn)智成一改以往研發(fā)單位一個(gè)制程完成,再開發(fā)下一個(gè)制程的流程,直接用兩個(gè)團(tuán)隊(duì)平行研發(fā),同時(shí)開發(fā) 10nm 與 7nm 制程。

 

據(jù)了解,臺積電研發(fā)中的 10nm 制程技術(shù),和 16nmFinFET+ 比較,在同樣耗電之下,10nm 制造的晶片產(chǎn)品速度快 20%。而且在同樣速度之下,耗電少 40%,可生產(chǎn)出的晶片數(shù)則是 16nmFinFET+的 2.1 倍,預(yù)計(jì) 2015 年年底前進(jìn)行制程技術(shù)驗(yàn)證。

▼臺積電似乎克服了晶圓級封裝各種困難的良率問題,為先進(jìn)手機(jī)晶片提供一個(gè)更薄的制程、更便宜、良好可靠度的技術(shù)解決方案。
 

 

至于,7nm 制程技術(shù)上,臺積電的重點(diǎn)是選擇 FinFET 作為下一代新的電晶體結(jié)構(gòu),以及在不使用 EUV 曝光之下,如何讓浸潤式微影多重曝光可以順利推進(jìn)到 7 奈米制程上。這相對以前是一個(gè)制程接著一個(gè)制程的研發(fā),這次臺積電在研發(fā) 10nm 新制程的同時(shí),也同步啟動研發(fā)下一代的 7 奈米制程技術(shù),預(yù)計(jì) 2017 年第 1 季進(jìn)行制程驗(yàn)證。

據(jù)了解,7nm 將高度相容于 10nm 的技術(shù)成果和制程設(shè)備,90%的 10nm 設(shè)備可以繼續(xù)用在 7nm 上。并可以利用 10nm 學(xué)習(xí)到的制程能力,快速提升良率。加上臺積電似乎已經(jīng)克服了晶圓級封裝(InFO)各種困難的良率問題,為先進(jìn)手機(jī)晶片提供一個(gè)更薄的制程、更便宜、良好可靠度的技術(shù)解決方案。

因此,就由臺積電將制程推進(jìn)至 7 到 10nm,Apple A10 處理器幾乎可以確定將從兩家供應(yīng)商,又改回選擇臺積電成為獨(dú)家供應(yīng)商。而且,加上臺積電在晶圓晶封裝技術(shù)上的突破,帶來效益將非常大。因?yàn)?,不只是封裝本身的大量營收而已,還讓臺積電變成 A10 獨(dú)家供應(yīng)商之后,其他客戶如高通聯(lián)發(fā)科都可能讓臺積電吃下更多的訂單。

 

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