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半導體存儲器

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用半導體集成電路工藝制成的存儲數據信息的固態(tài)電子器件。簡稱半導體存儲器。它由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構成。

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    NAND Flash：存儲陣列由存儲單元通過串聯(lián)方式連接而成，擦除以“頁”為單位，具有存儲容量大、寫入/擦除速度快等特點，廣泛應用于固態(tài)硬盤（SSD）、手機、平板、服務器、USB 驅動器和存儲卡等。NOR Flash：存儲陣列通過各存儲單元通過并聯(lián)方式連接，在按位快速隨機讀取數據的同時，允許系統(tǒng)直接從存儲單元中讀取代碼執(zhí)行，具有芯片內執(zhí)行、讀取速度快的特點，應用于可穿戴設備、移動終端等。
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    2022/11/15