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SK海力士HBM4將導(dǎo)入3nm工藝，又甩三星

SK海力士決定采用3納米代工工藝生產(chǎn)明年下半年量產(chǎn)的定制化HBM4，全力進(jìn)軍美國市場。這意味著該公司將集中精力開發(fā)和量產(chǎn)具有 NVIDIA 和 Google 等美國人工智能 (AI) 加速器公司所尋求的最佳規(guī)格的產(chǎn)品。換句話說，這意味著他們將放棄低性能HBM市場。

芯片說 IC TIME

590

12/05 10:10

SK海力士 HBM4
首款HBM4內(nèi)存控制器IP滿足AI 2.0時代內(nèi)存需求

在AI訓(xùn)練階段，需要向AI‘投喂’海量的數(shù)據(jù)，隨后AI對這些數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，提取其中的規(guī)律，最終構(gòu)建出一個AI模型。例如，通過輸入貓、鳥、馬等動物圖像數(shù)據(jù)，AI能夠培養(yǎng)出識別這些動物形態(tài)的能力。

TechSugar

1158

11/26 13:11

AI HBM4
SK海力士HBM4E將導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)

SK 海力士從第七代高帶寬存儲器（HBM4E）開始應(yīng)用“混合鍵合”?；旌湘I合是一種直接用銅連接DRAM頂部和底部的技術(shù)。由于它不需要HBM目前使用的微凸塊（焊球）和鍵合材料，因此有望給半導(dǎo)體行業(yè)帶來重大變化。

芯片說 IC TIME

835

11/11 13:00

SK海力士 HBM4
三星SK海力士明年下半年量產(chǎn)12層HBM4

據(jù)相關(guān)行業(yè)人士11月9日透露，三星電子和SK海力士計劃從明年下半年開始量產(chǎn)12層HBM4。半導(dǎo)體公司計劃從 HBM4 開始認(rèn)真應(yīng)用新工藝“混合鍵合”。哪家公司首先穩(wěn)定應(yīng)用混合鍵合技術(shù)將決定HBM4市場的勝負(fù)。

芯片說 IC TIME

764

11/11 09:18

三星電子 SK海力士
HBM4將導(dǎo)入！三星第六代10nm DRAM首次量產(chǎn)

三星電子最先進(jìn)的10 納米級第六代 (1c) DRAM首次實現(xiàn)產(chǎn)量。由于三星正準(zhǔn)備將這款DRAM安裝在明年發(fā)布的第6代HBM（高帶寬內(nèi)存）“HBM4”中，預(yù)計在確保第一批良率后，未來良率擴(kuò)張將加速。

芯片說 IC TIME

1160

10/08 10:05

dram HBM4

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