離子注入

• 離子注入：硅基集成電路制造中的關(guān)鍵工藝之一
  

  在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造過程中，控制半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性至關(guān)重要。通過摻雜工藝向半導(dǎo)體中引入雜質(zhì)原子，能夠改變材料的導(dǎo)電性，形成如晶體管等基礎(chǔ)元件的關(guān)鍵區(qū)域。傳統(tǒng)的摻雜方法有擴(kuò)散法和離子注入法，而自20世紀(jì)70年代以來，離子注入技術(shù)因其高精度、可控性和工藝溫度相對較低，逐漸成為主流的雜質(zhì)摻雜方式。

  老虎說芯

  5498

  10/10 15:10

  離子注入
• 晶圓Fab廠離子注入工程師常見面試問題
  

  國內(nèi)某知名Fab工程師工作5年的李工分享了離子注入工藝崗位的面試問題：這些問題分成幾個(gè)主要類別：理論知識(shí)、工藝?yán)斫馀c優(yōu)化、設(shè)備操作與維護(hù)、故障排查與解決、項(xiàng)目管理與協(xié)作，以及前沿技術(shù)與趨勢。以下是按照這些類別整理的50個(gè)問題。

  老虎說芯

  1751

  08/15 10:40

  fabless 離子注入
• SiC離子注入設(shè)備的廠家有哪些？
  學(xué)員問：我想咨詢一下國內(nèi)做SiC離子注入設(shè)備的廠家有哪些？如下圖，目前下圖是國內(nèi)已知的稍大的離子注入設(shè)備供應(yīng)商，相對國外的AMAT,Axcelis相比，實(shí)力會(huì)差很多。主要體現(xiàn)在：

  TOM聊芯片智造

  2108

  08/05 10:45

  SiC 離子注入機(jī)
• 離子注入后不退火行不行？
  離子注入后都會(huì)退火，退火的作用是什么？不退火行不行？離子注入對硅片造成哪些影響？離子注入時(shí)，高能的雜質(zhì)離子加速撞擊硅片表面，將其動(dòng)能轉(zhuǎn)化為熱能和位移能，引起硅原子的遷移和重排，破壞了硅的晶格結(jié)構(gòu)，會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)、空位等缺陷。

  TOM聊芯片智造

  2838

  06/19 12:00

  硅片 離子注入
• 萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通：不走尋常路，全面發(fā)力集成電路核心裝備
  CMOS工藝的發(fā)展極大推動(dòng)了離子注入工藝的發(fā)展，也可以說離子注入工藝的不斷成熟進(jìn)一步改善了集成電路產(chǎn)品的質(zhì)量，尤其是CMOS產(chǎn)品的性能。

  趙元闖

  267

  2020/05/06

  電路 集成電路
• 國產(chǎn)裝備蓄勢待發(fā)
  2019年國產(chǎn)裝備在晶圓制造廠的招標(biāo)中高歌猛進(jìn)，北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體、中微半導(dǎo)體、華海清科的中標(biāo)數(shù)量上升，表示刻蝕、去膠、清洗、離子注入、薄膜沉積、CMP等關(guān)鍵裝備國產(chǎn)化全面提速……

  趙元闖

  173

  2020/01/30

  晶圓制造 離子注入
• 離子注入
  離子注入是一種使用高能量離子進(jìn)行材料表面改性技術(shù)。通過將離子束加速到較高速度，使其穿透固體表面并嵌入固體內(nèi)部，從而改變其物理結(jié)構(gòu)、化學(xué)組成和性能等方面。離子注入技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、涂層、生物醫(yī)學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域。

  eefocus_3781508

  5256

  2023/06/25

  離子注入

正在努力加載...