轉(zhuǎn)向8英寸，寬禁帶半導(dǎo)體成本要降？

近日，多家半導(dǎo)體頭部企業(yè)加速布局8英寸寬禁帶半導(dǎo)體制造。5月9日，有消息稱，聯(lián)電加速布局8英寸晶圓寬禁帶半導(dǎo)體制造，近期正大舉購置新機(jī)臺(tái)擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)下半年進(jìn)駐廠區(qū)。5月9日，半導(dǎo)體材料企業(yè)Soitec半導(dǎo)體公司發(fā)布了首款8英寸碳化硅SmartSiC晶圓。4月25日，科銳旗下功率與射頻部門Wolfspeed正式啟用全球最大8英寸碳化硅晶圓廠。寬禁帶半導(dǎo)體晶圓尺寸由6英寸向8英寸升級(jí)成為行業(yè)趨勢。分析師稱，這將有利于寬禁帶半導(dǎo)體降低成本。

寬禁帶半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的熱門領(lǐng)域?，F(xiàn)階段，寬禁帶半導(dǎo)體制造仍以6英寸為主。6英寸寬禁帶半導(dǎo)體制造產(chǎn)線成本相對(duì)較低，當(dāng)前行業(yè)內(nèi)多以IDM方式布局，代表企業(yè)有科銳、意法半導(dǎo)體、英飛凌、羅姆等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國際大企業(yè)。

而近期對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體從6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型表現(xiàn)出關(guān)注的企業(yè)，既包括以意法半導(dǎo)體為代表的國際老牌功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)，又包括以英諾賽科為代表的專精于寬禁帶半導(dǎo)體的國內(nèi)新興勢力，還有以聯(lián)電為代表的國際晶圓制造龍頭企業(yè)。整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體晶圓向8英寸轉(zhuǎn)型的關(guān)注，將極大地加快產(chǎn)業(yè)升級(jí)進(jìn)程。若產(chǎn)業(yè)鏈成功完成由6英寸向8英寸的升級(jí)，則寬禁帶半導(dǎo)體的產(chǎn)能將大大提升。

業(yè)內(nèi)分析師表示，近期產(chǎn)業(yè)鏈在寬禁帶晶圓片向8英寸轉(zhuǎn)型做出的一系列舉動(dòng)，將給寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來兩方面影響。

一方面，晶圓代工廠入局將推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)格局變遷。

賽迪顧問集成電路產(chǎn)業(yè)研究中心總經(jīng)理滕冉在接受《中國電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示，寬禁帶半導(dǎo)體仍以IDM模式為主，科銳、意法半導(dǎo)體、英飛凌等為主要參與企業(yè)?，F(xiàn)階段，寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的代工企業(yè)較少。以硅基氮化鎵為例，全球前5大晶圓代工廠中僅有臺(tái)積電在該領(lǐng)域布局。近期聯(lián)電加碼，意味著寬禁帶半導(dǎo)體也逐漸成為晶圓代工企業(yè)拓展布局的焦點(diǎn)。

另一方面，8英寸晶圓制造規(guī)模擴(kuò)大，將有利于助推寬禁帶半導(dǎo)體晶圓成本降低。

氮化鎵與碳化硅是當(dāng)前行業(yè)內(nèi)應(yīng)用最廣的兩種寬禁帶半導(dǎo)體材料。其中，氮化鎵以其高頻率材料特點(diǎn)主要應(yīng)用于消費(fèi)電子快充產(chǎn)品，以及5G基站、新能源充電樁等對(duì)材料頻率有較高需求的產(chǎn)品。碳化硅以其高功率材料特點(diǎn)成為新能源汽車、軌道交通、光伏等應(yīng)用領(lǐng)域替代硅材料的關(guān)鍵材料。不論是氮化鎵、碳化硅，還是砷化鎵等其他寬禁帶半導(dǎo)體材料，其材料性能均獲得了業(yè)內(nèi)認(rèn)可。高材料價(jià)格是阻礙該材料行業(yè)應(yīng)用的重要原因。

近日，代工企業(yè)與IDM企業(yè)加碼8英寸制造，都將進(jìn)一步擴(kuò)大寬禁帶半導(dǎo)體制造規(guī)模。“晶圓制造規(guī)模提升，將會(huì)提高上游晶片、原材料、設(shè)備的需求量，從而實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)的成本降低。”創(chuàng)道投資咨詢總經(jīng)理步日欣在接受《中國電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示，“聯(lián)電擴(kuò)產(chǎn)8英寸寬禁帶半導(dǎo)體制造，意味著寬禁帶半導(dǎo)體正在向著大規(guī)模、低成本方向演進(jìn)。”

作者丨姬曉婷

編輯丨連曉東

美編丨馬利亞