EEPROM

• X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案
  

  全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2

  與非網(wǎng)編輯

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  12/05 08:53

  EEPROM X-FAB
• 存儲(chǔ)原理、分類、競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)空間分析
  

  前述文章我們對(duì)國內(nèi)6家存儲(chǔ)企業(yè)的情況進(jìn)行了對(duì)比分析，對(duì)國內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在有了一定的了解。但是國內(nèi)企業(yè)發(fā)展晚，營收和利潤相對(duì)國際大廠來看還比較弱??；成熟制程占比多，先進(jìn)制程占比少；產(chǎn)品也存在很大的代差，先進(jìn)HBM3和LDDR5面臨較大挑戰(zhàn)。因當(dāng)前面臨各種限制，光刻機(jī)方向還未突破先進(jìn)制程，國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品選擇方向上比較偏傳統(tǒng)，且多是海外大廠逐步退出的小眾市場(chǎng)。但是從全球和國內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)空間來看，行業(yè)空間比較廣闊

  王兵

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  12/03 11:25

  與非研究院 存儲(chǔ)
• EEPROM與Flash存儲(chǔ)器的區(qū)別
  區(qū)別 EEPROM Flash 存儲(chǔ)器 擦除方式 一種可擦除且可編程的存儲(chǔ)器，擦除時(shí)以字節(jié)為單位進(jìn)行操作，可以通過電子方式擦除 以扇區(qū)或塊為單位進(jìn)行擦除，擦寫速度較快，但擦除范圍較大 擦寫速度 EEPROM相對(duì)于Flash而言擦寫速度較慢，因?yàn)樗试S單獨(dú)擦除每個(gè)字節(jié)，這導(dǎo)致擦寫時(shí)間較長 Flash存儲(chǔ)器擦寫速度通常較快，但由于需要按塊擦除，可能會(huì)引入額外的延遲 壽命 由于EEPROM只需擦寫特定位

  eefocus_3901714

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  12/18 16:26

  存儲(chǔ)器 EEPROM

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