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基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計人員提供最佳的選擇。
Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之間），提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm兩種封裝。這些產(chǎn)品可在高電壓(<650 V)、低功率的數(shù)據(jù)通訊/電信、消費類充電、太陽能和工業(yè)應(yīng)用中提高電源轉(zhuǎn)換效率，還可用于高精度無刷直流電機(jī)和緊湊型服務(wù)器設(shè)計，以實現(xiàn)更高扭矩和更大功率。
Nexperia現(xiàn)還提供采用WLCSP8封裝的100 V (3.2 mΩ) GaN FET和采用FCLGA封裝的150 V (7 m?) GaN FET。這些器件適合各種低電壓(<150 V)、高功率應(yīng)用，例如，數(shù)據(jù)中心使用的高效DC-DC轉(zhuǎn)換器、快速充電（電動出行類和USB-C類）、小尺寸LiDAR收發(fā)器、低噪聲D類音頻放大器以及功率密度更高的消費類設(shè)備（如手機(jī)、筆記本電腦和游戲主機(jī)）。
在許多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，GaN FET憑借緊湊型解決方案尺寸能實現(xiàn)更高的功率效率，從而顯著降低物料(BOM)成本。因此，GaN器件在主流電力電子市場逐漸得到了廣泛應(yīng)用，包括服務(wù)器計算、工業(yè)自動化、消費類應(yīng)用和電信基礎(chǔ)設(shè)施?；贕aN的器件具備快速轉(zhuǎn)換/開關(guān)能力（高dv/dt和di/dt），可在低功率和高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供出色的效率。Nexperia的E-mode GaN FET具有出色的開關(guān)性能，這得益于極低的Qg和QOSS值，并且低RDS(on)有助于實現(xiàn)更高的功率效率設(shè)計。
這些新器件進(jìn)一步擴(kuò)充了Nexperia豐富的GaN FET產(chǎn)品系列，適合各種功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。產(chǎn)品組合包括支持高電壓、高功率應(yīng)用的級聯(lián)器件，支持高電壓、低功率應(yīng)用的650 V E-mode器件和支持低電壓、高功率應(yīng)用的100/150 V E-mode器件。此外，Nexperia E-mode GaN FET采用8英寸晶圓生產(chǎn)線制造以提高產(chǎn)能，符合工業(yè)級的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。Nexperia的GaN器件產(chǎn)品系列不斷擴(kuò)充，充分體現(xiàn)了Nexperia堅守承諾，促進(jìn)優(yōu)質(zhì)硅器件和寬禁帶技術(shù)發(fā)展的決心。
