中國(guó)本土6家存儲(chǔ)芯片企業(yè)對(duì)比分析

一、存儲(chǔ)行業(yè)背景

根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上一輪周期頂點(diǎn)出現(xiàn)在2021年，在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模中占比接近28%（1500億美元）。2022-2023年，受產(chǎn)業(yè)周期下行影響，市場(chǎng)規(guī)模出現(xiàn)萎縮。2022年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約為1300億美元，占整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的23%。2023年存儲(chǔ)市場(chǎng)同比下滑35.2% 至 840 億美元。預(yù)計(jì)2024年將重回1300億美元的市場(chǎng)規(guī)模，存儲(chǔ)芯片占據(jù)整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的22%。

2022年中國(guó)進(jìn)口的芯片金額超過4000億美元，2023年因行業(yè)下行，進(jìn)口金額降低至3500億美元。2024年，芯片產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇，機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)中國(guó)進(jìn)口的芯片金額依然會(huì)超過4000億美元。而存儲(chǔ)芯片（主要是NAND Flash、DRAM內(nèi)存）占到進(jìn)口額的三分之一左右。據(jù)統(tǒng)計(jì)，國(guó)內(nèi)96%以上存儲(chǔ)芯片不得不依賴進(jìn)口，雖然是存儲(chǔ)最大的應(yīng)用市場(chǎng)，但是能分到的蛋糕明顯偏少。

在眾多存儲(chǔ)器芯片中，市場(chǎng)規(guī)模最大的是 DRAM 和 NAND Flash。根據(jù) IC Insights 預(yù)測(cè)，2021 年全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模約占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的 56%（約 869 億美元），NAND Flash 市場(chǎng)規(guī)模約占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的 41%（約 636 億美元）， NOR Flash 市場(chǎng)規(guī)模約占整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)的 2%（約 31 億美元），其他存儲(chǔ)芯片 （EEPROM、EPROM、ROM、SRAM 等）合計(jì)占比為 1%（約 16 億美元）。

2017年美光縮減了NOR Flash業(yè)務(wù)，把產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DRAM和NAND Flash 存儲(chǔ)器等產(chǎn)品上。同年，賽普拉斯退出了中小容量的NOR Flash市場(chǎng)，專注高毛利大容量的車用和工業(yè)控制領(lǐng)域。國(guó)內(nèi)企業(yè)雖然面臨技術(shù)限制的各種不利局面，但及時(shí)抓住了中小容量NOR Flash市場(chǎng)機(jī)遇，在技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)規(guī)模和市場(chǎng)影響力等方面都取得了顯著進(jìn)展。

以兆易創(chuàng)新、復(fù)旦微電、東芯股份和恒爍股份為代表的本土企業(yè)，不斷突破中低端容量的NOR Flash技術(shù)壁壘，在NAND和利基型DRAM也有所突破。以聚辰股份和普冉股份為代表的企業(yè)，在EEPROM方向也取得了一定的市占率。今天，我們就來對(duì)中國(guó)本土的6家存儲(chǔ)設(shè)計(jì)企業(yè)進(jìn)行比較分析，以便大家共同應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)面對(duì)的不利局面。

二、存儲(chǔ)器分類

2.1、大類

存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的設(shè)備，存儲(chǔ)器分類：主要分為RAM和ROM。RAM叫做隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（Random Access Memory），主要包括了SRAM和DRAM；ROM叫做只讀存儲(chǔ)器(Read Only Memory)，主要包括了Flash、EPROM和EEPROM等。

圖|存儲(chǔ)芯片分類

來源：聚辰股份招股書

2.2、RAM

RAM存儲(chǔ)器特點(diǎn)是可以從任意一個(gè)地址寫入或者讀出數(shù)據(jù)，但掉電數(shù)據(jù)易丟失。SRAM（SaticRAM）靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器通常用于計(jì)算機(jī)的高速緩存，速度快。DRAM（Dynamic RAM）動(dòng)態(tài)訪問存儲(chǔ)器通常用于計(jì)算機(jī)的內(nèi)存，例如DDR。

2.3、ROM

ROM存儲(chǔ)器特點(diǎn)是CPU只能讀取存儲(chǔ)在ROM中的數(shù)據(jù)或指令，無法對(duì)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)做修改，更無法寫入新的數(shù)據(jù)，但是掉電數(shù)據(jù)不易丟失。ROM經(jīng)歷了PROM->EPROM->EEPROM的發(fā)展階段，從一次性可編程，到可編程可擦除，再到帶電可編程可擦除，性能越來越強(qiáng)大。Flash閃存是一種高級(jí)版的EEPROM。

Flash

Flash 包括 NAND Flash 和 NOR Flash 兩大類。

NAND Flash 適宜大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)（通常在 1Gb～1Tb），常用于服務(wù)器、手機(jī)閃存、U 盤、SSD 及 SD 卡等大容量產(chǎn)品。

NOR Flash 具備讀取速度快、隨機(jī)存儲(chǔ)和芯片內(nèi)執(zhí)行等特點(diǎn)，適宜中等容量代碼存儲(chǔ)（通常在 1Mb～1Gb），應(yīng)用領(lǐng)域較廣，如計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子 （智能手機(jī)、TV、TWS 耳機(jī)、穿戴式設(shè)備）、安防設(shè)備、汽車電子（ADAS、 車窗控制、儀表盤）、5G 基站、工業(yè)控制（智能電表、機(jī)械控制）及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域。

EEPROM

EEPROM 具有數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)、擦寫次數(shù)多（可頻繁改寫，使用壽命長(zhǎng)） 等特點(diǎn)，適宜低容量存儲(chǔ)（通常在 1Kb～1Mb），主要用于存儲(chǔ)需經(jīng)常修改的數(shù)據(jù)，如手機(jī)攝像頭模組內(nèi)存儲(chǔ)鏡頭與圖像的矯正參數(shù)、藍(lán)牙模塊存儲(chǔ)控制參數(shù)、 內(nèi)存條溫度傳感器內(nèi)存儲(chǔ)溫度參數(shù)等。

NAND Flash、NOR Flash 和 EEPROM 在不同容量區(qū)間內(nèi)，各自具有明顯不同的成本優(yōu)勢(shì)。作為三種非易失性存儲(chǔ)器芯片，已經(jīng)形成了各自相對(duì)穩(wěn)定的應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)，三者將保持長(zhǎng)期共存、互相補(bǔ)充、各自發(fā)展的態(tài)勢(shì)。

2.4、供需

2024 年上半年，隨著整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的周期性復(fù)蘇，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的供需關(guān)系也逐步恢復(fù)。 海外存儲(chǔ)大廠經(jīng)歷了 2023 年嚴(yán)重的經(jīng)營(yíng)虧損和庫存過剩之后，堅(jiān)定地采取“調(diào)整產(chǎn)能、 控制供應(yīng)、強(qiáng)勢(shì)提價(jià)”等手段，動(dòng)態(tài)平衡了市場(chǎng)供應(yīng)，提升了存儲(chǔ)價(jià)格。隨著 AI 大模型等技術(shù)發(fā)展對(duì)高帶寬、大容量存儲(chǔ)芯片的需求不斷增長(zhǎng)，推動(dòng)了市場(chǎng)的供需平衡回歸，2024 年上半年，受益于存儲(chǔ)價(jià)格的回升，以及 HBM、DDR5 等產(chǎn)品的出貨增長(zhǎng)，存儲(chǔ)大廠收入同比取得較大增長(zhǎng)，并成功扭虧為盈。

圖|存儲(chǔ)需求活躍度指數(shù)

來源：Supplyframe四方維商品動(dòng)態(tài)商情

根據(jù)Supplyframe四方維商品動(dòng)態(tài)商情（欲知詳情，可點(diǎn)擊?咨詢）發(fā)布的存儲(chǔ)需求活躍度指數(shù)可以看出，2022.11-2022.12開始需求活躍度大幅下降，2022.12-2023.3月短暫回升上，2023.4-2023.12月需求活躍度持續(xù)下滑，跌破基數(shù)100，2024.1和3月份需求活躍度有所反彈，2024.4月后又震蕩走低。2024年存儲(chǔ)整體需求活躍度較2023年下滑-35.73%。

三、行業(yè)公司介紹

3.1、兆易創(chuàng)新

兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司是全球領(lǐng)先的Fabless芯片供應(yīng)商，公司成立于2005年4月，2016年上市，總部設(shè)于北京。公司現(xiàn)有產(chǎn)品主要分為存儲(chǔ)器產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品以及傳感器產(chǎn)品。

圖|兆易創(chuàng)新主要產(chǎn)品

來源：公司公告

在存儲(chǔ)器產(chǎn)品領(lǐng)域，公司是全球排名第一的無晶圓廠Flash 供應(yīng)商。

（1）在 NOR Flash 產(chǎn)品，據(jù) Web-Feet Research 報(bào)告顯示，公司 2023 年 Serial NOR Flash 市占率排名進(jìn)一步提升至全球第二位。

（2）在 SLC Nand Flash 產(chǎn)品，供應(yīng)商主要為海外廠商，鎧俠、華邦電子、旺宏電子占據(jù)了較高的市場(chǎng)份額。

（3）在 DRAM 產(chǎn)品，公司積極切入 DRAM 存儲(chǔ)器利基市場(chǎng)（消費(fèi)、工控等），并已推出 DDR4、DDR3L 等產(chǎn)品，在消費(fèi)電子（包括機(jī)頂盒、電視、智能家居等）、工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域取得較好的營(yíng)收，并持續(xù)推進(jìn)規(guī)劃中的其他自研產(chǎn)品。

3.2、復(fù)旦微電

上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司是國(guó)內(nèi)從事超大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)（測(cè)試）和提供系統(tǒng)解決方案的專業(yè)公司。公司于1998年7月創(chuàng)辦，并于2000年在香港上市，2014年轉(zhuǎn)香港主板。2021年登陸上交所科創(chuàng)板，形成“A+H”資本格局。

復(fù)旦微電子集團(tuán)現(xiàn)已建立健全安全與識(shí)別芯片、非揮發(fā)存儲(chǔ)器、智能電表芯片、FPGA芯片和集成電路測(cè)試服務(wù)等產(chǎn)品線。

非揮發(fā)存儲(chǔ)器。

產(chǎn)品涵蓋電可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）、閃存（NOR/NAND）FLASH非揮發(fā)存儲(chǔ)器系列，EEPROM市場(chǎng)份額居國(guó)內(nèi)第一，高可靠特性FLASH存儲(chǔ)器獨(dú)具特色，月出貨量超億片。存儲(chǔ)系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于手機(jī)模組、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)類電子、工控儀表、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。

現(xiàn)主推四大產(chǎn)品線：?EEPROM （容量1kbit-1024kbit）；SPI NOR Flash （容量0.5Mbit-256Mbit）；NAND Flash （容量0.5Gbit-8Gbit）；ASNVM （VCM Driver EEPROM / NNVM）。

圖|復(fù)旦微電主要產(chǎn)品

來源：公司公告

經(jīng)過 2023 年的調(diào)整，由于終端及渠道庫存消化，存儲(chǔ)產(chǎn)品逐步回暖。公司存儲(chǔ)產(chǎn)品線受益 于行業(yè)變化，銷量有較大增長(zhǎng)，消費(fèi)及工業(yè)級(jí) SPI NAND、NOR 產(chǎn)品線價(jià)格止跌回升。在工業(yè)儀器 儀表領(lǐng)域，公司的 EEPROM 產(chǎn)品市占率正在穩(wěn)步提升。在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品方面，公司高度關(guān)注網(wǎng)通、 安防、可穿戴領(lǐng)域的客戶需求，以期進(jìn)一步擴(kuò)大銷售。公司存儲(chǔ)產(chǎn)品中的高可靠產(chǎn)品銷售基本穩(wěn) 定，是該產(chǎn)品線重要的基礎(chǔ)。

存儲(chǔ)產(chǎn)品線在 SONOS EE、1.8V ETOX、28nm NAND 平臺(tái)的產(chǎn)品系列化取得關(guān)鍵進(jìn)展及顯著成 果。持續(xù)加強(qiáng)與主芯片廠商的合作，完成 NOR/NAND 系列新品的平臺(tái)認(rèn)證，在多個(gè)客戶的 WiFi6、4GLTE 項(xiàng)目上取得突破。

3.3、聚辰股份

聚辰半導(dǎo)體股份有限公司于2009年成立，總部位于上海張江，2019年12月在科創(chuàng)板成功上市。公司目前擁有非易失性存儲(chǔ)芯片（EEPROM & NOR Flash）、音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片和智能卡芯片等主要產(chǎn)品線，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、內(nèi)存模組、汽車電子、液晶面板、工業(yè)控制、通訊、藍(lán)牙模塊、白色家電、醫(yī)療儀器等眾多領(lǐng)域。

傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域EEPROM

聚辰的EEPROM產(chǎn)品具有高可靠性、寬電壓、高兼容性、低功耗等特點(diǎn)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、液晶面板、藍(lán)牙模塊、通訊、計(jì)算機(jī)及周邊、醫(yī)療儀器、白色家電、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域，使用公司產(chǎn)品的終端用戶主要包括三星、小米、vivo、OPPO、聯(lián)想、TCL、LG、佳能、松下、友達(dá)、群創(chuàng)、京東方、海信、海爾、偉易達(dá)等國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)。

公司EEPROM產(chǎn)品線包括I2C、SPI和Microwire等標(biāo)準(zhǔn)接口的系列EEPROM產(chǎn)品，以及主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)和服務(wù)器內(nèi)存條的SPD/SPD+TS（溫度傳感器）系列EEPROM產(chǎn)品。

車規(guī)級(jí)EEPROM

作為國(guó)內(nèi)EEPROM龍頭企業(yè)，聚辰半導(dǎo)體現(xiàn)已擁有A1（AECQ-100 Grade 1，-40°C~125°C)及以下等級(jí)的全系列汽車級(jí) EEPROM 產(chǎn)品。新產(chǎn)品SPI NOR Flash也按照車規(guī)等級(jí)125℃設(shè)計(jì)。

產(chǎn)品主要應(yīng)用于車載攝像頭、液晶顯示、娛樂系統(tǒng)等外圍部件，并逐漸延伸到新能源車三電系統(tǒng)、車身控制、底盤傳動(dòng)及微電機(jī)、智能座艙等核心部件。

經(jīng)過十年技術(shù)積累和市場(chǎng)推廣，聚辰已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外眾多Tier1&Tier2廠商的供應(yīng)商，終端客戶包含比亞迪、特斯拉、保時(shí)捷、現(xiàn)代、豐田、大眾、馬自達(dá)、吉利等國(guó)內(nèi)外一線汽車品牌。

工業(yè)級(jí)NOR Flash、車規(guī)級(jí)NOR Flash

聚辰半導(dǎo)體以其領(lǐng)先的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)，推出SPI NOR Flash產(chǎn)品，可以覆蓋從消費(fèi)級(jí)，到工業(yè)級(jí)，直至汽車級(jí)的所有應(yīng)用，產(chǎn)品在可靠性，功耗，溫度和速度等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達(dá)到國(guó)內(nèi)外前沿水準(zhǔn)。

3.4、普冉股份

普冉股份成立于2016年，總部位于上海張江高科。2021年8月，公司在科創(chuàng)板上市。

公司目前主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大非易失性存儲(chǔ)器芯片、微控制器芯片及模擬產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、智能手機(jī)及周邊、可穿戴、服務(wù)器、光模塊、工業(yè)控制、汽車電子、安防等領(lǐng)域。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于三星、OPPO、vivo、小米、聯(lián)想、惠普、亞馬遜、美的、海內(nèi)外汽車客戶等品牌廠商。

NOR Flash

公司 NOR Flash 產(chǎn)品采用電荷俘獲（SONOS）及浮柵（ETOX）工藝結(jié)構(gòu)，提供了 512Kbit 到1Gbit 容量的系列產(chǎn)品，覆蓋 1.1V-3.6V 的操作電壓區(qū)間，公司 NOR Flash 產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域集中在藍(lán)牙、IOT、BLE、AMOLED、工業(yè)控制等相關(guān)市場(chǎng)。

目前 NOR Flash 行業(yè)主流工藝制程為 55nm，公司 40nm SONOS 工藝制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列產(chǎn)品均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，處于行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先技術(shù)水平。

公司推出的超低電壓超低功耗新一代 SPI NOR Flash 系列新產(chǎn)品，支持 1.1V 電源系統(tǒng)，同時(shí)具備寬電壓范圍，可涵蓋 1.2V 和 1.8V 系統(tǒng)，該產(chǎn)品系列計(jì)劃覆蓋 4Mbit-128Mbit 的 容量區(qū)間，應(yīng)用于基于嵌入式 SoC、手持移動(dòng)應(yīng)用、多媒體信息處理等場(chǎng)景中。

圖|普冉股份NOR Flash產(chǎn)品

來源：公司公告

EEPROM

公司已形成覆蓋 2Kbit 到 4Mbit 容量的 EEPROM 產(chǎn)品系列，操作電壓覆蓋 1.2V-5.5V，主要 采用 130nm 工藝制程，具有高可靠性、面積小、性價(jià)比高等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了分區(qū)域保護(hù)、地址 編程等功能，可對(duì)芯片中存儲(chǔ)的參數(shù)數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)，避免數(shù)據(jù)丟失和篡改，可擦寫次數(shù)可達(dá)到 400 萬次，數(shù)據(jù)保持時(shí)間可達(dá) 200 年。

公司部分中大容量產(chǎn)品采用 95nm 及以下工藝制程下并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，公司 EEPROM 產(chǎn)品 P24C 系列滿足 1000 萬次擦寫壽命，100 年數(shù)據(jù)保存的高可靠性要求。

公司持續(xù)推進(jìn) EEPROM 產(chǎn)品在工業(yè)控制和車載領(lǐng)域的應(yīng)用，工業(yè)控制上應(yīng)用占比顯著提升， 對(duì)穩(wěn)定公司毛利率起到一定作用；同時(shí)，公司車載產(chǎn)品完成 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的全面考核，在車身攝像頭、車載中控、娛樂系統(tǒng)等應(yīng)用上實(shí)現(xiàn)了海內(nèi)外客戶的批量交付，汽車電子產(chǎn)品營(yíng)收占比有所提升；同時(shí)公司持續(xù)推進(jìn) EEPROM 產(chǎn)品全系列的車規(guī)認(rèn)證。

公司超大容量 EEPROM 系列產(chǎn)品，支持 SPI/I2C 接口和最大 4Mbit 容量，其中 2Mbit 產(chǎn)品批 量用于高速寬帶通信和數(shù)據(jù)中心。

與此同時(shí)，公司推出的超低電壓1.2V系列EEPROM已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨，涵蓋32Kbit至512Kbit， 是目前行業(yè)內(nèi)工藝節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先和容量覆蓋面較為完備的超低電壓產(chǎn)品線。

圖|普冉股份EEPROM產(chǎn)品

來源：公司公告

3.5、東芯股份

東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年，2021年科創(chuàng)板上市，總部位于上海。作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導(dǎo)體聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售，是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。

（1）NAND Flash

公司聚焦平面型 SLC NAND Flash 的設(shè)計(jì)與研發(fā)，主要產(chǎn)品采用浮柵型工藝結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)容量覆蓋 512Mb 至 32Gb，可靈活選擇 SPI 或 PPI 類型接口，搭配 3.3V/1.8V 兩種電壓，可滿足客戶 在不同應(yīng)用領(lǐng)域及應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

產(chǎn)品已通過聯(lián)發(fā)科、瑞芯微、中興微、博通等主流平臺(tái)廠商的驗(yàn)證認(rèn)可，主要應(yīng)用 于 5G 通訊、企業(yè)級(jí)網(wǎng)關(guān)、網(wǎng)絡(luò)智能監(jiān)控、數(shù)字錄像機(jī)、數(shù)字機(jī)頂盒以及智能手環(huán)等終端產(chǎn)品。

（2）NOR Flash

公司 SPI NOR Flash 存儲(chǔ)容量覆蓋 64Mb 至 1Gb，支持 Single/Dual/Quad SPI 和 QPI 四種指令 模式、DTR 傳輸模式和多種封裝方式。普遍應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、可穿戴設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域。

（3）DRAM

公司研發(fā)的 DDR3(L)系列是可以傳輸雙倍數(shù)據(jù)流的 DRAM 產(chǎn)品，具有高帶寬、低延時(shí)等特點(diǎn)，在通訊設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛；公司針對(duì)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)的低功耗需求，自主研發(fā)的 LPDDR1/2/4X 系列產(chǎn)品具有低功耗和高傳輸速度等特點(diǎn)，最大時(shí)鐘頻率可達(dá) 2133MHz， 適用于智能終端、可穿戴設(shè)備等產(chǎn)品。

（4）MCP

公司 MCP 系列產(chǎn)品具有 NAND Flash 和 DDR 多種容量組合，F(xiàn)lash 和 DDR 均為低電壓的設(shè) 計(jì)，核心電壓 1.8V 可滿足目前移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)對(duì)低功耗的需求。

公司產(chǎn)品憑借設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)已在紫光展銳、高通、聯(lián)發(fā)科等平臺(tái)通過認(rèn)證，被廣泛應(yīng)用于功能手機(jī)、MIFI、通訊模塊等產(chǎn)品。

3.6、恒爍股份

恒爍半導(dǎo)體（合肥）股份有限公司成立于2015年，2022年在科創(chuàng)板上市。恒爍半導(dǎo)體是一家主營(yíng)業(yè)務(wù)為存儲(chǔ)芯片和MCU芯片研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷售的集成電路企業(yè)。

公司現(xiàn)有主營(yíng)產(chǎn)品包括NOR Flash存儲(chǔ)芯片和基于Arm? Cortex?-M0+內(nèi)核架構(gòu)的通用32位MCU芯片。同時(shí)，公司還在致力于開發(fā)基于NOR閃存技術(shù)的存算一體終端推理AI芯片，并提供邊緣計(jì)算的完整解決方案。

SPI NOR FLASH 存儲(chǔ)器芯片

恒爍半導(dǎo)體可提供具有通用SPI接口的Flash存儲(chǔ)器，主要產(chǎn)品為1.8V工作電壓的ZB25LD/ZB25LQ系列，3.0V工作電壓的ZB25VQ/ZB25D系列，以及1.8/3.3V寬工作電壓的ZB25WD/ZB25WQ系列?？晒┻x擇的容量大小為1Mbit到256Mbit。

配合高133MHz的工作頻率，和標(biāo)準(zhǔn)、雙口和四口的工作模式，恒爍半導(dǎo)體的SPI NOR Flash產(chǎn)品可支持高達(dá)到（Dual）266MHz和（Quad）532MHz的數(shù)據(jù)交換速度。

恒爍半導(dǎo)體SPI NOR Flash產(chǎn)品的靜態(tài)電流低至1uA，數(shù)據(jù)保持時(shí)間20年，擦寫次數(shù)可達(dá)10萬次，工作溫度范圍-40℃～105℃。產(chǎn)品具有可靠性高，功耗低，和先進(jìn)的安全特性。

四、對(duì)比分析

4.1、產(chǎn)品對(duì)比

根據(jù)對(duì)各公司的統(tǒng)計(jì)，兆易創(chuàng)新、東芯股份是國(guó)內(nèi)產(chǎn)品線最全的企業(yè)，涵蓋Nor Flash、NAND Flash、DRAM產(chǎn)品，復(fù)旦微電為Nor Flash、NAND Flash、EEPROM，普冉股份為Nor Flash、EEPROM，聚辰股份為EEPROM，恒爍股份為Nor Flash。

國(guó)內(nèi)廠商都采用Fabless模式，都圍繞成熟制程24nm-5Xnm，先進(jìn)制程尚未突破。兆易創(chuàng)新Nor Flash在行業(yè)排名第二，復(fù)旦微電、聚辰股份在EEPROM都曾為行業(yè)第一。

圖|各公司主要存儲(chǔ)產(chǎn)品

來源：與非研究院整理

圖|存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收占比%

來源：與非研究院整理

通過對(duì)各公司存儲(chǔ)業(yè)務(wù)占比進(jìn)行拆分統(tǒng)計(jì)可以發(fā)現(xiàn)，普冉股份2019-2021年儲(chǔ)存營(yíng)收占比高達(dá)99.96%，2022-2023年隨著微控制器MCU和模擬芯片業(yè)務(wù)的擴(kuò)展，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)占比出現(xiàn)下降，分別為94.54%、90.11%。東芯股份全部為存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，較為穩(wěn)定，維持在97%水平。恒爍股份擴(kuò)展了MCU業(yè)務(wù)，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)在2020年占比最高為96.45%，2022年降低至最低80.76%，2024H1又提升至89.54%。聚辰股份擴(kuò)展音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片和智能卡芯片業(yè)務(wù)，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)最高為2019年的88.14%、2021年最低為78.06%。兆易創(chuàng)新擴(kuò)展了微控制器MCU以及傳感器產(chǎn)品，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)2019年最高為79.79%，2022年最低為59.36%，2024H1恢復(fù)至72.17%。復(fù)旦微電產(chǎn)品種類較多，涵蓋安全與識(shí)別芯片、智能電表芯片、FPGA芯片和集成電路測(cè)試服務(wù)，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)2019年最低為20%，后逐漸提高，2024H1為33.37%。

4.2、存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收對(duì)比

圖|存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收/億元

來源：與非研究院整理

從營(yíng)收角度對(duì)比看，兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收排名最高，2019-2021年持續(xù)增長(zhǎng)，2022-2023年出現(xiàn)下降，2019-2024H1金額分別為25.56億元、32.83億元、54.51億元、48.26億元、40.77億元，2024H1為26.05億元。

復(fù)旦微電2019-2024H1存儲(chǔ)的營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng)，金額分別為2.96億元、5.1億元、7.21億元、9.40億元、10.72億元、5.99億元。

聚辰股份2019-2023年分別為4.53億元、4.09億元、4.25億元、8.54億元、5.62億元。

普冉股份2019-2023年分別為3.61億元、7.15億元、11.03億元、8.72億元、10.12億元。

東芯股份2019-2023年分別為4.97億元、7.61億元、11.05億元、10.87億元、5.17億元。

恒爍股份2019-2024H1分別為1.28億元、2.43億元、4.97億元、3.50億元、2.61億元、1.59億元。

兆易創(chuàng)新、東芯股份受行業(yè)影響較大，2019-2021年業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)，2022-2023年受存儲(chǔ)價(jià)格下跌，營(yíng)收持續(xù)下降。2024 年，受益于大宗存儲(chǔ)價(jià)格增長(zhǎng)，利基型 DRAM 價(jià)格率先反彈。

隨著部分應(yīng)用產(chǎn)品升級(jí)換代的需求、安防監(jiān)控等市場(chǎng)的逐步復(fù)蘇以及產(chǎn)能限制等因素影響，SLC NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格也開始呈現(xiàn)溫和上漲的趨勢(shì)。受到消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)的復(fù)蘇、AIPC 和 AI 服務(wù)器的設(shè)備價(jià)值增加以及晶圓代工廠稼動(dòng)率提升等影響，NOR Flash 的價(jià)格也逐步上漲。行業(yè)呈現(xiàn)比較好的復(fù)蘇態(tài)勢(shì)，兩家公司業(yè)務(wù)出現(xiàn)了不錯(cuò)的恢復(fù)。

2024 年上半年，復(fù)旦微電受益于存儲(chǔ)產(chǎn)品在工業(yè)市場(chǎng)、高可靠市場(chǎng)、汽車電子等領(lǐng)域提前布局，特別是高可靠產(chǎn)品基礎(chǔ)穩(wěn)固，打造差異化優(yōu)勢(shì)，減少了消費(fèi)類存儲(chǔ)產(chǎn)品下行對(duì)該產(chǎn)品線的壓力，帶領(lǐng)產(chǎn)品線穿越周期，使產(chǎn)品線業(yè)績(jī)提升。

聚辰股份隨著下游應(yīng)用市場(chǎng)需求的逐步回暖，在公司工業(yè)級(jí) EEPROM 產(chǎn)品和音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品受益于產(chǎn)品線的成功迭代，公司 SPD 產(chǎn)品、NOR Flash 產(chǎn)品以及汽車級(jí) EEPROM 產(chǎn)品出貨量同比實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)。

普冉股份受益于 IOT、可穿戴設(shè)備、手機(jī)、智能家居等消費(fèi)電子的景氣度回暖，公司實(shí)現(xiàn)了多家的知名大客戶導(dǎo)入，營(yíng)收大幅提升。

恒爍股份所處行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)仍然激烈，各家廠商為加大出貨量和占據(jù)擴(kuò)大市場(chǎng)份額，公司產(chǎn)品出貨量及營(yíng)收同比增加。

4.3、存儲(chǔ)業(yè)務(wù)毛利率對(duì)比

圖|毛利率對(duì)比%

來源：與非研究院整理

毛利率受下游市場(chǎng)需求、產(chǎn)品售價(jià)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、委外加工成本及公司技術(shù)水平等多種因素影響。若上述因素發(fā)生變化，如委外加工服務(wù)供應(yīng)緊張或者漲價(jià)、下游市場(chǎng)供給和需求發(fā)生不利變動(dòng)或競(jìng)爭(zhēng)格局加劇導(dǎo)致產(chǎn)品售價(jià)下降、成本上升等，將導(dǎo)致毛利率下降，從而影響公司的盈利能力及經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)。

復(fù)旦微電依靠高可靠產(chǎn)品穩(wěn)定的出貨提升，毛利率維持在行業(yè)最高水平，2019-2024H1分別為47%、45%、56%、65%、64%、65%。兆易創(chuàng)新和聚辰股份毛利率相對(duì)均衡，兆易創(chuàng)新2019-2024H1分別為39%、35%、40%、40%、33%、39%。聚辰股份2019-2023年分別為43%、36%、40%、71%、52%。

普冉股份、東芯股份、恒爍股份因?yàn)槎紝儆诤笃谶M(jìn)入者，為了搶占市場(chǎng)份額，在產(chǎn)品定價(jià)上較低，產(chǎn)品毛利率低于行業(yè)平均水平。普冉股份2019-2023年分別為27%、24%、36%、30%、24%。東芯股份2019-2023年分別為15%、22%、42%、41%、12%。恒爍股份2019-2024H1分別為13%、25%、40%、26%、15%、14%。

4.4、凈利潤(rùn)對(duì)比

圖|凈利潤(rùn)對(duì)比/億元

來源：與非研究院整理

因?yàn)閮衾麧?rùn)無法單獨(dú)拆分，因此以各公司總的凈利潤(rùn)進(jìn)行對(duì)比。

復(fù)旦微電2019-2024Q3分別-2.55億元、0.4億元、4.44億元、10.19億元、5.72億元、3.85億元。因?yàn)閺?fù)旦微電業(yè)務(wù)種類較多，在面對(duì)行業(yè)周期波動(dòng)時(shí)，表現(xiàn)出更多的盈利韌性。

兆易創(chuàng)新2019-2024Q3分別為5.66億元、5.55億元、22.24億元、19.10億元、0.27億元、7.77億元。

聚辰股份20192024Q3年分別為0.98億元、0.6億元、0.85億元、2.73億元、0.88億元、2.00億元。

普冉股份2019-2024Q3年分別為0.43億元、0.80億元、2.73億元、0.33億元、-0.65億元、2.27億元。

東芯股份2019-2024Q3年分別為-0.63億元、0.18億元、2.55億元、1.65億元、-3.27億元、-1.53億元。

恒爍股份2019-2024Q3分別為-0.12億元、0.14億元、1.32億元、0.04億元、-1.92億元、-1.19億元。

兆易創(chuàng)新、聚辰股份、普冉股份、東芯股份、恒爍股份盈利能力受全球存儲(chǔ)價(jià)格波動(dòng)影響較大，呈現(xiàn)較強(qiáng)的順周期性。

4.5、研發(fā)投入對(duì)比

圖|研發(fā)投入/億元

來源：與非研究院整理

研發(fā)投入無法進(jìn)行拆分，因此選取各公司總研發(fā)投入進(jìn)行對(duì)比。

兆易創(chuàng)新2019-2024Q3分別為3.78億元、5.41億元、9.40億元、10.29億元、10.67億元、8.46億元。

復(fù)旦微電2019-2024Q3分別5.50億元、5.29億元、7.49億元、8.86億元、11.90億元、8.04億元。

聚辰股份20192024Q3年分別為0.58億元、0.52億元、0.74億元、1.34億元、1.61億元、1.30億元。

普冉股份2019-2024Q3年分別為0.31億元、0.46億元、0.91億元、1.49億元、1.91億元、1.72億元。

東芯股份2019-2024Q3年分別為0.48億元、0.48億元、0.75億元、1.10億元、1.82億元、1.58億元。

恒爍股份2019-2024Q3分別為0.18億元、0.22億元、0.47億元、0.65億元、1.00億元、0.65億元。

研發(fā)投入和公司營(yíng)收規(guī)模有很大的關(guān)系，兆易創(chuàng)新和復(fù)旦微電作為行業(yè)龍頭企業(yè)，成立時(shí)間較長(zhǎng)，營(yíng)收較高，研發(fā)投入金額相對(duì)領(lǐng)先。聚辰股份、普冉股份、東芯股份、恒爍股份作為新進(jìn)入者，研發(fā)投入整體相對(duì)較低，但也是在持續(xù)增長(zhǎng)。

圖|研發(fā)投入/營(yíng)收占比

來源：與非研究院整理

2023年由于各公司的營(yíng)收均為下降，但是研發(fā)投入都是持續(xù)增長(zhǎng)，所以研發(fā)投入占營(yíng)收比例明顯高于正常年份。

研發(fā)投入占比最高的為復(fù)旦微電，常年維持在30%以上水平。兆易創(chuàng)新研發(fā)投入占比也是逐步提高，由12%水平提升至14.97%水平。聚辰股份2019/2020年維持在11%水平，2024Q3提升至16.91%水平。普冉股份2019-2021年維持在8%左右水平，2024Q3提升至12.59%、東芯股份2019-2022年維持在6%-9.6%水平，2024Q3大幅提升至35.34%水平。恒爍股份2019-2022年在8%-15%水平，2024Q3提升至24.68%水平。

五、總結(jié)

通過以上對(duì)比可以發(fā)現(xiàn)，兆易創(chuàng)新和復(fù)旦微電具有較強(qiáng)的產(chǎn)品力和研發(fā)實(shí)力，在兩家企業(yè)的帶領(lǐng)下，國(guó)內(nèi)企業(yè)在中低容量 NOR Flash 產(chǎn)品取得了一定市占率，NOR Flash 行業(yè)開始呈現(xiàn)出多元競(jìng)爭(zhēng)格局的趨勢(shì)。

聚辰股份、普冉股份、東芯股份和恒爍股份因?yàn)槌闪⑤^晚，發(fā)展階段不同，雖營(yíng)收和利潤(rùn)稍顯不足，但是也都在持續(xù)增加研發(fā)投入、擴(kuò)充產(chǎn)品品類。在車規(guī)、高可靠性、寬溫環(huán)境適應(yīng)能力等方面做產(chǎn)品性能的差異化，在功耗、數(shù)據(jù)傳輸速度等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面也能達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平，在各自的細(xì)分領(lǐng)域都有獨(dú)特的差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

因?yàn)楦飨拗埔蛩?，?guó)內(nèi)的企業(yè)無法使用最先進(jìn)的制程，海外大廠紛紛轉(zhuǎn)向AI需求暴漲的HBM、DDR5方向，而國(guó)內(nèi)DRAM、NAND產(chǎn)品的技術(shù)較國(guó)際大廠還存在較大的代差。面對(duì)近1000億美金的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)份額依然較低，國(guó)內(nèi)企業(yè)在研發(fā)和產(chǎn)品布局等方面尚有較大提升空間。