HBM4

三星電子最先進的10 納米級第六代 (1c) DRAM首次實現(xiàn)產(chǎn)量。由于三星正準(zhǔn)備將這款DRAM安裝在明年發(fā)布的第6代HBM（高帶寬內(nèi)存）“HBM4”中，預(yù)計在確保第一批良率后，未來良率擴張將加速。

又到了半導(dǎo)體企業(yè)扎堆公布第二季度財報的日子，其中最開心的，一定少不了觸底反彈的幾家存儲芯片廠商。據(jù)了解，三星第二季度業(yè)績顯著提升，營業(yè)利潤高達(dá)10.44萬億韓元（約合人民幣549億元），同比驟增1462.29%;凈利潤為9.8413萬億韓元（約合人民幣517.7億元），同比大增470.97%,實現(xiàn)了近14年來最大幅度的凈利潤增長，而它的韓國友商SK海力士表現(xiàn)同樣強勁，第二季度營收增長125%至16.42萬億韓元（約合人民幣867億元）創(chuàng)下歷史新高；經(jīng)營利潤環(huán)比增長89%至5.47萬億韓元（約合人民幣288.8億元），創(chuàng)2018年二季度以來的最高水平。而此前發(fā)布2024財年第三季度財報的美光總營收為68.1億美元，較上年同期的37.5億美元同比增長81.6%，遠(yuǎn)超市場預(yù)期。

HBM（HighBandwidthMemory，高帶寬內(nèi)存）是一款新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片，其實就是將很多個DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實現(xiàn)大容量，高位寬的DDR組合陣列。該內(nèi)存技術(shù)突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代DRAM解決方案，也契合了半導(dǎo)體技術(shù)小型化、集成化的發(fā)展趨勢。

在晶圓代工領(lǐng)域，三星與臺積電是純粹的競爭關(guān)系，但在存儲芯片市場，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺積電深入合作，這都是英偉達(dá)惹的禍。

SK海力士計劃明年量產(chǎn)的HBM4（第6代高帶寬存儲器）正在陸續(xù)揭曉。SK海力士計劃將HBM DRAM新產(chǎn)品的供應(yīng)周期從2年加快至1年，并與臺積電合作，以應(yīng)對人工智能（AI）行業(yè)增長導(dǎo)致的需求激增而對客戶定制的HBM需求。