深挖GaN潛力，中國(guó)企業(yè)別掉隊(duì)

氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。

除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對(duì)于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。

GaN產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是GaN芯片元器件的設(shè)計(jì)和制造。襯底的選擇對(duì)于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低GaN器件成本的突破口。

襯底

GaN單晶襯底以2-4英寸為主，4英寸已實(shí)現(xiàn)商用，6英寸樣本正開發(fā)。GaN單晶襯底的主要制備方法有氫化物氣相外延法（HVPE）、氨熱法和助熔劑法。

HVPE 方法生長(zhǎng)速率快，易得到大尺寸晶體，是目前商業(yè)上提供GaN單晶襯底的主要方法，其缺點(diǎn)是成本高、晶體位錯(cuò)密度高、曲率半徑小，且會(huì)造成環(huán)境污染。

氨熱法生長(zhǎng)技術(shù)結(jié)晶質(zhì)量高，可以在多個(gè)籽晶上生長(zhǎng)，易規(guī)?；a(chǎn)，可以顯著降低成本，缺點(diǎn)是生長(zhǎng)壓力較高，生長(zhǎng)速率低。

助熔劑法生長(zhǎng)條件相對(duì)溫和，對(duì)生長(zhǎng)裝備要求低，可以生長(zhǎng)出大尺寸的GaN單晶，缺點(diǎn)是易于自發(fā)成核形成多晶，難以生長(zhǎng)出較厚的GaN晶體。

利用各種生長(zhǎng)方法優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)解決單一生長(zhǎng)方法存在的問(wèn)題是解決GaN單晶晶體質(zhì)量、成本和規(guī)模量產(chǎn)的有效途徑。2021年，三菱化學(xué)宣布采用低壓酸性氨熱法（LPAAT）開發(fā)出4英寸GaN單晶襯底，且晶體缺陷僅為普通GaN襯底的1/00-1/1000。三菱化學(xué)于2022年推出4英寸GaN單晶襯底。

開發(fā)生長(zhǎng)尺寸更大、良率更高的GaN晶體制備方法將是GaN器件降本增效的關(guān)鍵，是能否在諸多下游應(yīng)用領(lǐng)域滲透放量的關(guān)鍵。

目前，GaN材料主要有兩種襯底技術(shù)，分別是GaN-on-Si（硅基氮化鎵）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化鎵）。另外，還有GaN-on-sapphire和GaN-on-GaN，不過(guò)這兩種襯底的應(yīng)用市場(chǎng)很有限。

GaN-on-SiC射頻器件可應(yīng)用于5G宏基站、衛(wèi)星通信、微波雷達(dá)、航空航天等軍事/民用領(lǐng)域；GaN-on-Si可制成功率器件，可在大功率快充充電器、新能源車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速滲透；GaN-on-sapphire和GaN-on-GaN可制成光電器件，GaN光電器件在MiniLED、MicroLED、傳統(tǒng)LED照明領(lǐng)域應(yīng)用優(yōu)勢(shì)突出。

在性能方面，GaN-on-SiC相對(duì)更好，但價(jià)格明顯高于GaN-on-Si。GaN-on-SiC結(jié)合了SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性，以及GaN的高功率密度、低損耗能力，與Si相比，SiC是一種非常“耗散”的襯底，此基板上的器件可以在高電壓和高漏極電流下運(yùn)行，結(jié)溫將隨射頻功率而緩慢升高，因此，其射頻性能更好，是射頻應(yīng)用的理想材料。在相同的耗散條件下，SiC器件的可靠性和使用壽命更好。另外，SiC具有高電阻特性：這非常有利于毫米波傳輸，這在設(shè)計(jì)帶有大型匹配電路的高頻MMIC時(shí)很有價(jià)值。但是，SiC襯底仍然限制在4英寸與6英寸晶圓，8英寸的還沒有推廣。

GaN-on-SiC和GaN-on-Si應(yīng)用的發(fā)展趨勢(shì)（來(lái)源：YOLE）

目前，業(yè)界多數(shù)商用RF GaN器件采用GaN-on-SiC襯底。

SiC獨(dú)特的電子和熱性能使其非常適合高功率和高頻半導(dǎo)體器件,其性能遠(yuǎn)超過(guò)Si或GaAs。GaN-on-SiC技術(shù)的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)包括降低開關(guān)損耗、更高的功率密度、更好的散熱和更高的帶寬容量。在系統(tǒng)層面，可以實(shí)現(xiàn)高度緊湊的解決方案，大大提高功率效率，降低成本。

與GaN-on-SiC相比，GaN-on-Si最大的優(yōu)勢(shì)就是襯底成本低，此外，GaN-on-Si生長(zhǎng)速度較快，也較容易擴(kuò)展到8英寸晶圓。雖然GaN-on-Si性能略遜于GaN-on-SiC，但目前工藝水平制造的器件已能達(dá)到 LDMOS 原始功率密度的5-8 倍，在高于2GHz的頻率工作時(shí)，成本與同等性能的LDMOS 相差不大。還有一點(diǎn)很重要，那就是GaN-on-Si是硅基技術(shù)，與CMOS工藝兼容性好，使GaN器件與CMOS工藝器件能很好地集成在一個(gè)芯片上，可以利用現(xiàn)有硅晶圓代工廠已有的規(guī)模生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)和快速上市。這使得GaN-on-Si成為市場(chǎng)的潛力股，未來(lái)有望大量導(dǎo)入5G基站用射頻PA。

從應(yīng)用發(fā)展角度來(lái)看，5G通信對(duì)射頻元器件的需求正在快速增加過(guò)程中，需要大批量、低成本的GaN射頻芯片，而這也給GaN-on-Si提供了發(fā)展契機(jī)。

目前來(lái)看，GaN-on-Si商用仍處于起步階段，但基于該材料制造的射頻PA憑借高帶寬和小尺寸吸引了智能手機(jī)OEM。隨著關(guān)鍵廠商的技術(shù)進(jìn)步，一些低于6GHz的5G手機(jī)很可能很快采用。

隨著晶圓代工廠的進(jìn)入，以及與新興GaN-on-Si功率電子器件產(chǎn)業(yè)的協(xié)同效應(yīng)正在加速其RF應(yīng)用發(fā)展。有統(tǒng)計(jì)顯示，在手持設(shè)備、國(guó)防和5G電信基礎(chǔ)設(shè)施的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)到2026年，GaN-on-Si器件市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到86%。

外延片

由于GaN的熔點(diǎn)很高，且飽和蒸汽壓較高，在自然界無(wú)法以單晶形式存在，必須采用外延法進(jìn)行制備。MOCVD（金屬有機(jī)物氣相沉積法），MBE（分子束外延法），HVPE（氫化物氣相外延法）等是比較傳統(tǒng)的 GaN外延片制備方法。

MOCVD工藝以三甲基鎵作為鎵源，氨氣（NH3）作為氮源，以藍(lán)寶石(Al2O3)作為襯底，并用氫氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w作為載氣，將反應(yīng)物載入反應(yīng)腔內(nèi)，加熱到一定溫度，使其發(fā)生反應(yīng)，在襯底表面上吸附、成核、生長(zhǎng)，最終形成一層GaN單晶薄膜。采用MOCVD法制備外延片的產(chǎn)量大，生長(zhǎng)周期短，適合用于大批量生產(chǎn)。

MBE法制備GaN與MOCVD法類似，主要區(qū)別在于鎵源的不同。MBE法的鎵源通常采用 Ga的分子束，用該方法可以在相對(duì)低的溫度下實(shí)現(xiàn)GaN的生長(zhǎng)，一般為700 ℃左右。但外延層較厚的膜反應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)，在生產(chǎn)中發(fā)揮的效率欠佳，因此，該方法尚不能用于大規(guī)模生產(chǎn)。

HVPE法與上述兩種方法的區(qū)別在于鎵源，通常以氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長(zhǎng)出GaN晶體。此方法生成的GaN晶體質(zhì)量較好，高溫下生長(zhǎng)速度快，但高溫反應(yīng)對(duì)設(shè)備、成本與技術(shù)要求都比較高。

產(chǎn)業(yè)格局

從GaN產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)來(lái)看，歐美日企業(yè)發(fā)展較早，技術(shù)積累、專利申請(qǐng)數(shù)量、規(guī)模制造能力等方面均處于絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。中國(guó)在自主替代大趨勢(shì)下，目前在產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均有所涉足，在政策支持下已在技術(shù)與生產(chǎn)方面取得一定進(jìn)步。

全球范圍內(nèi)，無(wú)論是上游的襯底和外延片，還是中下游的芯片設(shè)計(jì)、制造，GaN產(chǎn)業(yè)鏈大都被美日歐的龍頭企業(yè)把持著，如日本住友、羅姆，美國(guó)的Wolfspeed（Cree改名后的）、II-VI，德國(guó)英飛凌，韓國(guó)LG、三星等。

GaN-on-SiC襯底方面，Wolfspeed等傳統(tǒng)大廠都傾向于采用該方案，GaN-on-Si方面，目前來(lái)看，MACOM，Ommic等國(guó)際廠商在重點(diǎn)研發(fā)基站用GaN-on-Si射頻和功率芯片（包括Sub-6GHz和毫米波兩大頻段）。特別是MACOM，該公司是GaN-on-Si工藝的主要倡導(dǎo)者。

在射頻應(yīng)用方面，Wolfspeed擁有最強(qiáng)的實(shí)力，在射頻應(yīng)用的 GaN HEMT 專利競(jìng)爭(zhēng)中，尤其在GaN-on-SiC技術(shù)方面，該公司處于領(lǐng)先地位。英特爾和MACOM是最活躍的射頻GaN專利申請(qǐng)者，主要聚焦在GaN-on-Si技術(shù)領(lǐng)域。

意法半導(dǎo)體和MACOM聯(lián)合研制出了RF GaN-on-Si原型芯片。據(jù)悉，意法半導(dǎo)體制造的RF GaN-on-Si原型晶圓和相關(guān)器件已達(dá)到成本和性能目標(biāo)，完全能夠與市場(chǎng)上現(xiàn)有的LDMOS和 GaN-on-SiC技術(shù)展開有效競(jìng)爭(zhēng)?，F(xiàn)在，這些原型已經(jīng)進(jìn)入認(rèn)證測(cè)試和量產(chǎn)階段。該公司正在和MACOM研究如何加大投入力度，以加快RF GaN-on-Si產(chǎn)品上市。

今年3月，英飛凌以8.3億美元（57億人民幣）收購(gòu)了GaN Systems公司，并斥資20億歐元擴(kuò)充其位于馬來(lái)西亞居林和奧地利菲拉赫晶圓廠的GaN芯片產(chǎn)能。英飛凌功率和傳感器系統(tǒng)總裁懷特表示，英飛凌特別看好GaN，該公司預(yù)測(cè)，到2027年，GaN芯片市場(chǎng)將以每年56%的速度增長(zhǎng)。

在中國(guó)大陸地區(qū)，GaN產(chǎn)業(yè)還處于起步階段。本土IDM代表企業(yè)有三安光電、英諾賽科、士蘭微電子、蘇州能訊、江蘇能華、大連芯冠科技等，F(xiàn)abless企業(yè)主要有華為海思、安譜隆等，同時(shí)，海威華芯和三安集成可提供GaN芯片晶圓代工服務(wù)。

在襯底材料方面，天岳先進(jìn)、三安光電、天科合達(dá)、英諾賽科等中國(guó)本土企業(yè)在全球范圍內(nèi)的合計(jì)市占率比較低，在10%左右，三安光電，英諾賽科等廠商在重點(diǎn)研發(fā)基站用GaN-on-Si射頻和功率芯片（包括Sub-6GHz和毫米波兩大頻段）。外延片方面，代表企業(yè)包括蘇州晶湛、聚能晶源和聚燦光電。GaN射頻HEMT相關(guān)專利方面，中國(guó)的海威華芯、三安集成和華進(jìn)創(chuàng)威等開始涉足，爭(zhēng)取在國(guó)際大廠把持的GaN專利領(lǐng)域分得一杯羹。

作者：暢秋