一掃破發(fā)陰霾，東微半導(dǎo)體強(qiáng)勢上漲背后

2022年以來，二級市場對于場內(nèi)的投資者并不友好，幾大指數(shù)不同幅度下跌的同時(shí)，投資者的熱情也在逐漸受冷。對應(yīng)的，場內(nèi)的新股也連連破發(fā)，往日“打到就是賺到”的打新股行為似乎已經(jīng)不再津津樂道。半導(dǎo)體板塊中，更是連連爆出多位“破發(fā)大戶”。截至2022年3月8日收盤，知名半導(dǎo)體企業(yè)希荻微-U（-19.63%）、翱捷科技-U（-51.13%）、天岳先進(jìn)（-19.19%）及國芯科技（-9.67%）自今年上市以來均遭遇“重錘”。但也有例外，比如東微半導(dǎo)體，漲幅達(dá)38.31%。當(dāng)然，除了本身上市時(shí)的定價(jià)因素外，更多的還有二級市場對于公司未來的預(yù)期因素，與非網(wǎng)今天就來深度分析下，東微半導(dǎo)體的基本面、核心技術(shù)及未來增長預(yù)期點(diǎn)。

東微半導(dǎo)體專注于高性能功率器件的研發(fā)與銷售，主要產(chǎn)品有四類，包括已起量的高壓超級結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET，超級硅MOSFET以及剛進(jìn)入量產(chǎn)階段的TGBT（IGBT的一種）。產(chǎn)品終端的應(yīng)用范圍包括了1、工業(yè)級：新能源汽車直流充電樁、5G基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和工業(yè)照明電源；2、消費(fèi)級：PC電源、適配器、TV電源板、手機(jī)快充。

 
圖1、東微半導(dǎo)體產(chǎn)品終端應(yīng)用范圍  來源：公司招股書

2022年2月24日，東微半導(dǎo)體發(fā)布業(yè)績快報(bào)，初步核算（未經(jīng)審計(jì)）2021年度實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入7.82億元，同比增長153.28%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤1.46億元，同比增長429.12%。營業(yè)收入和歸母凈利潤雙雙實(shí)現(xiàn)了快速增長，延續(xù)并加速了2020年度的增長態(tài)勢，一方面受益于新能源汽車充電樁、通信電源、光伏逆變器等終端市場需求的持續(xù)提升，導(dǎo)致營業(yè)收入的增加；另一方面，受益于產(chǎn)品終端應(yīng)用結(jié)構(gòu)的變動(dòng)、產(chǎn)品單價(jià)上漲等因素，推動(dòng)毛利率上升而增加整個(gè)年度的利潤水平。

 
圖2、2018-2021年度東微半導(dǎo)體營業(yè)收入、凈利潤及對應(yīng)同比增長情況  來源：與非網(wǎng)整理

在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)方面，高壓超級結(jié)MOSFET是東微半導(dǎo)體的主打產(chǎn)品，2018-2020年、2021年1-6月，分別占據(jù)當(dāng)期營業(yè)總收入81.48%、80.28%、80.66%及74.55%，是絕對的主打產(chǎn)品。同時(shí)，高壓超級結(jié)MOSFET的持續(xù)高速增長，也是推動(dòng)營業(yè)收入的主因。其次，是中低壓屏蔽柵MOSFET，分別占據(jù)對應(yīng)報(bào)告期營業(yè)總收入18.52%、19.68%、19.21%及24.96%，屬于持續(xù)放量的次要產(chǎn)品，且比例有逐步提升的趨勢，也是未來增長點(diǎn)之一。最后是超級硅MOSFET和自主研發(fā)的IGBT類產(chǎn)品，雖然在營收上相對前兩者近乎可以忽略不記，但前者自2019年量產(chǎn)起，增速也十分可觀；而后者主要是處在量產(chǎn)初期的原因，據(jù)悉，在手訂單合計(jì)約219萬元（截至2021年8月），未來拭目以待。

 
表1、2018-2020年、2021年1-6月東微半導(dǎo)體主營業(yè)務(wù)收入構(gòu)成情況  來源：公司資料

對于功率MOSFET而言，隨著社會電氣化程度的不斷提高，技術(shù)驅(qū)動(dòng)的性能提升主要體現(xiàn)在高頻開關(guān)、高功率密度以及低功耗三個(gè)方向。對應(yīng)的，功率MOSFET在工藝上從10微米制程縮減至0.15-0.35微米，結(jié)構(gòu)上從平面、溝槽再到超級結(jié)，材料上則發(fā)展到了碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體，這一切也都是為了實(shí)現(xiàn)更高的性能指標(biāo)。

對于東微半導(dǎo)體而言，高壓超級結(jié)MOSFET也是其優(yōu)勢所在。在設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)上，通過優(yōu)化電荷平衡技術(shù)、優(yōu)化柵極設(shè)計(jì)及緩變電容核心原胞結(jié)構(gòu)等技術(shù)，大幅提高襯底摻雜濃度，有效降低導(dǎo)通電阻，均衡產(chǎn)品內(nèi)部電場，解決超級結(jié)器件由于開關(guān)速度快導(dǎo)致的開關(guān)震蕩問題?；诖?，在參數(shù)上，東微半導(dǎo)體的GreenMOS超級結(jié)MOSFET及超級硅MOSFET比肩英飛凌、安森美等國際一流廠商的相關(guān)產(chǎn)品。

 
表2、東微半導(dǎo)體與可比公司產(chǎn)品參數(shù)標(biāo)膠（優(yōu)值指標(biāo)）

 
表3、東微半導(dǎo)體與可比公司產(chǎn)品參數(shù)比較（導(dǎo)通電阻指標(biāo)）

對于中低壓屏蔽柵MOSFET，東微半導(dǎo)體通過自對準(zhǔn)的制造技術(shù)、電荷平衡原理以及全新的器件結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)載流子濃度的大幅增強(qiáng)以及電場調(diào)制耐壓的提高，形成高功率密度、低開關(guān)損耗、高可靠性及自保護(hù)等特點(diǎn)，自主研發(fā)的SFGMOS產(chǎn)品也持續(xù)進(jìn)行研發(fā)和技術(shù)升級，對應(yīng)的器件性能逐漸提升到了國內(nèi)領(lǐng)先水平。

至于超級硅MOSFET，東微半導(dǎo)體宣稱因其獨(dú)創(chuàng)的器件結(jié)構(gòu)與優(yōu)化的制造工藝，使得產(chǎn)品擁有高速開關(guān)及低動(dòng)態(tài)損耗的特性，在硅基制造工藝上進(jìn)一步提升了器件的開關(guān)速度，使得在主流快速充電器應(yīng)用中能獲得接近氮化鎵功率模塊的效率和功率密度，但生產(chǎn)成本更低，僅為同效率氮化鎵器件的20%，堪稱一絕。預(yù)計(jì)后續(xù)產(chǎn)品經(jīng)過市場驗(yàn)證后會逐漸放量成為消費(fèi)領(lǐng)域的第二增長曲線。

最后是Tri-gate結(jié)構(gòu)的IGBT器件產(chǎn)品，東微半導(dǎo)體通過載流子控制技術(shù)優(yōu)化了IGBT器件在導(dǎo)通時(shí)的內(nèi)部載流子分布；原胞功率調(diào)制技術(shù)使器件在大功率開關(guān)過程中的功率分布更加均勻，避免局部電壓電流因過大而導(dǎo)致器件失效，提升了工作穩(wěn)定性；獨(dú)創(chuàng)的器件結(jié)構(gòu)又提升了產(chǎn)品的電場調(diào)制能力，提高了耐壓性及載流子濃度，最終提升了整體的可靠性。基于這些核心技術(shù)，使得東微半導(dǎo)體IGBT產(chǎn)品在各項(xiàng)參數(shù)上與一些國際大廠相接近甚至略有優(yōu)勢。因此，東微的Tri-gate結(jié)構(gòu)IGBT器件在設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)水平上處于國際先進(jìn)水平。

 
表4、東微半導(dǎo)體IGBT相關(guān)產(chǎn)品與可比公司產(chǎn)品關(guān)鍵性能參數(shù)比較

綜上所述，可知東微半導(dǎo)體在其主營的四類產(chǎn)品的核心技術(shù)上，均相對國內(nèi)廠家甚至國際廠家，依然存在一定的自身優(yōu)勢。同時(shí)，憑借著這些優(yōu)勢，產(chǎn)品營收也在迅速擴(kuò)大。并且成功登錄科創(chuàng)板，融資能力大大提升，公司也將有充足的資金去進(jìn)行持續(xù)布局。東微半導(dǎo)體對于所募集資金，擬合計(jì)投入33.22%的資金用于現(xiàn)有產(chǎn)品的升級及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，而另外還有48.68%的資金計(jì)劃作為未來科技與發(fā)展的儲備資金。一方面產(chǎn)能會得到優(yōu)化和提升，另一方面對于產(chǎn)品、技術(shù)的研發(fā)也將持續(xù)得到升級，這些最終都將決定未來產(chǎn)品的營收能否持續(xù)增長。

 
表5、東微半導(dǎo)體IPO募集資金用途  來源：公司招股書

既然東微半導(dǎo)體在MOSFET的幾個(gè)細(xì)分領(lǐng)域里，占據(jù)了一定的技術(shù)的優(yōu)勢，那相關(guān)下游的景氣度及市場容量又如何呢？這也代表著對應(yīng)產(chǎn)品未來的空間。

Omdia相關(guān)數(shù)據(jù)估算，2020年度中國高壓超級結(jié)MOSFET的市場規(guī)模約為4.2億美元，而到2024年度中國高壓超級結(jié)MOSFET的市場規(guī)模約為4.4億美元。中國中低壓MOSFET產(chǎn)品的市場規(guī)模為24.1億美元，2024年的市場規(guī)模預(yù)計(jì)為21.2億美元。整體上看，似乎市場規(guī)模變化并不大，增量有限。但其實(shí)仔細(xì)查看Omdia的具體數(shù)據(jù)測算，可以發(fā)現(xiàn)各個(gè)行業(yè)對于MOSFET器件的需求是在不斷變化的。

表6、根據(jù)Omdia，按應(yīng)用領(lǐng)域分類的中國MOSFET器件市場規(guī)模（未包含第三代半導(dǎo)體材料）  來源：Omdia

綜上表可知，在2020-2024的5年中，MOSFET器件市場在汽車電子、工業(yè)電子、醫(yī)療、新能源、交通運(yùn)輸?shù)认嚓P(guān)項(xiàng)目上，均有不同程度的增長，尤其是新能源領(lǐng)域。而其他領(lǐng)域反而會相應(yīng)減少。也就是說，結(jié)構(gòu)化來看，下游應(yīng)用市場并不是一成不變，而是在經(jīng)歷著不同程度的洗牌，MOSFET的市場份額在潛移默化中發(fā)生變化。

對于東微半導(dǎo)體來說，其專注的幾個(gè)方向，新能源汽車充電樁、通信電源、大功率照明、顯示器電源以及光伏逆變器等，綜合來講在持續(xù)增長。在這些領(lǐng)域中，高壓超級結(jié)MOSFET作為高性能功率器件的代表產(chǎn)品之一，受益于此類高端終端應(yīng)用領(lǐng)域的穩(wěn)定增長。同時(shí)，由于地緣政治環(huán)境的影響，功率器件作為核心零部件，國產(chǎn)化趨勢不斷，甚至有加速之勢。

綜上所述，在市場空間這一塊，光超級結(jié)MOSFET和中低壓MOSFET兩塊，在中國每年就有近25億美元的市場份額，對于目前年度營收7.82億元人民幣的東微半導(dǎo)體的體量而言，還不到“擔(dān)憂蛋糕不夠大”的時(shí)候，更何況還有IGBT業(yè)務(wù)的市場空間。

東微半導(dǎo)體的股東之中，不乏哈勃投資、中芯聚源等知名產(chǎn)業(yè)資本的加持，也在一定程度上體現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頭部專業(yè)人士對其未來發(fā)展的信心。據(jù)悉，華為哈勃投資早在2019年中就與公司實(shí)際控制人就潛在投資意向進(jìn)行了溝通，隨后迅速開展了全方面的盡職調(diào)查及相應(yīng)評估，并于2019年11月確定了最終估值為10.8億元。后因疫情爆發(fā)有所耽誤，但最終于2020年7月完成交割。

結(jié)語

目前的東微半導(dǎo)體，作為一家Fabless芯片設(shè)計(jì)廠商，加上目前的營收規(guī)模在芯片廠商中并不算大，其無論是對于上游原材料，還是對于晶圓廠，議價(jià)能力并不強(qiáng)。同時(shí)，面對國內(nèi)外眾多要比自身龐大許多倍的競爭對手，前前后后這些環(huán)節(jié)也沒有太多優(yōu)勢可言，更多的還是只能依靠自身的技術(shù)實(shí)力，研究能力，打鐵還需自身硬。

同時(shí)，在自身體量還不算大的同時(shí)，盡可能去多占據(jù)一些市場份額，適當(dāng)犧牲部分利潤也并非不可取，后期可以通過自身的技術(shù)優(yōu)勢將對手擋在競爭壁壘之外。

對于一家上市公司而言，股價(jià)的漲跌代表著市值的增值與縮水，固然重要。短期博弈引起的波動(dòng)也會引來一定的目光與聚焦，但最終支撐股價(jià)的，一定還是自身的盈利能力，以及未來的盈利能力。東微半導(dǎo)體上市之后的持續(xù)性上漲，到底是什么原因，還有待未來公司交出的業(yè)績報(bào)告來回答、印證。