加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

PVD

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子或分子,或部分電離成離子,并通過低壓氣體(或等離子體)過程,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù), 物理氣相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一。PVD(物理氣相沉積)鍍膜技術(shù)主要分為三類:真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物理氣相沉積的主要方法有:真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍膜、離子鍍膜和分子束外延等。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī)。隨著沉積方法和技術(shù)的提升,物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。物理氣相沉積技術(shù)早在20世紀(jì)初已有些應(yīng)用,但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù),并向著環(huán)保型、清潔型趨勢發(fā)展。在鐘表行業(yè),尤其是高檔手表金屬外

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子或分子,或部分電離成離子,并通過低壓氣體(或等離子體)過程,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù), 物理氣相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一。PVD(物理氣相沉積)鍍膜技術(shù)主要分為三類:真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物理氣相沉積的主要方法有:真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍膜、離子鍍膜和分子束外延等。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī)。隨著沉積方法和技術(shù)的提升,物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。物理氣相沉積技術(shù)早在20世紀(jì)初已有些應(yīng)用,但30年迅速發(fā)展成為一門極具廣闊應(yīng)用前景的新技術(shù),并向著環(huán)保型、清潔型趨勢發(fā)展。在鐘表行業(yè),尤其是高檔手表金屬外收起

查看更多
  • 越制裁,越強(qiáng)大!重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)
    越制裁,越強(qiáng)大!重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)
    美日荷相繼加大對華半導(dǎo)體設(shè)備出口限制,國產(chǎn)替代迫在眉睫。盡管中國是全球最大半導(dǎo)體消費(fèi)市場,但本土化缺口明顯,2023 年芯片自產(chǎn)率僅 20%、半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率為 35%、高端刻蝕機(jī)等關(guān)鍵領(lǐng)域國產(chǎn)化率不足 10%。隨著國產(chǎn)晶圓廠的逆勢擴(kuò)張、海外制裁趨緊,本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望擴(kuò)大份額,預(yù)計(jì)2025年國產(chǎn)化率將達(dá)50%。 前面文章我們分析了國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭之一的中微公司,今天我們繼續(xù)深入研究半導(dǎo)體
    5189
    11/26 12:10
  • PVD設(shè)備經(jīng)理常見面試問題
    PVD設(shè)備經(jīng)理常見面試問題
    一、設(shè)備技術(shù)及操作知識類:你能簡述一下PVD工藝的基本原理及其在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用嗎?你如何評估和選擇PVD設(shè)備的供應(yīng)商?PVD設(shè)備中,哪些關(guān)鍵參數(shù)對薄膜質(zhì)量影響最大?如何在PVD設(shè)備中控制膜層的厚度、均勻性以及附著力?
    598
    11/21 09:25
    PVD
  • 降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積和刻蝕技術(shù)
    降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積和刻蝕技術(shù)
    01 介紹 銅的電阻率由其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配決定,并隨尺寸縮小而顯著提升。通常,銅線的制作流程是用溝槽刻蝕工藝在低介電二氧化硅里刻蝕溝槽圖形,然后通過大馬士革流程用銅填充溝槽。但這種方法會生出帶有明顯晶界和空隙的多晶結(jié)構(gòu),從而增加銅線電阻。為防止大馬士革退火工藝中的銅擴(kuò)散,此工藝還使用了高電阻率的氮化鉭內(nèi)襯材料。 我們可以使用物理氣相沉積 (PVD) 以10至100電子伏特的高
  • STM32 PVD掉電檢測功能的使用方法
    STM32 PVD掉電檢測功能的使用方法
    在實(shí)際應(yīng)用場景中,可能會出現(xiàn)設(shè)備電源電壓異常下降或掉電的情況,因此,有時候需要檢測設(shè)備是否掉電,或者在設(shè)備掉電的瞬間做一些緊急關(guān)機(jī)處理,比如保存重要的用戶數(shù)據(jù),記錄運(yùn)行時間,緊急通知其他平臺等等。
    9008
    03/12 08:05
  • 全球半導(dǎo)體物理氣相淀積設(shè)備供應(yīng)商列表:國產(chǎn)廠商真心不多
    全球半導(dǎo)體物理氣相淀積設(shè)備供應(yīng)商列表:國產(chǎn)廠商真心不多
    在半導(dǎo)體制造、封裝領(lǐng)域會用到大量的成膜設(shè)備,技術(shù)路徑多樣、不一而足。我個人一般把半導(dǎo)體成膜設(shè)備分為三大類:1)化學(xué)氣相淀積(CVD:Chemical Vapor Deposition)-?包含ALD;2)物理氣相淀積(PVD:Physical Vapour Deposition);3)其它成膜設(shè)備。