HBM在風口，也在浪尖

SK 海力士雖未對外公布其 HBM 業(yè)務的關鍵收入來源，然而可以明確的是，前期SK海力士憑借其卓越的生產力和技術積淀，成功綁定了如英特爾、AMD等科技巨頭的HBM需求。而這些廠商所展現出的 HBM 需求規(guī)模頗為龐大，或許構成了 SK 海力士 HBM 營收的關鍵支柱。

然而，SK海力士的 HBM 營收來源亦涵蓋了中國大陸市場的份額，雖其占比相對不明，但同樣在整體營收格局中有著不可忽視的意義與影響。隨著美國對華出口管制持續(xù)加碼，中國發(fā)展AI所需的存儲芯片便開始更多的轉向了三星、SK海力士這兩大韓國廠商。特別是在擔憂美國將限制AI所需的HBM芯片對華出口的背景之下，中國廠商開始囤積HBM產品。這也進一步推動了三星及SK海力士在中國營收的增長。

今年上半年，SK海力士在各地區(qū)的銷售總額中，中國和美國的銷售占比分別高達29.8%和55.4%，合計占其總銷售額的85.2%。其中，來自中國的銷售額達到了8.6061萬億韓元（約合64.3億美元），是去年同期的3.88萬億韓元的兩倍多；在美國的銷售額達到了15.9787萬億韓元（約合119.4億美元），是去年同期5.47萬億韓元的近三倍。這一增長得益于多種因素，包括內存芯片價格的上漲以及對高性能存儲產品如HBM3E以及企業(yè)級SSD的強勁需求。如果實施 HBM 禁令，SK海力士在中國市場的業(yè)務拓展會受到阻礙，損失一部分潛在的營收增長機會。與此同時，或許另一家HBM龍頭——三星，面臨的挑戰(zhàn)要更大。

三星，或受重創(chuàng)

首先，如前文所述，SK 海力士將大量精力投注于國際廠商的 HBM 訂單應對之中，如此一來，其源自中國大陸的收入占比相對有限。其次，在存儲領域三大巨頭之中，除 SK 海力士與三星外的那一家巨頭因特定緣由（后續(xù)會詳細闡述）未能在中國市場開展銷售業(yè)務。這般情形之下，便造就了三星占據中國大陸絕大部分HBM市場的局面。一旦相關禁令正式施行，三星于中國大陸的 HBM 業(yè)務必將深陷前所未有的艱難困境。不能在中國市場售賣 HBM 產品，這不僅會致使三星的業(yè)績表現大打折扣，還容易使其在國產化進程一系列連鎖反應的沖擊下，丟失這一市場。財報顯示，2024年上半年，三星電子在中國市場銷售額翻倍，達到32.3萬億韓元，相比去年同期的17.8萬億韓元提升了約181%。這讓中國市場占三星整體營收比重從21.74%擴大至30.81%。

美光，影響最小

上文提到，因特定緣由未能在中國市場開展HBM銷售業(yè)務的這一公司，便是美光。美光受到的影響與另外兩家相比或是最小的。然而，從全球市場角度看，如果三星和 SK 海力士在中國市場受限，可能會引發(fā)全球存儲市場格局變化，屆時因為三星和 SK 海力士的精力可能會更多地轉向其他市場，進而間接影響美光的全球營收。三星、SK海力士等韓國企業(yè)可能會因為依賴于美國EDA廠商Synopsys、Cadence的設計軟件，以及美國半導體設備大廠應用材料的半導體設備，因而受到新規(guī)限制。

此前有報道稱，對于美國可能對HBM芯片銷售實施新的出口限制，韓國產業(yè)通商資源部通商交涉本部長鄭仁教稱，韓國政府預計將就此事與美國進行談判。鄭仁教表示，“當三家（生產HBM芯片的）企業(yè)中有兩家是韓國企業(yè)時，（出口限制）就會對我們產生很大影響，在（美國）沒有發(fā)布任何官方聲明的情況下，我無法發(fā)表評論”。他同時稱，美方將與韓方合作，解決韓國企業(yè)的擔憂。

?03、制造HBM，有兩大難點

HBM生產的核心難點之一在于晶圓級先進封裝技術，主要包括TSV、micro bumping和堆疊鍵合。HBM首先使用TSV技術、micro bumping技術在晶圓層面上完成通孔和凸點，再通過TC-NCF、MR-MUF、Hybrid Bonding工藝完成堆疊鍵合，然后連接至 logic die，封測公司采用cowos工藝將HBM、SoC通過interposer硅中介層形成互通，最終連接至基板。其中，HBM制造中TSV成本占比最高，直接決定良率。

TSV相較于傳統(tǒng)互連方式更有優(yōu)勢。傳統(tǒng)方式是采取金屬布線和引線鍵合技術相結合的方式實現互連封裝，其信號傳輸距離長，信號損耗大，降低了通道和電路的可靠性。同時，平面層內互連布線復雜，容易導致信號和某些器件之間相互干擾。此外，平面布線也占用了芯片一定的使用面積。相較于傳統(tǒng)方式，TSV采用垂直互聯方式，其優(yōu)勢在于進一步提高了芯片的集成度，避免了空間的閑置和浪費，從而提高了芯片的堆疊密度。同時，由于是垂直空間互連，信號的傳輸效率和可靠性大大提高。硅通孔的應用使芯片的集成化、小型化和低功耗成為可能。

HBM主要采用micro bumping工藝制備微凸點。晶圓微凸點是先進封裝中的關鍵基礎技術之一。其主要作用是電信號互連及機械支撐，目前絕大部分先進封裝均需要用到晶圓微凸點技術，而凸點的制備則是微凸點技術最為關鍵的環(huán)節(jié)。HBM采用電鍍法制備微凸點。凸點制備方法有蒸發(fā)濺射法、電鍍法、化學鍍法、機械打球法、焊膏印刷法和植球法等。目前HBM的DRAM芯片之間主要通過micro bump（微凸點）互聯，micro bump是電鍍形成的銅柱凸點。

DRAM 生產能力也是一項關鍵制約因素。目前國內部分企業(yè)雖有一定的DRAM和先進封裝技術基礎，但掌握的DRAM工藝制程明顯落后于國際水平，且在DRAM上應用TSV、micro-bumping和堆疊鍵合等先進封裝工藝的經驗仍有較大差距。

?04、國產廠商，提速追趕

HBM作為當前AI領域首選的高帶寬內存技術，2023年其市場規(guī)模翻倍增長，達到約44億美元。根據Digitimes公布的數據，中國HBM的需求約占全球整體需求的7%，據此測算，2023年中國HBM市場規(guī)模約3.1億美元，前瞻產業(yè)研究院預測到2029年中國HBM行業(yè)市場規(guī)模將達到12億美元。隨著國產化進程的推進，國內對自主可控的HBM需求也在擴大。今年6月，中國臺灣電子時報援引業(yè)內人士消息稱，IC設備和材料供應商已經看到中國企業(yè)對HBM等產品的需求強勁。目前來看，打入HBM產業(yè)鏈的中國大陸企業(yè)中，有材料公司、封測公司、設備廠，也有代理商。

材料方面，飛凱材料表示，環(huán)氧塑封料是HBM存儲芯片制造技術所需要的材料之一，MUF材料按性狀和工藝分不同品種，目前公司MUF材料產品包括液體封裝材料LMC及GMC顆粒封裝料，液體封裝材料LMC已經量產并形成少量銷售，顆粒填充封裝料GMC尚處于研發(fā)送樣階段。興森科技表示，公司的FCBGA封裝基板可用于HBM存儲的封裝，但目前尚未進入海外HBM龍頭產業(yè)鏈。

封測方面，長電科技、通富微電和盛合晶微等封裝廠商已經擁有支持HBM生產的技術（如TSV硅通孔）。長電科技在投資者互動中表示，其XDFOI高密度扇出封裝解決方案也同樣適用于HBM的Chip to Wafer 和Chip to Chip TSV堆疊應用；通富微電此前表示，南通通富工廠先進封裝生產線建成后，公司將成為國內最先進的2.5D/3D先進封裝研發(fā)及量產基地，實現國內在HBM高性能封裝技術領域的突破。雖然國內已具備TSV、bumping和堆疊等HBM中使用到的先進封裝工藝，但仍需積累生產經驗以實現商業(yè)化量產。

在其余供應鏈上，芯片設計企業(yè)國芯科技則表示已與合作伙伴一起正在基于先進工藝開展流片驗證相關chiplet芯片高性能互聯IP技術工作，和上下游合作廠家積極開展包括HBM技術在內的高端芯片封裝合作。紫光國微表示，公司HBM產品為公司特種集成電路產品，目前還在研發(fā)階段。在此背景之下，國產存儲廠商也正全力以赴投身于技術儲備與突破進程。

總的來說，HBM禁令對于中國來說既是挑戰(zhàn)也是機遇。中國將不得不面對供應鏈中斷、技術挑戰(zhàn)等短期影響，但同時也將加速自主研發(fā)進程、推動產業(yè)鏈自主化以及促進全球半導體產業(yè)格局的變化。通過采取有效的應對策略，中國有望在全球半導體市場中占據更加重要的位置。