深度丨長江存儲VS美光：專利訴訟背后的全球存儲芯片市場

作者 | 方文三

在目前中美半導(dǎo)體之爭日益激化的背景下，半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域再次引發(fā)糾紛。

此次糾紛不同于以往，涉及中國芯片龍頭企業(yè)與美國存儲芯片巨頭公司之間的專利較量。

長江存儲訴訟美光多項(xiàng)專利侵權(quán)

根據(jù)美國加州北區(qū)地方法院公布的文件，長江存儲于11月9日向該法院提起了專利侵權(quán)訴訟。

指控美光及其子公司侵犯了公司的多項(xiàng)3D NAND技術(shù)專利，并稱這些侵權(quán)行為已用于其固態(tài)硬盤產(chǎn)品中。

美光被控侵權(quán)的包括96層、128層、176層與232層等3D NAND產(chǎn)品。

目前本次涉案的長江存儲專利包括：

US10950623(3D NAND存儲器件及其形成方法)、US11501822(非易失性存儲裝置及控制方法)、US10658378(三維存儲器件的直通陣列接觸)、US10937806(三維存儲器件的直通陣列接觸)、US10861872(三維存儲器件及其形成方法)、US11468957(NAND存儲器操作的體系結(jié)構(gòu)和方法)、US11600342(三維閃存的讀取方法)、US10868031(多層堆疊三維存儲器件及其制造方法)。

長江存儲表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論：長江存儲是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過了美光。

長江存儲在起訴書中明確指出，美光未經(jīng)授權(quán)使用了長江存儲的專利技術(shù)，借此在市場上抵御來自長江存儲的競爭，并獲取和保有市場份額。

此次訴訟旨在解決美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash市場來阻止競爭和創(chuàng)新的問題。

長江存儲此次的起訴，顯然是經(jīng)過深思熟慮和充分準(zhǔn)備的。

這并非針對美光某一項(xiàng)技術(shù)或某單一產(chǎn)品的爭端，而是涉及多項(xiàng)專利和多產(chǎn)品線的全面起訴。

七年成長來之不易豈能放棄

長江存儲成立于2016年7月，總部位于武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)。

公司前身為武漢新芯，自成立以來，一直致力于3D NAND閃存的設(shè)計(jì)、制造和銷售。

在國家政策的大力支持下，長江存儲成功實(shí)現(xiàn)了3D NAND閃存領(lǐng)域的技術(shù)突圍。

公司于2017年年底正式推出了首個真正意義上的國產(chǎn)32層3D NAND閃存。

這一重要突破標(biāo)志著中國在存儲器領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展。

2018年8月，長江存儲發(fā)布了Xtacking（晶棧）技術(shù)，該技術(shù)在閃存技術(shù)架構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了突破性創(chuàng)新。

該架構(gòu)的64層3D NAND閃存具有高存儲密度，與當(dāng)時其他廠商的96層產(chǎn)品相差無幾。

這標(biāo)志著長江存儲在該領(lǐng)域具備了較強(qiáng)的競爭力。

基于Xtacking技術(shù)，長江存儲不斷加速趕超，成功跳過96層堆疊，直接進(jìn)入128層。

該技術(shù)簡單來說是可以實(shí)現(xiàn)并行、模塊化產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，縮短開發(fā)時間和生產(chǎn)周期的同時，還能實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND技術(shù)更高的存儲密度與性能。

在這個buff的加持下，長江存儲一路開掛。

不僅快速追上與海力士、三星等大廠的距離，并且在同行剛開啟商業(yè)化時，率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

到了2020年，公司已實(shí)現(xiàn)128層的NAND量產(chǎn)，與三星等國外大廠在技術(shù)上已沒有代差。

有業(yè)內(nèi)人士猜測，長江存儲已于2022年底低調(diào)推出232層NAND閃存堆疊技術(shù)，這一成就使其超越了國際存儲巨頭三星、美光、SK海力士等。

長江存儲之所以能在近些年攪局NAND市場，正是在國際存儲巨頭集體轉(zhuǎn)向3D NAND的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，搶先一步量產(chǎn)232層閃存顆粒，并交付給第三方企業(yè)進(jìn)行封裝流入市場。

根據(jù)報告數(shù)據(jù)，截至2022年，長江存儲在全球閃存市場的份額已達(dá)到約5%。

僅次于三星、SK海力士、Kioxia、西部數(shù)據(jù)和美光，成為全球第六大NAND閃存制造商。

經(jīng)過七年的不懈努力和超過2000億的資金投入，長江存儲作為一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，已在存儲領(lǐng)域取得了全球領(lǐng)先的技術(shù)成果。

但是，自2022年10月起，長江存儲被列入BIS的UVL；同年12月，經(jīng)過核查，BIS最終決定將長江存儲加入其Entity List。

進(jìn)攻就是最好的防守

盡管長江存儲已在美國本土專利儲備上進(jìn)行了充分的準(zhǔn)備，但相較于美光近13100項(xiàng)有效的美國專利，其仍然面臨著巨大的挑戰(zhàn)，仿佛是蚍蜉試圖撼動大樹。

專利戰(zhàn)的真正目的，在于為公司爭取公平談判的機(jī)會，以應(yīng)對出口管制，這是關(guān)乎公司生存的戰(zhàn)斗。

對于科技公司而言，知識產(chǎn)權(quán)是構(gòu)成其競爭力的重要元素之一，而專利則是知識產(chǎn)權(quán)的核心。

科技巨頭之間的專利大戰(zhàn)，其背后往往并非單純的金錢利益，市場競爭才是更為關(guān)鍵的一環(huán)。

當(dāng)前美光在國內(nèi)受到限制，其自身發(fā)展又受到半導(dǎo)體周期性的影響，目前仍處在低谷。

對于長江存儲而言，這無疑是一個難得的機(jī)會。

這或許正應(yīng)了那句老話：[進(jìn)攻就是最好的防守]。

長江存儲提起的訴訟不僅是為了終止美光未經(jīng)授權(quán)使用其專利創(chuàng)新，也是為了爭取更多的談判優(yōu)勢，以獲得更有利的市場競爭地位。

結(jié)尾：

回顧歷史，專利大戰(zhàn)的目的往往并非只是為了贏得官司或獲取巨額賠償，更多的是為了通過訴訟來[止戰(zhàn)]，這才是很多專利大戰(zhàn)背后真正的目的。

希望這次專利訴訟能為長江存儲再次爭取到一個[窗口]，同時也為更多中國半導(dǎo)體企業(yè)帶來信心。

部分資料參考：

鎂客網(wǎng)：《長江存儲vs美光：一場中美芯片戰(zhàn)的[反圍剿]》，中國貿(mào)易報：《長江存儲起訴美芯片巨頭專利侵權(quán)，能不能贏？》，物聯(lián)網(wǎng)圈：《專利訴訟背后的全球存儲芯片市場之戰(zhàn)》