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自格芯 2019 年 8 月 26 日在美國與德國提出對臺積電的侵權訴訟后，各界都在關注臺積電的應對策略。而在美國時間 2019 年 9 月 26 日，美國國際貿易委員會正式基于格芯的侵權申訴，對包含臺積電在內的 22 家半導體廠商啟動 337 調查，似乎也促使臺積電加快應對腳步，采取正式的法律手段以捍衛(wèi)自身權益。
2019 年 9 月 30 日臺積電正式對格芯提出侵權訴訟，至此，過去全球前二的晶圓代工廠或將正式對簿公堂，掀起市場對雙方策略布局的諸多討論，讓晶圓代工產業(yè)再次增添話題性。
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臺積電祭出訴訟反擊格芯，然而和解方案或許對雙方影響最小
根據(jù)臺積電公布的新聞稿，臺積電于 2019 年 9 月 30 日在美國、德國及新加坡三地對格芯提出多項專利侵權訴訟，控告格芯侵犯臺積電涵蓋成熟及先進制程技術核心功能的 25 項專利，涉及技術包括 FinFET 設計、淺溝槽隔離技術、雙重曝光方法、先進密封環(huán)及閘極結構，以及創(chuàng)新的接觸蝕刻停止層設計等，這些技術廣泛應用在 40nm、28nm、22nm、14nm 及 12nm 等制程。
此外，臺積電此訴訟中亦要求法院核發(fā)禁制令，禁止格芯生產及銷售侵權之半導體產品，以及對非法使用臺積電半導體專利技術與銷售侵權產品之格芯尋求實質性的損害賠償。
對臺積電而言，提出侵權訴訟舉動不單是臺面上的反擊，更有機會迫使格芯評估彼此在冗長訴訟過程可能造成的損失。
目前臺積電未公布確切侵權的專利號碼，但從專利包含的技術層面來看，與格芯提出的頗有些相似之處，因此在侵權判斷上可能會依循相同的邏輯或判斷原則，代表若一項專利侵權勝訴，相對應或類似的另一項專利也有勝訴可能，反之亦然。
如此一來，或許較難定義出絕對的勝利者。假使這類情況出現(xiàn)，不管對格芯或臺積電都將會是兩面刃，損傷對方戰(zhàn)力的同時卻不一定能利己，有鑒于此，雙方尋求和解或互相撤銷告訴的機會就可能增加，將彼此的損失做最小化處理方為上策。
臺積電與格芯訴訟涉及重點制程，若出現(xiàn)利益?zhèn)t競爭對手或有受惠可能
分析雙方提出訴訟涉及的制程范圍來看，格芯瞄準臺積電主要極具產品競爭力的制程，即 28nm、16nm、12nm、10nm 及 7nm，在 2019 年第二季占比達 45%，尤其臺積電 7nm 業(yè)績良好，產能持續(xù)擴增，估計 28nm 以下制程營收占比將持續(xù)上升，是格芯瞄準能牽制臺積電的重要目標。
此外，格芯是目前市場上極力推廣 SOI 相關產品的廠商之一，在臺積電鮮少著墨 SOI 技術的情況下，或許也希望藉由專利侵權訴訟效果來提升自家的 FD-SOI 技術市占率。
另一方面，臺積電訴訟涉及的制程范圍雖影響不到格芯的 FD-SOI 相關產品，但范圍擴及格芯的成熟制程 40nm，且在格芯停止研發(fā) 7nm 制程后，轉而力求優(yōu)化 12nm 制程效能表現(xiàn)，因此臺積電提出有關 FinFET 閘極設計、雙重曝光方法及接觸蝕刻停止層設計等相關專利，對格芯也就有著不小的潛在可能影響；倘若專利証實侵權，等于又進一步抑制格芯在晶圓代工第二梯隊的競爭優(yōu)勢。
值得一提的是，雙方瞄準的制程范圍影響層面廣且重要性之高，或許也會讓競爭對手尋找得利的機會點。無論從技術發(fā)展或營收來看，Samsung 與聯(lián)電正好是臺積電與格芯最主要的競爭對手，若此番訴訟的結果讓雙方互傷元氣，可能給予 Samsung 與聯(lián)電追趕的契機，尤其聯(lián)電與格芯在技術與營收上相近，加上聯(lián)電在日本完成的收購計劃與格芯 2020 年將交割廠房，倘若格芯在法律過程中有所損失，相信會縮小領先聯(lián)電差距，甚或有被聯(lián)電超越的機會。
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