晶圓級封裝（WLP）工藝流程

知識(shí)星球（星球名：芯片制造與封測技術(shù)社區(qū)，星球號：63559049）里的學(xué)員問：晶圓級封裝的工藝流程，可以詳細(xì)說說嗎?

什么是晶圓級封裝？

晶圓級封裝（Wafer-level packaging, WLP）是直接在晶圓上進(jìn)行封裝的技術(shù)。晶圓級封裝相較于傳統(tǒng)的封裝技術(shù)，采用的是半導(dǎo)體制造的相關(guān)工藝。與傳統(tǒng)封裝不同的是，晶圓級封裝是在切割晶圓成單個(gè)芯片之前，在整個(gè)晶圓上進(jìn)行封裝過程。

晶圓級封裝的工藝流程？

如上圖，是WLP Fan in的基本工藝流程：

1. Fab-out Wafer

晶圓準(zhǔn)備，這是整個(gè)封裝過程的起始步驟。首先要有一個(gè)經(jīng)過制造過程完成的晶圓，上面已經(jīng)形成了電路結(jié)構(gòu)。在晶圓的表面的鈍化層（Passivation Layer），用于保護(hù)晶圓表面的電路不受外界濕氣，化學(xué)物質(zhì)的影響。

2. Thin Film Deposition & Thick Photoresist (TPR) Coating

薄膜沉積：在鈍化層上沉積一層金屬薄膜，通常是Ti，Cu，Cr，Au等，作為電鍍的金屬種子層。厚光刻膠涂覆：在金屬薄膜上涂覆一層厚光刻膠并曝光顯影，該步將特定區(qū)域打開，有些部位則被光刻膠蓋住。

3. Cu Electroplating

銅電鍍：通過電鍍工藝在已經(jīng)圖形化的光刻膠上電鍍銅層。這一步是形成較厚的RDL，將PAD上的信號引出。

4. TPR Strip & Thin Film Etching

光刻膠去除：移除覆蓋在不需要電鍍的地方的光刻膠，暴露出下面的金屬層。薄膜蝕刻：蝕刻掉未被光刻膠保護(hù)的金屬薄膜部分，一般用濕法刻蝕的方法。

5. Dielectric Coating

介電層涂覆：在已經(jīng)形成的金屬結(jié)構(gòu)上涂覆一層介電材料如氧化硅或PI等，以隔離金屬層并保護(hù)它們不受外界環(huán)境的影響。

6. Ball Mounting

錫球安裝：在介電層上的打開位置安裝焊球。錫球用于實(shí)現(xiàn)芯片到電路板的電氣連接。

至此，晶圓級封裝工藝流程結(jié)束。

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