雪崩擊穿

• 功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
  

  選擇一個工作點(diǎn)而不是另一個工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括：選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn)，或者出于營銷或客戶目的以指示某些所需的能量水平。將一個器件的UIS能力與另一個器件進(jìn)行比較時(shí)，關(guān)鍵點(diǎn)是比較相同Tj(initial)溫度下的Ipk vs tav繪圖數(shù)據(jù)，而不是比較單個UIS額定值。

  安森美半導(dǎo)體

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  02/27 11:20

  功率MOSFET 雪崩擊穿
• 雪崩擊穿
  雪崩擊穿是指在電力系統(tǒng)中，由于過高的電壓和電流引起絕緣介質(zhì)擊穿而造成設(shè)備損壞或事故。

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  2021/04/19

  雪崩擊穿
• 雪崩擊穿和齊納擊穿的區(qū)別有哪些
  在半導(dǎo)體器件和電子元件中，雪崩擊穿和齊納擊穿是兩種重要的擊穿現(xiàn)象，但在機(jī)理、特性和應(yīng)用方面存在一些顯著區(qū)別。

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  1.7萬

  06/27 14:55

  雪崩擊穿 齊納擊穿
• 熱擊穿和電擊穿的區(qū)別 雪崩擊穿和齊納擊穿區(qū)別
  在電工學(xué)中，擊穿是指介質(zhì)中電場強(qiáng)度超過一定閾值時(shí)，電荷會形成導(dǎo)電通道而導(dǎo)致電流急劇增加的現(xiàn)象。根據(jù)不同的擊穿方式和機(jī)理，擊穿可以分為熱擊穿、電擊穿、雪崩擊穿和齊納擊穿等不同類型。本文將從熱擊穿和電擊穿的區(qū)別，以及雪崩擊穿和齊納擊穿的區(qū)別兩個方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。

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  1.1萬

  2023/06/24

  電擊穿 雪崩擊穿
• 雪崩擊穿和齊納擊穿區(qū)別 雪崩擊穿和齊納擊穿的特點(diǎn)
  雪崩擊穿和齊納擊穿是介電材料中常見的兩種電擊穿方式。其中，雪崩擊穿和齊納擊穿的區(qū)別和特點(diǎn)如下：

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  1.1萬

  2021/04/20

  雪崩擊穿 齊納擊穿
• 雪崩擊穿可逆嗎 齊納擊穿可逆嗎
  雪崩擊穿效應(yīng)和齊納擊穿效應(yīng)都是指電子在高電場下穿透絕緣層，導(dǎo)致絕緣層失效的現(xiàn)象。這兩種現(xiàn)象是否可逆？以下是詳細(xì)解釋：

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  2021/04/20

  雪崩擊穿 齊納擊穿

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