加入星計劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

MOS管

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管。全稱 : positive channel Metal Oxide Semiconductor;別名 : positive MOS。

PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管。全稱 : positive channel Metal Oxide Semiconductor;別名 : positive MOS。收起

查看更多
  • 提升MOS管驅(qū)動電路抗干擾性能
    不管什么電路,抗干擾能力都是它的一個重要指標(biāo),對于MOS管驅(qū)動電路更是如此。因為MOS管不是工作在一個理想的沒有任何電磁干擾的環(huán)境,在一些電磁環(huán)境惡劣的條件下,如果我們的驅(qū)動電路設(shè)計的不盡合理,可能會出現(xiàn)MOS管誤打開或者非受控關(guān)斷,輕則影響性能,重則會對用戶造成傷害。
  • 三極管和MOS管有什么區(qū)別
    三極管和MOS管有什么區(qū)別
    三極管和MOS管是電子電路中常見的兩種元器件,它們各自具有獨(dú)特的特點(diǎn)和用途。以下是三極管和MOS管的主要區(qū)別: 一、控制方式不同 三極管:是電流控制型器件。三極管的導(dǎo)通需要在其基極(b極)提供電流,才能使發(fā)射極(e極)和集電極(c極)之間導(dǎo)通。流過ce之間的電流與b極電流的關(guān)系是Ib*β=Ice,其中β稱為三極管的放大倍數(shù)。 MOS管:是電壓控制型器件。MOS管的導(dǎo)通需要提供一定的柵源電壓(Vgs
  • 解鎖MOS管:溫度估算不再燒腦~
    解鎖MOS管:溫度估算不再燒腦~
    溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一,為防止過熱導(dǎo)致的MOS失效,使用前進(jìn)行簡單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過程中產(chǎn)生的各種損耗,能量不會憑空消失,損失的能量最終會通過轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃勘幌牡?,損耗越大發(fā)熱量也隨之越大。在MOSFET開啟的過程中隨著
    1萬
    08/08 11:40
  • 反激式電源為什么上電最容易燒MOS管?
    反激式電源為什么上電最容易燒MOS管?
    這篇文章總結(jié)一下最近在研究的反激電源RCD吸收回路和VDS尖峰問題。這也是為什么MOS管在開機(jī)容易被電壓應(yīng)力擊穿的原因。下圖是反激電源變壓器部分的拓?fù)洹?/div>
  • 首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽圓滿舉辦
    首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽圓滿舉辦
    無籃球,不夏天!今年夏天,「首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽」火熱開場!本屆賽事是由德益會智造 SK廠BA籃球館承辦,Slkor薩科微半導(dǎo)體冠名贊助!自7月5日晚的開幕式至7月16日晚的頒獎閉幕式,這期間德益會智造隊等11支球隊奮力拼搏,秉持“友誼第一,比賽第二”的賽事精神,用汗水、激情和活力傾力奉獻(xiàn)了29場精彩紛呈、亮點(diǎn)不斷的賽事!Slkor薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生出席開幕式,期間多次到場觀賽助戰(zhàn),
  • 對標(biāo)學(xué)習(xí)世界級企業(yè) 薩科微Slkor半導(dǎo)體不斷微創(chuàng)新帶來大進(jìn)步!
    對標(biāo)學(xué)習(xí)世界級企業(yè) 薩科微Slkor半導(dǎo)體不斷微創(chuàng)新帶來大進(jìn)步!
    我國的科學(xué)研究和先進(jìn)技術(shù),與先進(jìn)國家相比還有差距,這一點(diǎn)還體現(xiàn)在社會生產(chǎn)效率和人均GDP上面。宋仕強(qiáng)說,我們只有抓住科技進(jìn)步的風(fēng)口如人工智能(AI),再加上公司內(nèi)部的研發(fā)和管理等環(huán)節(jié)的微創(chuàng)新,才可以立于不敗之地。深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司近年來發(fā)展迅速,憑借碳化硅、氮化鎵等新材料、功率器件設(shè)計加工環(huán)節(jié)的先進(jìn)工藝、高效管理和快速擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,不斷降低產(chǎn)品價格、提高市場的占有率,受到了世界各地客戶的認(rèn)
  • AMEYA360:MOS管失效的六大原因
    功率器件在近幾年的市場方面發(fā)展的非?;鸨绕涫?MOS 管,他主要應(yīng)用在電源適配器,電池管理系統(tǒng)以及逆變器和電機(jī)控制系統(tǒng)中。而隨著計算器主板,AI 顯卡,服務(wù)器等行業(yè)的爆發(fā),低壓功率 MOS 管將再次迎來爆發(fā)性的市場需求。
    2207
    04/24 10:39
  • BMS 中的放電 MOS 是怎么燒毀的?
    BMS 中的放電 MOS 是怎么燒毀的?
    大多數(shù)人想到的原因要么是自己選的 MOS 耐流能力不夠大,要么就是嫌自己并的不夠多,然而當(dāng)我們換了更大的 MOS 管,或者多并聯(lián)了幾個后,還是會出現(xiàn)燒毀的情況,真是捉摸不透啊。其實并不是我們選擇 MOS 有問題,而是我們電路的設(shè)計上沒有注意 MOS 的微觀狀態(tài),當(dāng)然一定的降額設(shè)計和良好的散熱是必不可少的。今天聊一下 BMS 中 MOS 管的過流損壞。我認(rèn)為半導(dǎo)體器件的損壞大體上可以分為三種:機(jī)械損壞,過流燒毀,過壓擊穿。
  • 【六】BMS 的保護(hù)電路設(shè)計及 MOS 管選型
    【六】BMS 的保護(hù)電路設(shè)計及 MOS 管選型
    BMS 系統(tǒng)中最主要的功能,當(dāng)為保護(hù)莫屬,無論是過壓欠壓保護(hù),還是高溫低溫保護(hù),亦或是過流及短路保護(hù)。這其中最考驗電路設(shè)計的地方當(dāng)屬過流保護(hù)和短路保護(hù),原因在于BMS 系統(tǒng)中溫度和電壓的突變幾乎是不可能的,而對于電流,是時常出現(xiàn)突變的。
  • mos管
    MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子領(lǐng)域。它具有優(yōu)異的開關(guān)性能、高頻特性和低功耗優(yōu)勢,因此在集成電路、通信系統(tǒng)、計算機(jī)硬件以及消費(fèi)電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。
    2999
    02/06 15:03
  • 增強(qiáng)型和耗盡型MOS管的區(qū)別和聯(lián)系
    金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是一種常見的場效應(yīng)晶體管,在電子學(xué)領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用。增強(qiáng)型(Enhancement-mode)MOS管和耗盡型(Depletion-mode)MOS管是兩種常見類型的MOS管。
  • mos管n溝道和p溝道的區(qū)別
    MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種重要的半導(dǎo)體器件,被廣泛應(yīng)用于電子電路中。MOS管根據(jù)其溝道類型可以分為N溝道和P溝道兩種類型。

正在努力加載...