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1月11日，瑞薩電子宣布與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm達(dá)成最終協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購(gòu)Transphorm所有已發(fā)行普通股，該公司估值約為3.39億美元。
Transphorm核心業(yè)務(wù)是GaN制造以及高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。據(jù)Transphorm公司介紹，其電力電子技術(shù)的創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)了“99%的效率提升、50%功率密度的提升并降低了20%的系統(tǒng)成本” 。
SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料相較于傳統(tǒng)硅基器件具備更廣泛的電壓和開關(guān)頻率范圍，其需求量也在逐年增長(zhǎng)，有機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)GaN的需求每年將增長(zhǎng)50%以上。早在去年3月，另一家生產(chǎn)IGBT與其他功率器件的半導(dǎo)體企業(yè)英飛凌斥資8.3億美元收購(gòu)了GaN System（氮化鎵系統(tǒng)）公司，以構(gòu)建包含硅、SiC和GaN三種主要功率半導(dǎo)體技術(shù)的業(yè)務(wù)版圖。
2023年7月5日，瑞薩電子與SiC材料企業(yè)Wolfspeed簽訂了價(jià)值20億美元、為期10年的SiC晶圓裸片和外延襯底的供應(yīng)協(xié)議。而此次對(duì)Transphorm的收購(gòu)則是在瑞薩電子的寬禁帶半導(dǎo)體版圖中對(duì)GaN進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)。瑞薩電子表示，此次收購(gòu)將為自身提供GaN的內(nèi)部技術(shù)，從而擴(kuò)展其在電動(dòng)汽車、計(jì)算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器、適配器等快速增長(zhǎng)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)范圍。
瑞薩電子首席執(zhí)行官柴田英利表示：“（Transphorm的GaN技術(shù)）將推動(dòng)和擴(kuò)大作為我們關(guān)鍵增長(zhǎng)支柱之一的功率產(chǎn)品陣容，使我們的客戶能夠選擇最佳的電源解決方案。”
據(jù)悉，Transphorm公司總部位于加利福尼亞，并在日本會(huì)津設(shè)有工廠，這將給瑞薩電子帶來一定地理優(yōu)勢(shì)。該交易預(yù)計(jì)于2024年下半年完成，但需獲Transphorm股東批準(zhǔn)和監(jiān)管部門許可，并滿足其他慣例成交條件。
作者丨王信豪，編輯丨趙晨，美編丨馬利亞，監(jiān)制丨連曉東
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