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MOSFET技術(shù)

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  • 提高工業(yè)電機(jī)效率:采用SiCMOSFET技術(shù)的三相逆變器
    提高工業(yè)電機(jī)效率:采用SiCMOSFET技術(shù)的三相逆變器
    工業(yè)電機(jī)需要可靠、高效的電源解決方案。這款采用SiC(碳化硅)MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)的三相逆變器代表著在滿足現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用的功率和效率需求方面邁出了重要一步。SiCMOSFET因其降低導(dǎo)通電阻和增加擊穿電壓的能力而受到認(rèn)可,使其成為高壓、高效應(yīng)用的理想選擇。在本文中,我們將介紹逆變器的規(guī)格、關(guān)鍵組件和操作功能。
  • KLV2002光耦固態(tài)繼電器的主要特性
    KLV2002光耦固態(tài)繼電器的主要特性
    KLV2002采用光耦合MOSFET技術(shù),在輸入和輸出之間提供3750Vrms的隔離,以確保在高壓環(huán)境下安全運(yùn)行。其隔離屏障由輸入側(cè)的高效GaAlAs紅外LED和輸出側(cè)的MOSFET組成,實(shí)現(xiàn)無(wú)電接觸的信號(hào)傳輸。
  • 600KHZ固定頻率24V/800mA同步降壓轉(zhuǎn)換器具有輕載PFM節(jié)能模式
    600KHZ固定頻率24V/800mA同步降壓轉(zhuǎn)換器具有輕載PFM節(jié)能模式
    PCD2203 是一款 3.8V-24V 的寬輸入電壓范圍同步降壓轉(zhuǎn)換器,擁有 30V 輸入過(guò)壓保護(hù),能夠驅(qū)動(dòng) 0.8A 的負(fù)載。內(nèi)部集成兩個(gè)低 RDSON 功率管,可減小導(dǎo)通損耗,提高效率。該芯片采用峰值電流模式控制,可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀動(dòng)態(tài)性能,也使得外圍補(bǔ)償電路簡(jiǎn)單,由于開(kāi)關(guān)頻率固定為 600K,可以選用小尺寸電感、電容,以及小尺寸的 SOT23- 6L 封裝,可以實(shí)現(xiàn)小尺寸的電源解決方案。具有15uA 靜態(tài)工作電流與 2uA 關(guān)斷電流,適用于低功耗要求的供電系統(tǒng)。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保護(hù),輸入 OVP 以及熱關(guān)斷功能。

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