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HBM4

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  • SK海力士HBM4將導(dǎo)入3nm工藝，又甩三星
    SK海力士HBM4將導(dǎo)入3nm工藝，又甩三星
    SK海力士決定采用3納米代工工藝生產(chǎn)明年下半年量產(chǎn)的定制化HBM4，全力進(jìn)軍美國(guó)市場(chǎng)。這意味著該公司將集中精力開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)具有 NVIDIA 和 Google 等美國(guó)人工智能 (AI) 加速器公司所尋求的最佳規(guī)格的產(chǎn)品。換句話(huà)說(shuō)，這意味著他們將放棄低性能HBM市場(chǎng)。
  • 首款HBM4內(nèi)存控制器IP滿(mǎn)足AI 2.0時(shí)代內(nèi)存需求
    首款HBM4內(nèi)存控制器IP滿(mǎn)足AI 2.0時(shí)代內(nèi)存需求
    在AI訓(xùn)練階段，需要向AI‘投喂’海量的數(shù)據(jù)，隨后AI對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，提取其中的規(guī)律，最終構(gòu)建出一個(gè)AI模型。例如，通過(guò)輸入貓、鳥(niǎo)、馬等動(dòng)物圖像數(shù)據(jù)，AI能夠培養(yǎng)出識(shí)別這些動(dòng)物形態(tài)的能力。
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  • SK海力士HBM4E將導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)
    SK海力士HBM4E將導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)
    SK 海力士從第七代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4E）開(kāi)始應(yīng)用“混合鍵合”?；旌湘I合是一種直接用銅連接DRAM頂部和底部的技術(shù)。由于它不需要HBM目前使用的微凸塊（焊球）和鍵合材料，因此有望給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)重大變化。
  • 三星SK海力士明年下半年量產(chǎn)12層HBM4
    三星SK海力士明年下半年量產(chǎn)12層HBM4
    據(jù)相關(guān)行業(yè)人士11月9日透露，三星電子和SK海力士計(jì)劃從明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)12層HBM4。半導(dǎo)體公司計(jì)劃從 HBM4 開(kāi)始認(rèn)真應(yīng)用新工藝“混合鍵合”。哪家公司首先穩(wěn)定應(yīng)用混合鍵合技術(shù)將決定HBM4市場(chǎng)的勝負(fù)。
  • HBM4將導(dǎo)入！三星第六代10nm DRAM首次量產(chǎn)
    三星電子最先進(jìn)的10 納米級(jí)第六代 (1c) DRAM首次實(shí)現(xiàn)產(chǎn)量。由于三星正準(zhǔn)備將這款DRAM安裝在明年發(fā)布的第6代HBM（高帶寬內(nèi)存）“HBM4”中，預(yù)計(jì)在確保第一批良率后，未來(lái)良率擴(kuò)張將加速。
  • HBM4商用提速，存儲(chǔ)三巨頭各揣殺手锏
    HBM4商用提速，存儲(chǔ)三巨頭各揣殺手锏
    又到了半導(dǎo)體企業(yè)扎堆公布第二季度財(cái)報(bào)的日子，其中最開(kāi)心的，一定少不了觸底反彈的幾家存儲(chǔ)芯片廠商。據(jù)了解，三星第二季度業(yè)績(jī)顯著提升，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)高達(dá)10.44萬(wàn)億韓元（約合人民幣549億元），同比驟增1462.29%;凈利潤(rùn)為9.8413萬(wàn)億韓元（約合人民幣517.7億元），同比大增470.97%,實(shí)現(xiàn)了近14年來(lái)最大幅度的凈利潤(rùn)增長(zhǎng)，而它的韓國(guó)友商SK海力士表現(xiàn)同樣強(qiáng)勁，第二季度營(yíng)收增長(zhǎng)125%至16.42萬(wàn)億韓元（約合人民幣867億元）創(chuàng)下歷史新高；經(jīng)營(yíng)利潤(rùn)環(huán)比增長(zhǎng)89%至5.47萬(wàn)億韓元（約合人民幣288.8億元），創(chuàng)2018年二季度以來(lái)的最高水平。而此前發(fā)布2024財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)的美光總營(yíng)收為68.1億美元，較上年同期的37.5億美元同比增長(zhǎng)81.6%，遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。
  • HBM4技術(shù)競(jìng)賽，進(jìn)入白熱化
    HBM4技術(shù)競(jìng)賽，進(jìn)入白熱化
    HBM（HighBandwidthMemory，高帶寬內(nèi)存）是一款新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片，其實(shí)就是將很多個(gè)DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量，高位寬的DDR組合陣列。該內(nèi)存技術(shù)突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代DRAM解決方案，也契合了半導(dǎo)體技術(shù)小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。
  • 這一次，三星被臺(tái)積電卡脖子了
    這一次，三星被臺(tái)積電卡脖子了
    在晶圓代工領(lǐng)域，三星與臺(tái)積電是純粹的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，但在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺(tái)積電深入合作，這都是英偉達(dá)惹的禍。
  • SK海力士HBM4曝光：5nm工藝，功耗大降30%
    SK海力士HBM4曝光：5nm工藝，功耗大降30%
    SK海力士計(jì)劃明年量產(chǎn)的HBM4（第6代高帶寬存儲(chǔ)器）正在陸續(xù)揭曉。SK海力士計(jì)劃將HBM DRAM新產(chǎn)品的供應(yīng)周期從2年加快至1年，并與臺(tái)積電合作，以應(yīng)對(duì)人工智能（AI）行業(yè)增長(zhǎng)導(dǎo)致的需求激增而對(duì)客戶(hù)定制的HBM需求。
  • 誰(shuí)是存儲(chǔ)器市場(chǎng)下一個(gè)“寵兒”？
    誰(shuí)是存儲(chǔ)器市場(chǎng)下一個(gè)“寵兒”？
    AI浪潮對(duì)存儲(chǔ)器提出了更高要求，高容量、高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品重要性正不斷凸顯，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)與產(chǎn)能之爭(zhēng)也因此愈演愈烈：NAND Flash領(lǐng)域，閃存堆疊層數(shù)持續(xù)提升；DRAM領(lǐng)域HBM持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，技術(shù)不斷迭代，同時(shí)3D DRAM潛力備受關(guān)注；兼具DRAM與NAND Flash優(yōu)勢(shì)的新型存儲(chǔ)技術(shù)再次被原廠提及；PCIe 5.0尚未全面普及，PCIe 7.0已經(jīng)開(kāi)始蓄勢(shì)待發(fā)…
  • SK海力士與臺(tái)積電開(kāi)發(fā)HBM4，三星慌了
    SK海力士與臺(tái)積電開(kāi)發(fā)HBM4，三星慌了
    SK海力士正與臺(tái)積電合作，生產(chǎn)下一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）并推進(jìn)尖端封裝技術(shù)。SK海力士近日在臺(tái)北與臺(tái)積電簽署技術(shù)合作諒解備忘錄（MOU），并于4月19日宣布計(jì)劃與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)HBM4（第六代HBM），計(jì)劃于2026年量產(chǎn)。

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