HBM4將導(dǎo)入！三星第六代10nm DRAM首次量產(chǎn)

三星電子最先進的10 納米級第六代 (1c) DRAM首次實現(xiàn)產(chǎn)量。由于三星正準(zhǔn)備將這款DRAM安裝在明年發(fā)布的第6代HBM（高帶寬內(nèi)存）“HBM4”中，預(yù)計在確保第一批良率后，未來良率擴張將加速。

據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)10月7日報道，三星電子最近首次成功確保了10納米級第6代DRAM的良率。良率指的是良品與成品的比例。

三星內(nèi)部評估稱，隨著第一批優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的生產(chǎn)，它已經(jīng)跨過了1c技術(shù)里程碑。三星此前計劃年內(nèi)開始量產(chǎn)1c DRAM，甚至還繪制了將其引入計劃于明年量產(chǎn)的第6代HBM路線圖。如果這次能夠確保首次良率并認(rèn)真開始擴大良率，那么三星很有可能會繼續(xù)其路線圖。

隨著第一批優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的問世，三星電子內(nèi)存部門又重新煥發(fā)了生機。包括內(nèi)存部門負(fù)責(zé)人在內(nèi)的 D1c 開發(fā)高管在聽到良率穩(wěn)定的消息后，對員工們的辛勤工作表示感謝。

隨著三星此次首次實現(xiàn)1c DRAM良率，競爭日趨白熱化的HBM市場氣氛是否會發(fā)生變化備受關(guān)注。三星在第五代產(chǎn)品 HBM3E 上失去了對 SK 海力士的領(lǐng)先優(yōu)勢，決定在 HBM4 核心芯片（下一代 HBM）上安裝1c DRAM?？紤]到上一代 HBM3E 使用的是第 4 代 (1a) DRAM，這就像跳過下一代第 5 代 (1b) 并直接進入1c DRAM。

半導(dǎo)體行業(yè)對此非常擔(dān)憂。HBM自身技術(shù)落后，人們對跳過一代DRAM的三星是否會在下一代HBM中應(yīng)用尖端DRAM存在深深的懷疑。特別是，據(jù)報道三星在滿足1c DRAM良率方面遇到困難，情緒再次轉(zhuǎn)向SK海力士。