加入星計(jì)劃，您可以享受以下權(quán)益：

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入

EEPROM

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。收起

查看更多
  • X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案
    X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案
    全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2
  • 存儲(chǔ)原理、分類、競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)空間分析
    存儲(chǔ)原理、分類、競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)空間分析
    前述文章我們對(duì)國(guó)內(nèi)6家存儲(chǔ)企業(yè)的情況進(jìn)行了對(duì)比分析，對(duì)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在有了一定的了解。但是國(guó)內(nèi)企業(yè)發(fā)展晚，營(yíng)收和利潤(rùn)相對(duì)國(guó)際大廠來看還比較弱??；成熟制程占比多，先進(jìn)制程占比少；產(chǎn)品也存在很大的代差，先進(jìn)HBM3和LDDR5面臨較大挑戰(zhàn)。因當(dāng)前面臨各種限制，光刻機(jī)方向還未突破先進(jìn)制程，國(guó)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品選擇方向上比較偏傳統(tǒng)，且多是海外大廠逐步退出的小眾市場(chǎng)。但是從全球和國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)空間來看，行業(yè)空間比較廣闊
  • 中國(guó)本土6家存儲(chǔ)芯片企業(yè)對(duì)比分析
    中國(guó)本土6家存儲(chǔ)芯片企業(yè)對(duì)比分析
    一、存儲(chǔ)行業(yè)背景 根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上一輪周期頂點(diǎn)出現(xiàn)在2021年，在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模中占比接近28%（1500億美元）。2022-2023年，受產(chǎn)業(yè)周期下行影響，市場(chǎng)規(guī)模出現(xiàn)萎縮。2022年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約為1300億美元，占整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的23%。2023年存儲(chǔ)市場(chǎng)同比下滑35.2% 至 840 億美元。預(yù)計(jì)2024年將重回1300億美元的市場(chǎng)規(guī)模，存儲(chǔ)芯片占據(jù)整個(gè)半導(dǎo)體市
  • 意法半導(dǎo)體推出Page EEPROM二合一存儲(chǔ)器提升智能邊緣設(shè)備的性能和能效
    意法半導(dǎo)體推出Page EEPROM二合一存儲(chǔ)器提升智能邊緣設(shè)備的性能和能效
    新存儲(chǔ)器兼?zhèn)浯虚W存的讀取速度與EEPROM的字節(jié)級(jí)寫操作靈活性，實(shí)現(xiàn)真正的兩全其美 意法半導(dǎo)體的 Page EEPROM兼?zhèn)銭EPROM存儲(chǔ)技術(shù)的能效和耐用性與閃存的存儲(chǔ)容量和讀寫速度，為面臨極端尺寸和功率限制的應(yīng)用場(chǎng)景提供了一個(gè)混合存儲(chǔ)器。 嵌入式系統(tǒng)需要支持日益復(fù)雜的先進(jìn)功能，運(yùn)行數(shù)據(jù)密集型的邊緣 AI 算法，意法半導(dǎo)體的新存儲(chǔ)器可以滿足嵌入式應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量的日益增長(zhǎng)的需求。例如，在耳背式助
  • RAM、ROM、EEPROM和Flash都是些啥？今天終于搞清楚了！
    RAM、ROM、EEPROM和Flash都是些啥？今天終于搞清楚了！
    說到存儲(chǔ)器，大家都能談?wù)搸拙洌矁H此而已。RAM、ROM、EEPROM和Flash......都是存儲(chǔ)器的一種，但你知道它們有何區(qū)別？有何特點(diǎn)？分別用在哪種場(chǎng)合？恐怕沒幾個(gè)人能講清楚。
  • 虹科技術(shù) | PCAN系列網(wǎng)關(guān)內(nèi)部存儲(chǔ)空間解析：EEPROM與Flash的集成應(yīng)用
    虹科技術(shù) | PCAN系列網(wǎng)關(guān)內(nèi)部存儲(chǔ)空間解析：EEPROM與Flash的集成應(yīng)用
    網(wǎng)關(guān)設(shè)備是確保數(shù)據(jù)流暢通信的關(guān)鍵。虹科PCAN系列網(wǎng)關(guān)憑借卓越性能和創(chuàng)新技術(shù)，為眾多應(yīng)用提供了高效穩(wěn)定的解決方案。本文將深入探討虹科PCAN系列網(wǎng)關(guān)內(nèi)部存儲(chǔ)空間，特別是EEPROM和SPI Flash的配置與利用，并解析如何通過C編程實(shí)現(xiàn)快速實(shí)時(shí)的信號(hào)存讀。通過虹科PCAN-Router FD的實(shí)例，我們將展示這些存儲(chǔ)空間如何助力網(wǎng)關(guān)設(shè)備在復(fù)雜環(huán)境中保持卓越性能。
  • EEPROM與Flash存儲(chǔ)器的區(qū)別
    區(qū)別 EEPROM Flash 存儲(chǔ)器 擦除方式 一種可擦除且可編程的存儲(chǔ)器，擦除時(shí)以字節(jié)為單位進(jìn)行操作，可以通過電子方式擦除 以扇區(qū)或塊為單位進(jìn)行擦除，擦寫速度較快，但擦除范圍較大 擦寫速度 EEPROM相對(duì)于Flash而言擦寫速度較慢，因?yàn)樗试S單獨(dú)擦除每個(gè)字節(jié)，這導(dǎo)致擦寫時(shí)間較長(zhǎng) Flash存儲(chǔ)器擦寫速度通常較快，但由于需要按塊擦除，可能會(huì)引入額外的延遲 壽命 由于EEPROM只需擦寫特定位

正在努力加載...