1623
?
“人想多遠就能走多遠，這是清華人做大事的體現(xiàn)”，李軍對朱一明如此評價道。
上世紀七八十年代，存儲器的設計制造從美國和日本逐漸興起；到了 2004 年，存儲器行業(yè)江山已定，巨頭林立。朱一明和他的合作伙伴，清華 1985 級電子系校友舒清明，想在這樣的條件下生存和發(fā)展，在當時硅谷的專業(yè)人士看來幾率為零。
在硅谷打拼多年的李軍自然知道這一點，影響李俊決定投資朱一明的除了其身上的潛質外，還有眾多老師和校友對成就清華在集成電路領域影響力的情結。李軍至今還保留著會面之后朱一明給他發(fā)的電子郵件，郵件里朱一明預見了芯片產業(yè)向亞洲的轉移，他相信是時候輪到中國在這個產業(yè)里扮演重要角色了。
朱一明（右）、舒清明（左）
在李軍及其他天資投資人的幫助下，朱一明和合伙人舒清明以 10 萬美元投資起家，在硅谷的一個車庫里開始了車庫創(chuàng)業(yè)。兩個資淺工程師帶著兼職的團隊在幾個月的時間里就研制出了存儲器樣品，傳統(tǒng)的靜態(tài)存儲器一個存儲單元需要六個晶體管，而他們的創(chuàng)新技術只需要兩個——這意味著成本縮小為三分之一，而性能和效率擴大了三倍。
朱一明與兆易創(chuàng)新
2005 年朱一明從美國硅谷回到中國后創(chuàng)辦了兆易創(chuàng)新，一開始就選擇了中國處于空白地位的存儲芯片領域。在他的帶領下，公司在技術和市場領域飛速發(fā)展，先后推出國內第一顆 Serial Flash 產品、第一顆靜態(tài)存儲器及 IP 技術、第一款 GigaROM 產品，開創(chuàng)了中國存儲器制造先河。
2008 年，對兆易創(chuàng)新來說是一個節(jié)點，金融危機那場颶風刮得太猛烈，吹倒了半導體行業(yè)的大樹，樹下的小草也不免風雨飄搖。朱一明及團隊靠技術實力設計出了大溫度范圍和高存儲密度的產品，戰(zhàn)勝了兩個美國設計團隊，最終獲得一家日本公司的訂單；同時又得到了來自校友的 2000 多萬資助。兆易創(chuàng)新這顆小草在金融危機吹過的時候沒有倒下，春風又起時終于迎來新的契機。
2011 年，兆易創(chuàng)新率先打入手機產業(yè)鏈并促使其不斷完善，形成了新的產業(yè)格局，使手機市場開始大量采用大陸自產的高性價比串行閃存產品。
2012 年手機與嵌入式市場的應用比例已平分千秋，一舉躋身串行閃存產品領域世界前 5 名。朱一明多次參與國內領先技術的研發(fā)項目，申請國際國內專利 50 余項。
2016 年，公司的銷售網絡已經遍布中國大陸、中國臺灣地區(qū)、韓國、美國，英國、日本等地，同年 8 月 18 日，公司在上交所 IPO 上市。
不僅在技術上，在市場上兆易創(chuàng)新也獲得認可。截止到 2017 年，兆易創(chuàng)新的 NOR Flash 市場份額高達 8%，全球排名第五。在序列式 NOR Flash 領域，公司更是從 2013 年就已經成為了全球三大供應商之一，累計出貨量達到 100 億顆。
現(xiàn)代信息處理的體系結構是以“一個處理器加無限擴充的存儲器”的馮·諾依曼結構發(fā)展而來，2017 年全球半導體銷售金額為 4200 億美金，其中僅存儲芯片銷售就達 1200 億美金。這也意味著，存儲芯片占據(jù)整個半導體領域三分之一市場，超過 CPU 所占比重，是半導體行業(yè)最重要的分支。
在相當長的一段時間里，受限于技術、資金、專利、人才等制約，中國在存儲芯片領域基本處于空白。不過，近幾年這一情況正在發(fā)生變化，以兆易創(chuàng)新為代表的中國公司正在快速崛起。
朱一明為兆易創(chuàng)新設立的目標是成為“中國的三星電子”。他坦言，是存儲芯片行業(yè)的天時地利，加上挫折換來的經驗，才成就了今天“小有成績”的兆易創(chuàng)新。
2018 年 7 月 16 日晚間發(fā)布公告，董事會收到公司總經理朱一明的書面辭職信。朱一明因工作需要辭去公司總經理職務，仍繼續(xù)擔任公司董事長及董事會相關專業(yè)委員會職務。
朱一明是為了什么工作需要辭去兆易創(chuàng)新總經理的職務？他去了哪？此事要從 7 月 16 日，中國大陸第一家存儲大廠合肥長鑫宣布正式投片說起。在 7 月 16 日的長鑫存儲存儲器項目首次投片總結大會上，合肥長鑫董事長、原睿力 CEO 王寧國正式把長鑫存儲以及睿力 CEO 的職位交給朱一明。
?
朱一明與合肥長鑫
去年，我國總計進口了 896 億美元的存儲器，也就是幾乎 100%依賴進口，這使得存儲器產業(yè)被中國列入重點發(fā)展的產業(yè)之一。但是，對比三星前期宣布將量產新一代的 8Gb LPDDR5 DRAM 存儲器的情況，在我國，雖然紫光集團旗下的西安紫光國芯雖然有 DDR3、DDR4 存儲器顆粒生產。不過，技術來源是之前已經破產的奇夢達。因此，對于合肥長鑫能開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 存儲器來說，可以說是中國廠商在存儲器市場上的一次新的突破，使得各界格外關心這件事情。
朱一明（左）、王寧國（右）
朱一明辭去兆易創(chuàng)新 CEO 后，正是為了去接任合肥長鑫存儲及睿力 CEO 一職，引領合肥長鑫存儲在 DRAM 領域繼續(xù)突破。由于在半導體領域，存儲芯片一直是主戰(zhàn)場，本次投片可以說是中國半導體產業(yè)的一個重要里程碑。經過合肥市委、集成電路產業(yè)基金（大基金）的批準，朱一明將全職擔任長鑫存儲、睿力 CEO 職位，他承諾在合肥長鑫盈利之前不領一分錢工資、一分錢獎金。
據(jù)悉，朱一明與合肥長鑫的緣分始于項目之初。
合肥長鑫 12 吋存儲器晶圓制造基地項目又稱“506 項目”，傳聞是因合肥市及經開區(qū)主要領導和朱一明在 2016 年 5 月 6 日研討合肥的存儲器項目發(fā)展戰(zhàn)略而得名。
該項目包括合肥長鑫、長鑫存儲、睿力集成三個運營主體，其中合肥長鑫為合肥市產業(yè)投資控股（集團）有限公司全資子公司。
2017 年 10 月，兆易創(chuàng)新斥資人民幣 180 億元進軍 DRAM 市場，與合肥產投簽署為期五年協(xié)定，雙方將在合肥經濟技術開發(fā)區(qū)合作開展 1x 納米等級 19nm 制程的 12 吋晶圓存儲器（含 DRAM）研發(fā)項目，預計在 2018 年 12 月 31 日前達到產品良率不低于 10%的目標。而整個合肥長鑫的 DRAM 投資案超過 72 億美元，工程將分 3 期完成。目前的第 1 期的 12 吋晶圓廠工程，預計投產后可達到月產能 12.5 萬片的規(guī)模。而這樣的產能達到全球 DRAM 存儲器產能的 8%市占率。
朱一明與合肥長鑫存儲項目自此再多一層密切合作關系，此次接任長鑫存儲及睿力 CEO 在業(yè)內看來不算意外。
合肥長鑫邁入新發(fā)展階段
在此之前，合肥長鑫存儲項目一直由前中芯國際 CEO 王寧國核心團隊操刀。
王寧國出生于 1946 年，為美國加利福尼亞大學伯克利分校材料科學及工程系博士，曾擔任華虹集團 CEO 及華虹集團附屬公司華虹 NEC 董事長、中芯國際 CEO，合肥長鑫存儲項目成立后，在王寧國及其核心團隊帶領下進展順利。
該項目于 2016 年 5 月 6 日啟動、2017 年 3 月工廠一期開工、2018 年 1 月一期廠房建設完成開始設備安裝。2018 年 7 月 16 日，合肥長鑫存儲項目進行了控片投片總結大會，大會上宣布正式投產。
由于合肥長鑫預計明年上半年進入量產階段，初期僅少量生產，所以對于市場競爭短期無重大影響，但對于中國 DRAM 產業(yè)來說還是跨出了第一步，具有指標性的意義。
項目正值投片、量產的關鍵時間點，合肥長做出這樣的人事調動，一方面與王寧國完成廠房建立接段性任務有關，另一方面也希望藉助過去朱一明在研發(fā)及量產銷售上的經驗，為合肥長鑫未來的發(fā)展進行加持，持續(xù)執(zhí)行研發(fā)與生產的工作，意味著合肥長鑫存儲項目由建廠摸索期進入了以研發(fā)、量產、營銷為主軸的新階段。
根據(jù)之前長鑫存儲、睿力集成電路的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設完成，并開始設備安裝；2018 年底量產 8Gb DDR4 工程樣品；2019 年 3 季度量產 8Gb LPDDR4；2019 年底實現(xiàn)產能 2 萬片 / 月；2020 年開始規(guī)劃二廠建設；2021 年完成 17 納米技術研發(fā)。此時長鑫存儲、睿力集成，正在處于一個進入量產的關鍵時間點。也因此，這項高層變動廣受外界矚目。
?
合肥長鑫形勢嚴峻
合肥長鑫步入試產階段，量產預計落在明年上半年。作為國內第一家步入先進技術投片階段的存儲器廠商，合肥長鑫展示了自身的實力。合肥長鑫此次投片的 8GB LPDDR4 屬于 19nm DRAM 工藝，在 12 英寸的硅片上可以制作 900 個產品，第一次投片成品率力爭 10%。
當合肥長鑫成功實現(xiàn)存儲器的自主生產、產量達到 50000 片以后，三星或將從兩方面對其進行打壓?！叭菚l(fā)起‘專利爭奪’。在存儲器領域，三星已經積攢了很多年的經驗與成果，其專利的覆蓋面非常大。對于剛剛起步的合肥長鑫來說，存在著很大的壓力。
中國半導體發(fā)展至今不過數(shù)載，所以 IP 的累積絕對是當務之急，此舉除了可以保護自身的權益外，也可避免國際大廠用專利權訴訟來阻擋中國半導體領域的發(fā)展。
除了專利爭奪，價格博弈也是三星的一大優(yōu)勢。一旦合肥長鑫做的風生水起，三星很大概率會通過降低產品價格進行市場爭奪。
所以降低成本會是中國存儲器廠商未來面對的一個很大問題。在存儲器大幅缺貨的情況下，合肥長鑫等新玩家的加入將有助于抑制價格的漲幅。合肥長鑫將重點放在中國半導體領域的發(fā)展，以未來能夠達到自主研發(fā)與生產為目標。加上中國品牌手機如華為、OPPO、VIVO 以及小米在全球市場已經有一定的份額，如未來能采用合肥長鑫的產品必能有相輔相成的效果。
研究公司 Cinno 的分析師 Sean Yang 表示，像合肥長鑫這樣的中國新玩家在 DRAM 市場上嶄露頭角仍有較大挑戰(zhàn)。三星、SK 海力士和美光幾乎控制了所有重要的 DRAM 專利，如果一切順利，長鑫可能會在 2020 年后開始對市場產生影響。
可以看到，在未來幾年，合肥長鑫等本土企業(yè)還會面臨非常嚴峻的形勢。能否度過難關，發(fā)展壯大，政府的定力以及企業(yè)的自主創(chuàng)新能力都有著重要的作用。
我們希望朱一明能夠堅持打造一家“中國的三星電子”的夢想，幫助合肥長鑫取得進一步的發(fā)展和突破，任重道遠，砥礪前行。
畢竟，人想多遠就能走多遠，是清華人做大事的體現(xiàn)。
朱一明簡歷
朱一明出生于 1972 年，先后在清華大學、紐約州立大學石溪分校獲得物理學碩士學位和電子工程系碩士學位；
1997 年 7 月 -1998 年 7 月任職北京安美消防技術服務公司；
1998 年 8 月 -2000 年 5 月紐約州立大學石溪分校電子工程系碩士；
2000 年 6 月 -2001 年 5 月 iPolicy Networks Inc. 任資深工程師；
2001 年 6 月 -2004 年 11 月 Monolithic System Technologies Inc. 任項目主管；
2004 年于美國創(chuàng)辦 GigaDevice Semiconductor Inc；
2005 年，在美國硅谷實戰(zhàn)多年的朱一明回國創(chuàng)立北京芯技佳易微電子科技有限公司，后更名為兆易創(chuàng)新；
2010 年，朱一明入選北京“海聚工程”和中央“千人計劃”，并被授予國家級“特聘專家”；
2016 年 8 月兆易創(chuàng)新在上海交易所上市，為國內主要 NOR Flash 廠商。
2018 年 7 月辭去兆易創(chuàng)新總經理職位，接任合肥長鑫、睿力 CEO 一職 ...
與非網原創(chuàng)內容，未經許可，不得轉載！
