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與非網(wǎng) 9 月 17 日訊，今年 8 月 8 日，日本解禁一批對(duì)韓出口半導(dǎo)體材料，其中包括對(duì) 7nm 先進(jìn)制程至關(guān)重要的 EUV 光刻膠。韓國(guó)的半導(dǎo)體遭受到了重?fù)簦驗(yàn)轫n國(guó)半導(dǎo)體材料有 80%左右是從日本進(jìn)口的，而像三星、SK 海力士據(jù)說(shuō)庫(kù)存只有堅(jiān)持 2、3 個(gè)月。
韓國(guó)的生態(tài)系統(tǒng)不足以支持 EUV 光刻工藝。主要從日本引進(jìn)的 EUV 光刻膠于 7 月被日本政府宣布監(jiān)管，使韓國(guó)企業(yè)受到了直接打擊。盡管三星電子和 SK 海力士生產(chǎn)自己的 EUV 光罩，但他們目前對(duì)外國(guó)公司提供的必要設(shè)備和材料依賴度很高。例如，EUV 光刻系統(tǒng)僅由荷蘭的 ASML 提供。
在這樣的背景下，ESOL 公司首席執(zhí)行官 KimByung-guk 表示，該公司打算挑戰(zhàn) EUV 光刻市場(chǎng)中的外國(guó)公司。ESOL 是 Euv SOLution 的縮寫，是一家名為 FST 的半導(dǎo)體薄膜公司的子公司。就像公司名稱一樣，ESOL 開發(fā)了 EUV 光刻工藝所需的各種解決方案和系統(tǒng)。
ESOL 最近一直致力于一種獨(dú)特系統(tǒng)的研發(fā)。該系統(tǒng)可以低成本加快 EUV 光刻膠的顯影速度。EUV 光刻膠是在 EUV 光刻工藝發(fā)生之前需要施加到晶片的材料，目前，韓國(guó)公司都不能實(shí)施這一過程。
中小型半導(dǎo)體材料制造商尤其沒有足夠的資金來(lái)引入 EUV 光刻系統(tǒng)，該系統(tǒng)要耗資超過 1.27 億美元（1500 億韓元）來(lái)測(cè)試他們的材料。他們也很難與需要先使用先進(jìn)技術(shù)的大公司合作。
目前正在開發(fā)的“EMiLE”系統(tǒng)不會(huì)像當(dāng)前的 EUV 光刻系統(tǒng)那樣在 EUV 掩模上印刷的電路上減少并執(zhí)行光刻工藝。相反，它通過 EUV 光應(yīng)用“干涉現(xiàn)象”并評(píng)估光刻膠的性能。
該系統(tǒng)移除了反射 EUV 輻射的 11 個(gè)反射鏡和附著在 EUV 光刻系統(tǒng)上的光掩模，并在晶圓和 EUV 光源之間放置金屬部件。
金屬部件有兩個(gè)方孔，這些孔有規(guī)律地向左和向右間隔開。這些方孔具有均勻且精細(xì)排列的 32nm 金屬線。這被稱為“光柵”，會(huì)引起光衍射。
當(dāng) EUV 光源穿過兩個(gè)孔并進(jìn)入光柵時(shí)，光在許多方向上衍射和彎曲。穿過這些孔的光開始相互干擾。在干涉期間，存在光強(qiáng)度變強(qiáng)的部分，并且還存在強(qiáng)度變?nèi)醯牟糠?。光?qiáng)度變強(qiáng)的部分接觸 EUV 光刻膠并形成由 16nm 垂直線組成的圖案。
該系統(tǒng)應(yīng)用光刻工藝的特征，其利用光印刷 pattern 并檢查光刻膠 pattern 形成的性能。
ESOL 還完成了關(guān)于系統(tǒng)的必要模式的申請(qǐng)。ESOL 副總裁 Lee Dong-geun 相信公司現(xiàn)在可以測(cè)試 EUV 光刻膠而無(wú)需購(gòu)買昂貴的 EUV 光刻系統(tǒng)。
“EMiLE 系統(tǒng)的成本約為目前 EUV 光刻系統(tǒng)成本的 10％。”副總裁李說(shuō)。“韓國(guó)公司現(xiàn)在可以大大增加測(cè)試 EUV 光刻膠性能的機(jī)會(huì)，并在短時(shí)間內(nèi)加速 EUV 光刻膠的開發(fā)。”
ESOL 幾乎完成了開發(fā)使用“波帶片透鏡（zone plate lens）”的 EUV 掩模檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)可以相對(duì)低的成本檢查 EUV 掩模是否有缺陷。
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