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  • 突發(fā)！三星又換HBM封裝負責人
    突發(fā)！三星又換HBM封裝負責人
    三星電子通過年末人事調(diào)整和組織改編，對HBM（高帶寬存儲器）制造核心工序封裝（Packaging）組織進行了變化，從臺積電聘請的副社長林俊成下臺，組織名稱也改為“系統(tǒng)封裝實驗室”，繼續(xù)開發(fā)新一代HBM——HBM4封裝技術(shù)。
  • 三星正開發(fā)移動HBM，能效提高70%
    三星正開發(fā)移動HBM，能效提高70%
    三星電子正致力于下一代半導體市場，重點開發(fā)被稱為DRAM市場新星的“LLW（Low Latency Wide IO）DRAM”。LLW具有數(shù)據(jù)處理速度快、功耗低的特點，是比現(xiàn)有低功耗DRAM性能更高的產(chǎn)品。它被認為是針對設(shè)備上人工智能市場的未來技術(shù)，因此被稱為“移動HBM（高帶寬內(nèi)存）”。
  • 存儲廠商沒有笑出雙十一
    存儲廠商沒有笑出雙十一
    國內(nèi)市場DRAM現(xiàn)貨價格在整個11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴重。相比之下，NAND閃存價格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價下降約 9%。在產(chǎn)品價格貢獻方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長江存儲旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過了三星。
  • 外企可在中國封裝HBM2
    外企可在中國封裝HBM2
    美國政府計劃進一步加強對中國半導體制造設(shè)備出口的限制，該措施預計將包括高帶寬存儲器（HBM）,引發(fā)人們對韓國半導體公司受到負面影響的擔憂。路透社12月2日(當?shù)貢r間)報道稱，美國政府計劃于今日宣布對140家中國企業(yè)實施新的出口限制。據(jù)悉，來自日本和荷蘭公司的產(chǎn)品將獲得豁免。
  • 老美繼續(xù)切割對華芯片行業(yè)聯(lián)系，國產(chǎn)半導體設(shè)備與零部件何去何從？
    老美繼續(xù)切割對華芯片行業(yè)聯(lián)系，國產(chǎn)半導體設(shè)備與零部件何去何從？
    事情大家都知道，老美BIS，再發(fā)新規(guī)則，對出口條例進行大修改，涉及新名單企業(yè)，維護所謂的他們的“國家安全和外交利益”。生效日期為12月2日，許可的合規(guī)要求日為12月31日。目前又新添加了140個名單企業(yè)，包括130個中國企業(yè)，1個日本企業(yè)，1個新加坡企業(yè)，以及8個韓國企業(yè)。