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SiC SBD

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  • 采用自主設(shè)計(jì)封裝,絕緣電阻顯著提高!
    采用自主設(shè)計(jì)封裝,絕緣電阻顯著提高!
    與普通產(chǎn)品相比,可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進(jìn)行樹脂灌封絕緣處理~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車載充電器(OBC)等車載設(shè)備應(yīng)用的“SCS2xxxNHR”8款機(jī)型。計(jì)劃2024年12月再發(fā)售8款適用于FA設(shè)備和光伏逆變器等工業(yè)設(shè)備
  • 湖南三安SiC SBD累計(jì)出貨量突破2億顆
    湖南三安SiC SBD累計(jì)出貨量突破2億顆
    1月24-26日,湖南三安攜8英寸碳化硅(SiC)晶碇、襯底、外延,車規(guī)級(jí)SiC二極管、MOSFET產(chǎn)品,以及多場景應(yīng)用解決方案亮相第38屆日本國際電子展NEPCON JAPAN 2024。
  • 功率器件,2024年的機(jī)會(huì)在哪里?
    功率器件,2024年的機(jī)會(huì)在哪里?
    2023年對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說并不輕松。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù),2023年半導(dǎo)體元器件行業(yè)市場規(guī)模為5201億美元,下跌9.4%,在所有元器件細(xì)分品類中,以功率器件為代表的分立器件是去年唯一正增長的,全年預(yù)計(jì)增長5.8%。 作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件,功率器件下游應(yīng)用十分廣泛,按照下游應(yīng)用劃分,汽車領(lǐng)域占比達(dá)40%,其次是工業(yè)占比27%,消費(fèi)電子占13%,其他領(lǐng)域(如通訊、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域)占20%
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    01/11 14:15
  • SiC SBD/超結(jié)MOS在工業(yè)電源上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
    SiC SBD/超結(jié)MOS在工業(yè)電源上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
    常見的工業(yè)電源類型包括:交流電源、直流電源、變頻電源、高壓電源等。這些不同類型的工業(yè)電源分別適用于不同類型的工業(yè)設(shè)備和應(yīng)用場景。例如,交流電源主要用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)、照明等設(shè)備,直流電源則適用于電子設(shè)備、生產(chǎn)線設(shè)備等需要精密電壓調(diào)節(jié)的場合。
  • ROHM的SiC SBD成功應(yīng)用于村田制作所集團(tuán)旗下企業(yè)
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)的第3代SiC肖特基二極管(以下簡稱“SBD”)成功應(yīng)用于Murata Power Solutions的產(chǎn)品上。Murata Power Solutions是電子元器件、電池、電源領(lǐng)域的日本著名制造商——村田制作所集團(tuán)旗下的一家企業(yè)。ROHM的高速開關(guān)SiC SBD產(chǎn)品“SCS308AH”此次成功應(yīng)用于Murata Power Solution
  • SiC IGBT--PET的未來?
    SiC SBD 和 MOS 是目前最為常見的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT 爭搶份額。
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    2020/03/17

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