第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟誕生，咱們一起“變道超車”

小編語(yǔ)：小編也是驚呆了，這個(gè)“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”看上去好大的愿景--在國(guó)際上搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)，重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。曾幾何時(shí)，國(guó)內(nèi)也曾掀起一輪“IGBT”狂潮，而這一輪瘋狂躍進(jìn)的結(jié)果還不如LED、太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)，幾乎是雁過(guò)“無(wú)痕”，最后以南車收購(gòu)加拿大IGBT企業(yè)獲得相應(yīng)產(chǎn)線收?qǐng)?。第三?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/514436.html">半導(dǎo)體材料以各大科研機(jī)構(gòu)為背景，拉起如此大旗，小編佩服其決心，但也擔(dān)心其逃不開長(zhǎng)久以來(lái)國(guó)內(nèi)科研和商用脫節(jié)的魔咒，只能說(shuō)“祝好運(yùn)”……

9月9日下午，在國(guó)家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半導(dǎo)體相關(guān)科研機(jī)構(gòu)、大專院校、龍頭企業(yè)自愿發(fā)起籌建的“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”（簡(jiǎn)稱“聯(lián)盟”）正式成立。

科技部副部長(zhǎng)曹健林、高技術(shù)司趙玉海司長(zhǎng)，工信部原材料司綜合處常國(guó)武處長(zhǎng)，科技部高技術(shù)研究發(fā)展中心秦勇主任，北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)閆傲霜主任，中國(guó)科學(xué)學(xué)與科技政策研究會(huì)李新男副理事長(zhǎng)等出席成立大會(huì)。

據(jù)介紹，聯(lián)盟發(fā)起的目的主要是圍繞產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建創(chuàng)新鏈，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研合作以及跨界應(yīng)用的開放協(xié)同創(chuàng)新，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系的建設(shè)，培育形成一批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、知名品牌和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)的骨干企業(yè)群，形成全國(guó)一盤棋的發(fā)展合力，抓住換道超車的歷史性機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展，在國(guó)際上搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)，重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。

會(huì)議同期召開了聯(lián)盟第一屆理事會(huì)第一次工作會(huì)，進(jìn)行了理事長(zhǎng)、秘書長(zhǎng)的選舉。理事會(huì)邀請(qǐng)科技部副部長(zhǎng)曹健林出任顧問(wèn)委員會(huì)主任，提名中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、北京大學(xué)、南京大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、三安光電股份有限公司、國(guó)網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院、中興通訊股份有限公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司等創(chuàng)新鏈條上的重要機(jī)構(gòu)作為副理事長(zhǎng)單位。

據(jù)悉，所謂第三代半導(dǎo)體材料是指近年來(lái)迅速發(fā)展起來(lái)的以GaN、SiC和ZnO為代表的新型半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”。第三代半導(dǎo)體材料在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊。

目前，美、日、韓以及歐洲等發(fā)達(dá)國(guó)家已部署國(guó)家計(jì)劃搶占第三代半導(dǎo)體材料戰(zhàn)略制高點(diǎn)，而我國(guó)也十分重視第三代半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

與會(huì)專家認(rèn)為，我國(guó)材料研發(fā)的整體水平與國(guó)際上差距不大。比如，在第三代半導(dǎo)體材料第一個(gè)產(chǎn)業(yè)化的應(yīng)用方面--半導(dǎo)體照明已經(jīng)在關(guān)鍵技術(shù)上實(shí)現(xiàn)突破，創(chuàng)新應(yīng)用國(guó)際領(lǐng)先；在第三代半導(dǎo)體電子器件應(yīng)用方面，在移動(dòng)通訊、光伏逆變、雷達(dá)領(lǐng)域已有少量示范應(yīng)用。