泛林集團(tuán)推出開創(chuàng)性的選擇性刻蝕設(shè)備組合，以加速芯片制造商的 3D 路線圖

泛林集團(tuán) (NASDAQ: LRCX) 宣布推出一系列新的選擇性刻蝕產(chǎn)品，這些產(chǎn)品應(yīng)用突破性的晶圓制造技術(shù)和創(chuàng)新的化學(xué)成分，以支持芯片制造商開發(fā)環(huán)柵 (GAA) 晶體管結(jié)構(gòu)。 泛林集團(tuán)的選擇性刻蝕產(chǎn)品組合包含三款新產(chǎn)品——Argos?、Prevos? 和 Selis?，為先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器半導(dǎo)體解決方案的設(shè)計(jì)和制造提供了強(qiáng)大優(yōu)勢(shì)。

集成了泛林集團(tuán)最新Prevos和Selis的設(shè)備系統(tǒng)

隨著現(xiàn)代技術(shù)和器件的不斷發(fā)展，對(duì)提高性能和效率所需的更高器件密度的需求也在增加。 為了跟上摩爾定律的步伐，芯片制造商目前正在開發(fā)垂直晶體管架構(gòu)——這是一種非常復(fù)雜的工藝，需要超高選擇性、精密刻蝕和均勻的各向同性材料去除，同時(shí)不改變或損壞其他關(guān)鍵材料層。

泛林集團(tuán)的選擇性刻蝕解決方案提供支持先進(jìn)邏輯納米片或納米線形成所需的超高、可調(diào)選擇性和無損傷的材料去除，使芯片制造商能夠在 DRAM 達(dá)到其平面微縮極限后實(shí)現(xiàn)從平面結(jié)構(gòu)到三維結(jié)構(gòu)的又一次進(jìn)化式飛躍。?

泛林集團(tuán)的這一選擇性刻蝕產(chǎn)品是與全球最具創(chuàng)新精神的邏輯和晶圓芯片制造商合作開發(fā)而成的，已被三星電子等行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的晶圓廠使用，以支持先進(jìn)邏輯晶圓開發(fā)過程中的近十多個(gè)關(guān)鍵步驟。?

三星半導(dǎo)體研發(fā)中心專家Keun Hee Bai 博士表示：“半導(dǎo)體行業(yè)不斷向更強(qiáng)大和更快的器件能力邁進(jìn)。 隨著器件的密度和復(fù)雜性不斷大幅提升，選擇性刻蝕技術(shù)對(duì)于制造我們最先進(jìn)的邏輯器件至關(guān)重要。隨著全球?qū)θ羌夹g(shù)的需求持續(xù)攀升，我們依靠選擇性刻蝕產(chǎn)品所具有的各種創(chuàng)新技術(shù)和能力來提升產(chǎn)能并加速我們的邏輯器件路線圖，以推出先進(jìn)邏輯環(huán)柵器件，甚至更先進(jìn)的器件。”?

泛林集團(tuán)的選擇性刻蝕產(chǎn)品組合由三個(gè)新設(shè)備組成：

• Argos——具有革命性的 MARS?（Metastable Activated Radical Source，亞穩(wěn)態(tài)活性自由基源）技術(shù)——能夠選擇性地改性和凈化晶圓表面。 其突破性的處理和調(diào)整能力使芯片制造商能夠精確地處理、優(yōu)化晶圓表面，以獲得最佳性能。

• Prevos?通過將新型化學(xué)成分和創(chuàng)新的蒸汽技術(shù)與靈活的溫度控制相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)氧化物、硅和金屬的原子層精度的超高選擇性刻蝕。 Prevos 利用了由泛林集團(tuán)開發(fā)的全新專有化學(xué)技術(shù)解決方案，可以添加額外的化學(xué)成分來滿足芯片制造商的生產(chǎn)需求。

• Selis 獨(dú)具一格地采用自由基和熱刻蝕能力，能夠?qū)崿F(xiàn)超高選擇性刻蝕和從上到下均勻的工藝控制，而不會(huì)損壞晶圓結(jié)構(gòu)。?

• Prevos 和 Selis 也可以作為單一的集成設(shè)備交付，以提供獨(dú)特的多層選擇性刻蝕、更好的排隊(duì)時(shí)間控制和最大的生產(chǎn)靈活性。?

泛林集團(tuán)總裁兼首席執(zhí)行官 Tim Archer 表示：“泛林集團(tuán)正在推動(dòng)晶圓制造技術(shù)的發(fā)展，以支持芯片行業(yè)向 3D 架構(gòu)轉(zhuǎn)變，并使下一代數(shù)字技術(shù)成為現(xiàn)實(shí)。 40 多年來，泛林集團(tuán)在刻蝕技術(shù)創(chuàng)新方面一直引領(lǐng)行業(yè)。 我們很自豪能夠延續(xù)這一傳統(tǒng)，為當(dāng)今市場(chǎng)上的先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器提供最先進(jìn)的選擇性刻蝕解決方案組合。”