半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)開啟“狂飆”模式？

經(jīng)歷較長時間的行業(yè)下行周期后，2023年第四季度以來，存儲產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)了較為明顯的回暖跡象。與此同時，隨著AI人工智能浪潮的推動，加上數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用對高端存儲需求的持續(xù)增加，全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇態(tài)勢愈發(fā)強烈。

而近日，從SK海力士、鎧俠、三星、美光等廠商釋放的信號來看，存儲產(chǎn)業(yè)邁入上行周期的確定性進一步提升。

SK海力士12層HBM3E即將量產(chǎn)，HBM工廠迎利好

近期，SK海力士無論是在技術(shù)研發(fā)還是建廠投資方面，都釋出了利好消息。

技術(shù)研發(fā)方面，眾所周知，受益于人工智能熱潮推動，SK海力士在AI存儲器市場掌握著主導(dǎo)地位。SK海力士首席執(zhí)行官郭魯正表示，由于HBM等高性能存儲器芯片的強勁需求，存儲器芯片市場還將維持一段時間的樂觀態(tài)勢，預(yù)計存儲器芯片市場將持續(xù)活躍到明年年初。

SK海力士認(rèn)為，隨著人工智能市場的擴大，明年存儲器的需求將持續(xù)增長，并制定了積極應(yīng)對的戰(zhàn)略。SK海力計劃在本季度向主要客戶供應(yīng)12層HBM3E樣品并開始量產(chǎn)，并將在明年下半年推出與臺積電合作開發(fā)的12層HBM4。

除了全力發(fā)展HBM高帶寬內(nèi)存市場外，SK海力士在顯存方面的發(fā)展也迎來新的進展。

7月30日，SK海力士宣布推出全球最高性能的新一代顯存產(chǎn)品GDDR7。與前一代產(chǎn)品相比，SK海力士GDDR7運行速度提高了60%以上，能效與前一代相比提升了50%以上。此外，SK海力士技術(shù)團隊通過采用封裝新技術(shù)，成功地將該產(chǎn)品的熱阻減少了74%。

SK海力士表示，GDDR7將于今年第三季度量產(chǎn)，將適用于圖形處理、人工智能、高性能計算、及自動駕駛等多種領(lǐng)域。

投資建廠發(fā)面，SK海力士將投資約9.4萬億韓元，龍仁半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群首個晶圓廠及事業(yè)設(shè)施。根據(jù)規(guī)劃，SK海力士將建設(shè)四座生產(chǎn)下一代半導(dǎo)體的先進晶圓廠，其中第一座晶圓廠計劃明年3月開工，2027年5月完工，將生產(chǎn)包括代表性AI存儲器HBM在內(nèi)的下一代DRAM，并在工廠竣工后根據(jù)市場需求生產(chǎn)其他產(chǎn)品。

此外，SK海力士還與美國商務(wù)部簽署了一份不具約束力的初步備忘錄（PMT）。基于美國《芯片和科學(xué)法案》，SK海力士就美國印第安納州半導(dǎo)體先進封裝工廠的投資，將獲得最高4.5億美元的直接補助和最高5億美元的貸款。與此同時，美國財政部決定為SK海力士提供在美國投資額最高可達25%的稅收抵免。

SK海力士此前宣布，將在美國印第安納州投資建設(shè)HBM先進封裝生產(chǎn)基地，總投資達38.7億美元，并創(chuàng)造約1,000個工作崗位。該工廠預(yù)計在2028年下半年開始量產(chǎn)新一代HBM等適于AI的存儲器產(chǎn)品。同時，SK海力士還將與普渡（Purdue）大學(xué)等當(dāng)?shù)匮芯繖C構(gòu)攜手進行半導(dǎo)體研發(fā)。SK海力士表示，為了在印第安納州順利進行面向AI的存儲器量產(chǎn)，將如期進行工廠建設(shè)。

鎧俠Q1營收環(huán)比大漲106.4%，規(guī)劃10月底IPO？

近日，NAND閃存大廠鎧俠公布了2024財年（4-6月，2024自然年二季度）第一財季營收報告。

數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)季鎧俠營收創(chuàng)歷史新高，達4,285億日元，同比大漲71%，環(huán)比增長106.4%；營業(yè)利潤1259億日元，環(huán)比增加187%；凈利潤也自去年同期的虧損1,031億日元轉(zhuǎn)為盈利698億日元，環(huán)比增長578%。

鎧俠表示，供需平衡改善，帶動NAND Flash平均售價持續(xù)上升，同時閃存市場需求復(fù)蘇也隨之推動NAND Flash產(chǎn)品出貨量增加，外加日元貶值等，是推動公司營收實現(xiàn)大幅增長的主要因素。

鎧俠指出，以日元計算，當(dāng)季NAND Flash售價較上一財季（2024年1-3月）上漲20%左右，為連續(xù)第四個季度呈現(xiàn)上漲；NAND Flash出貨量也環(huán)比增長了10-14%。鎧俠表示，上季以美元計算的售價環(huán)比增長15%左右。

另外，鎧俠位于日本巖手縣北上市工廠Fab 2（K2）已于7月完工。而隨著市場需求的復(fù)蘇，鎧俠將在密切關(guān)注NAND閃存市場趨勢的同時逐步進行資本投資。并計劃于2025年秋季在K2開始運營。

鎧俠在新聞稿中強調(diào)，將致力于抓住NAND Flash閃存市場機遇，滿足對AI人工智能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心日益增長的需求，并在合適的時機實施符合市場趨勢的資本投資。

據(jù)日經(jīng)新聞報道，鎧俠K2工廠將用來增產(chǎn)人工智能AI用最先進存儲器。報道還稱，北上工廠將生產(chǎn)被稱為“第8代”的最先進存儲器，預(yù)計月產(chǎn)2.5萬片，除AI數(shù)據(jù)中心外，也將用于智能手機、PC、汽車等領(lǐng)域。

至于備受關(guān)注的IPO情況，有知情人士表示，鎧俠會在8月底提交正式申請，目標(biāo)10月底上市，而為了趕上期限，鎧俠正以比一般IPO更快的速度進行準(zhǔn)備，不過最終結(jié)果要視進度而定，不排除推延至12月。

三星平澤P4生產(chǎn)第6代DRAM，或明年6月開始運營

據(jù)韓國媒體ETNews最新報道，三星電子內(nèi)部已經(jīng)確認(rèn)在平澤P4工廠內(nèi)建設(shè)1c納米制程DRAM產(chǎn)線的投資計劃，目標(biāo)是預(yù)計在2025年的6月投入量產(chǎn)。

三星平澤P4是一座綜合性的半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期計劃。在三星早前的規(guī)劃中，一期以生產(chǎn)NAND Flash閃存為主，二期為邏輯代工，三期及四期為DRAM內(nèi)存。不過ETNews最新報道稱，當(dāng)前，三星已在P4一期導(dǎo)入DRAM生產(chǎn)設(shè)備，但暫時擱置了二期建設(shè)。1c納米制程DRAM是第六代10納米級DRAM制程技術(shù)，報導(dǎo)指出，三星計劃在2024年底啟動1c納米制程技術(shù)的存儲器生產(chǎn)計劃。

另據(jù)韓媒消息，三星高管在2024年第2季度財報電話會議透露，第五代8層HBM3E產(chǎn)品目前已交付客戶評估，計劃2024年第3季度開始量產(chǎn)。

該高管還指出，已經(jīng)完成了12層HBM3E芯片的量產(chǎn)準(zhǔn)備，將在今年下半年根據(jù)多個客戶的要求計劃擴大供應(yīng)。

據(jù)悉，三星HBM銷售額在第二季度環(huán)比增長了50%，預(yù)計在下半年將增長3-5倍，三星表示，HBM3E芯片在三星HBM中所占的份額預(yù)計將在第三季度超過10%，并有望在第四季度迅速擴大到60%。至于第六代HBM4，三星預(yù)計，有望從2025年下半年開始出貨。

事實上，在DRAM方面，8月6日，韓國存儲廠商三星電子宣布，已開始批量生產(chǎn)業(yè)界最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM內(nèi)存，支持12GB和16GB容量。

據(jù)官方介紹，三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm，散熱控制能力更強，適合端側(cè)AI在移動端的應(yīng)用，LPDDR封裝采用12納米級工藝，四層堆疊架構(gòu)，每層均由兩片LPDDR DRAM芯片組成，在提升Die密度的同時，減少厚度，提高耐熱性。與上一代產(chǎn)品相比，LPDDR5X DRAM厚度降低約9%，耐熱性能提升約21.2%。

具體來看，通過采用更先進的印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)工藝，新一代LPDDR DRAM的封裝厚度僅0.65毫米(mm)，超過之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。同時，三星優(yōu)化了背面研磨工藝，進一步壓縮了封裝厚度。

此外，通過提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝，使移動設(shè)備內(nèi)有多余的空間，促進空氣流動，散熱控制能力也因此得到提升，三星表示，這一屬性對于像端側(cè)人工智能類具有復(fù)雜功能的高性能應(yīng)用尤為關(guān)鍵。

三星計劃通過向移動處理器生產(chǎn)商，和移動設(shè)備制造商供應(yīng)0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，繼續(xù)擴大低功耗DRAM的市場。三星表示，未來hiatus計劃開發(fā)6層24GB和8層32GB的模組，為未來設(shè)備打造超薄的LPDDR DRAM封裝。

美光量產(chǎn)第九代NAND閃存，瞄準(zhǔn)數(shù)據(jù)中心等需求

7月31日，美光宣布量產(chǎn)其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品已開始出貨，成為業(yè)界首家實現(xiàn)這一里程碑的廠商之一。適用于個人設(shè)備、邊緣服務(wù)器、企業(yè)和云數(shù)據(jù)中心。

據(jù)介紹，G9 NAND數(shù)據(jù)傳輸速率比當(dāng)前SSD中的NAND技術(shù)要快50%。同時，與市場上現(xiàn)有的同類NAND解決方案相比，美光G9 NAND的每顆芯片寫入帶寬和讀取帶寬分別高出99%和88%。

封裝方面，與前一代NAND產(chǎn)品相同，美光G9 NAND采用11.5mm x 13.5mm的緊湊封裝，比同類產(chǎn)品節(jié)省28%的空間。

據(jù)悉，采用了G9 NAND技術(shù)的美光2650 NVMe SSD理論性能水平接近PCIe 4.0，突破了高性價比TLC客戶端SSD的性能極限。連續(xù)讀取速率高達7000 MB/s。

與同類競品相比，美光2650 NVMe SSD表現(xiàn)出色，連續(xù)讀取性能提升高達70%，連續(xù)寫入性能提升高達103%，隨機讀取性能提升高達156%，隨機寫入性能提升高達85%。

而在此之前，7月底，美光還宣布推出全新的數(shù)據(jù)中心SSD產(chǎn)品9550 NVMe SSD。其順序讀取速率和順序?qū)懭胨俾史謩e為14.0 GB/s和10.0 GB/s。

美光表示，與業(yè)界同類SSD相比，其性能提升高達67%。此外，其隨機讀取速率達到3,300 KIOPS，比競品提升高達35%，隨機寫入速率達到400 KIOPS，比競品提升高達33%。

存儲產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇信號強勁

眾所周知，SK海力士、三星、美光和鎧俠是全球知名的存儲廠商，四家廠商在NAND Flash領(lǐng)域的市場份額合計達83%，而前三家廠商在DRAM領(lǐng)域的市占合計逾90%。

全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢此前的研報顯示，今年第一季度，全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收較前一季度成長5.1%，達183.5億美元；NAND Flash產(chǎn)業(yè)也因市場量價齊揚，營收季增28.1%，達147.1億美元。

在市場需求提升，供需結(jié)構(gòu)拉升價格，加上HBM等高附加值產(chǎn)品快速崛起的利好形式下，當(dāng)前全球DRAM及NAND Flash存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展可謂是一片利好。

而根據(jù)集邦咨詢的最新調(diào)研，2024年DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收有望分別達增加907億美元和674億美元，分別同比增長75%和77%。

集邦咨詢同時預(yù)測，2025年產(chǎn)業(yè)營收將持續(xù)維持成長，并創(chuàng)歷史新高。其中，DRAM產(chǎn)業(yè)營收將來到1,365億美元、年增51%，NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收也將來到870億美元、年增29%。