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2月27日消息，當地時間上周四，美國商務部副部長艾倫·埃斯特維茲 (Alan Estevez)在美國戰(zhàn)略與國際問題研究中心（CSIS）組織的“韓美經濟安全論壇”上表示，在美國對華半導體出口管制新規(guī)出臺之后，將禁止某些半導體技術進入中國大陸，雖然也會為在中國生大陸設廠的非中國大陸芯片制造商（三星、SK海力士等）設定配額，但將會對他們在中國大陸晶圓廠的發(fā)展設置上限。
將對三星、SK海力士在華晶圓廠發(fā)展設置上限
2022年10月7日，美國出臺了新的對華半導體出口管制政策，限制了位于中國大陸的晶圓制造廠商獲取16/14nm及以下先進邏輯制程芯片、128層及以上NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內存芯片所需的制造設備的能力，除非獲得美國商務部的許可。這其中就包括了三星、SK海力士等外資企業(yè)在中國大陸的晶圓廠。
雖然在2022年10月11日，三星電子與SK海力士均獲得了美國商務部的豁免許可，允許兩家企業(yè)可以在未來1年內無需辦理任何額外的手續(xù)即可獲得美系半導體設備的供應，這也使得他們位于中國大陸的晶圓廠的生產都將暫時不會受到禁令的影響。但是，一年到期之后，他們是否還能繼續(xù)獲得豁免許可呢？
對此，埃斯特維茲并未正面回應，他表示，“我們正在與這些（韓國）公司合作前進。”
被問及豁免結束后會發(fā)生什么時，埃斯特維茲表示，“可能會對他們在中國發(fā)展的水平設置上限?！?/p>
當被要求進一步澄清時，埃斯特維茲說，會依據相關公司的NAND閃存芯片堆疊層數，選定“某個范圍”作為上限。但是這個限制范圍“也將取決于中國人在做什么”。
埃斯特維茲表示，美國政府正與韓國芯片制造商進行深入對話。他說：“我們會與他們合作，確保我們不會傷害我們盟友的公司。與此同時，我們將限制中國，防止他們發(fā)展對我們構成共同威脅的能力?！?/p>
“我們身處的世界里，技術是軍事力量的驅動力。半導體是這些技術的核心”，埃斯特維茲說，“需要阻止來自對手的威脅。否則，威脅將指向我們?！?/p>
韓國官方：韓國芯片制造商當前的業(yè)務和未來的投資，不應受到干擾
資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有存儲芯片工廠。其中，西安工廠是三星在華最大投資項目，主要制造3D NAND閃存芯片。截至目前，西安廠兩期項目總投資已高達270億美元。數據顯示，三星西安工廠月產能將達到26.5萬張12英寸晶圓，占三星全球NAND閃存芯片總產量的42%，占據超過10%全球NAND閃存芯片產能。2022年，三星半導體西安工廠產值將突破1000億元人民幣。
SK海力士目前在中國大陸無錫、大連（從英特爾手中收購而來）擁有晶圓廠。截止至2020年，SK海力士已累計在中國投資超過200億美元，在無錫擁有4000多名員工，并于2019年完成第二工廠C2F的建設。隨著C2F項目的持續(xù)推進，無錫工廠將承擔SK海力士DRAM芯片全球生產總量近一半的份額。此外，在2021年SK海力士還將其位于韓國青州的8英寸晶圓代工廠M8遷至了無錫，預計2022年全部投產后將月產11.5萬片8吋晶圓，高于原來韓國M8工廠的10萬片月產能。
有數據顯示，韓國芯片廠商將大約 60% 的芯片出口到了中國大陸，并且韓國芯片制造商在中國工廠的產能也遠高于其他國家和地區(qū)的芯片制造商。總體而言，韓國芯片制造商對中國市場的依賴程度要遠大于其他國家和地區(qū)。數據顯示，2022 年第一季度，三星集團對中國大陸的 112 億美元出口額中約有 30% 來自三星電子的半導體銷售。
或許正是由于韓國半導體產業(yè)對于中國市場的依賴，到目前為止，韓國政府在美國拜登政府組建 Chip 4 倡議方面一直持謹慎態(tài)度，表示不希望刺激到中國，不希望搞供應鏈圍堵。
對于此次美國商務部副部長艾倫·埃斯特維茲的關于韓國企業(yè)在華晶圓廠限制的表態(tài)，據韓聯社報道，韓國政府于上周五表示，美韓之間尚未就技術水平上限進行具體討論。
韓國工業(yè)部門在一份聲明中表示，“韓美已達成共識，韓國芯片制造商當前的業(yè)務和未來的投資，不應受到干擾?！甭暶髦羞€表示，韓國計劃與美國討論延長芯片制造設備進口至中國的豁免期限。
三星和SK海力士在華晶圓廠將走向何方？
從美國商務部副部長艾倫·埃斯特維茲最新的表態(tài)來看，美國政府此前對于三星電子與SK海力士在華晶圓廠的1年豁免許可到期之后，可能將不再繼續(xù)無條件豁免，而是將會對其技術發(fā)展進行限制。至于是否會與去年10月出臺的新規(guī)要求（限制獲取128層及以上NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內存芯片所需的制造設備）進行對齊，還是說可能會適當放寬，目前尚不清楚。
但是，從三星和SK海力士目前在中國大陸晶圓廠最先進的技術制程來看，都超出了美國新規(guī)的限制要求。目前三星西安晶圓廠最先進的產品為128層3D NAND，SK海力士無錫晶圓廠最先進的產品為17nm DRAM。
顯然，如果在豁免到期之后，嚴格按照美國新規(guī)的標準來執(zhí)行的話，那么三星和SK海力士在中國大陸的晶圓廠的現有產能的運營將會受到很大影響。
不過，從韓國政府的表態(tài)來看，應該還是希望美國能夠延長對于三星和SK海力士在中國大陸晶圓廠的豁免期。即使限制，也應該不影響“當前的業(yè)務和未來的投資”。
所以，如果以正常的預期來看，美國的對于三星和SK海力士在中國大陸的晶圓廠的限制上限，可能將會放寬到17nm DRAM和128層3D NAND，以避免對三星和SK海力士在中國大陸的晶圓廠現有產能的影響。
如果更樂觀一點的話，那么甚至有可能放寬到更先進的一代產品，給予一定的升級空間。比如3D NAND可以放寬到176層，畢竟去年美光已經量產了更先進的232層3D NAND。DRAM可能會放寬到1y-nm（相當于14~16nm，1x-nm制程相當于16~19nm）制程，要知道美光在2021年就推出了1α工藝（大致對應于10-12nm工藝）DRAM，2022年底美光又宣布量產更先進的1β 制程的DRAM。而1y-nm DRMA的下一階段1z-nm（相當于12~14nm） DRAM的生產，有些廠商（比如三星）就開始用上了EUV工藝。SK海力士則是從1a DRAM階段才開始導入EUV。所以，對于SK海力士的DRAM制造來說，最寬的限制估計也只能是到1z-nm了。畢竟去年就有消息稱，SK海力士希望將EUV光刻機引入其無錫工廠，但是遭到了美國方面的拒絕。
當然，如果悲觀來看，美國直接將對三星和SK海力士在中國大陸的晶圓廠的限制與去年10月出臺的新規(guī)限制對齊，那么三星西安晶圓廠將無法繼續(xù)生產128層3D NAND，只能生產低一級的96層3D NAND；SK海力士無錫廠17nm DRAM將無法生產，只能生產上一代的20nm DRAM。雖然這樣三星和SK海力士大陸工廠原有的一些舊產能還能繼續(xù)運營，但是更先進的產品將無法繼續(xù)生產，更不用提未來對產線的進一步升級了。這也意味著三星和SK海力士在中國大陸晶圓廠的市場競爭力將會持續(xù)下滑，未來的發(fā)展前景將被斬斷。三星和SK海力士未來也將不可能繼續(xù)擴大對其大陸晶圓廠的投資，甚至可能會將部分產能轉出。
對于這種最悲觀的預期，SK海力士首席營銷官Kevin Noh曾在去年第三季度財報電話會議上表示：“作為應急計劃，我們正在考慮出售晶圓廠、出售設備或將設備轉移到韓國。”Kevin Noh強調，“這是一個應急計劃， 我們希望(繼續(xù))在不面對這種情況的情況下運營?！彪S后，SK海力士官方發(fā)布聲明進一步解釋稱，“中國工廠的設備轉移”等相關發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現場回復，“本公司澄清并未研究過與此相關的具體計劃。”
不過，從前面韓國政府的表態(tài)來看，這種最悲觀的預期發(fā)生的可能性相對較低。畢竟這可能將會直接傷害到美國與韓國之間的盟友關系，同時也不利于美國主導的Chip4聯盟的繼續(xù)推進。
另外值得注意的是，美國商務部副部長艾倫·埃斯特維茲有提到對于外資在中國大陸晶圓廠的“限制范圍”，“也將取決于中國人在做什么”。言下之意就是，如果中國晶圓廠靠國產化產線（或不含美日荷的產線）突破了限制，那么美國對于外資在中國大陸晶圓廠的“限制范圍”也將會進一步放松。因此，對于三星、SK海力士來說，如果想要降低美國限制對于其未來的影響，那么應該加強對于包括中國大陸半導體設備廠商在內的非美日荷設備廠商的支持力度，降低其產線對于美日荷設備的依賴程度。
作者：芯智訊-浪客劍
