中國31城市集成電路流片支持政策大全

2014 年 6 月，國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》?！毒V要》部署充分發(fā)揮國內(nèi)市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，營造良好發(fā)展環(huán)境，激發(fā)企業(yè)活力和創(chuàng)造力，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同可持續(xù)發(fā)展，加快追趕和超越的步伐，努力實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)跨越式發(fā)展。
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《綱要》的主要任務(wù)和發(fā)展重點(diǎn)是：著力發(fā)展集成電路設(shè)計(jì)業(yè)；加速發(fā)展集成電路制造業(yè)；提升先進(jìn)封裝測(cè)試業(yè)發(fā)展水平；突破集成電路關(guān)鍵裝備和材料。
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在《綱要》的推動(dòng)下，國內(nèi)各大城市紛紛全面布署集成電路產(chǎn)業(yè)，并紛紛制定各種集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策。各地政策中都有專門條款針對(duì)流片進(jìn)行支持。

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芯思想研究院對(duì)我國 32 個(gè)城市的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展支持政策進(jìn)行了整理和分析，除了濟(jì)南外，其他 31 個(gè)城市的集成電路多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片（Full Mask）給予一定比例的資金支持。
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1、北京
2016 年 12 月北京中關(guān)村國家自主創(chuàng)新示范區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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支持集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)加大新產(chǎn)品研發(fā)力度。重點(diǎn)支持集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)流片和掩模版制作。對(duì)開展工程產(chǎn)品首輪流片的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，按照該款產(chǎn)品首輪流片合同金額的 20%或掩模板制作合同金額的 20%予以研發(fā)資金支持。且合同須已執(zhí)行。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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2、上海
2017 年 11 月上海市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)經(jīng)過全掩模流片，以及首次與本市集成電路制造企業(yè)簽訂流片合同，利用其生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)線寬在 45 納米及以下工程產(chǎn)品流片的設(shè)計(jì)企業(yè)，給予不超過產(chǎn)品流片費(fèi)用（流片費(fèi)包括：IP 授權(quán)費(fèi)、掩模版費(fèi)、測(cè)試化驗(yàn)加工費(fèi)）的 30%的資金支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 1500 萬元。
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3、天津
3.1 濱海新區(qū)
2014 年 2 月天津?yàn)I海新區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)使用本市代工企業(yè)進(jìn)行 IP 驗(yàn)證、研發(fā)流片等的給予合同額 10%的資金支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。
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3.2 西青區(qū)?
2019 年 1 月天津西青區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)參加多項(xiàng)目晶圓項(xiàng)目，按照直接費(fèi)用的 80%給予支持；對(duì)設(shè)計(jì)企業(yè)掩模制作費(fèi)用，按照直接費(fèi)用的 40%給予支持；對(duì)設(shè)計(jì)企業(yè)工程片、試流片加工費(fèi)用的 40%給予支持。三項(xiàng)支持合計(jì)計(jì)算。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。
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4、重慶
2018 年 8 月重慶市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)使用多項(xiàng)目晶圓流片進(jìn)行研發(fā)的企業(yè)，按照多項(xiàng)目晶圓（MPW）流片費(fèi) 50%的比例給予資金支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。
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對(duì)實(shí)際到位投資 2000 萬元以上的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，按照其每款產(chǎn)品完成首次全掩模工程流片費(fèi)用 50%的比例給予資金支持（流片費(fèi)包括：IP 授權(quán)費(fèi)、掩模版費(fèi)、測(cè)試化驗(yàn)加工費(fèi)）。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 1000 萬元。
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同時(shí)，還對(duì)晶圓制造企業(yè)給予支持。對(duì)集成電路制造企業(yè)開放產(chǎn)能為企業(yè)代工流片的，按照每片（折合 8 英寸片）100 元的標(biāo)準(zhǔn)給予資金支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 1000 萬元。（將有利于華潤微電子重慶）
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5、南京?
2016 年 3 月南京市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持
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對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)開展的符合一定條件的工程產(chǎn)品首輪流片，按照該款產(chǎn)品掩模版制作費(fèi)用的 60%或首輪流片費(fèi)用的 30%支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。
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5.1 浦口區(qū)
2019 年 3 月南京浦口區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)于首次完成全掩模工程產(chǎn)品流片或開展多項(xiàng)目晶圓首輪流片的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，疊加市級(jí)獎(jiǎng)補(bǔ)給予直接費(fèi)用最高不超過 60%的支持；對(duì)再次完成全掩模工程產(chǎn)品流片的，給予直接費(fèi)用最高不超過 50%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。
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6、無錫?
2018 年 2 月無錫出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，且對(duì)工藝制程達(dá)到一定節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品進(jìn)行工程流片（含 MPW）的設(shè)計(jì)企業(yè)，擇優(yōu)最高按照該款產(chǎn)品首輪流片（含 IP 授權(quán)、掩模制版）費(fèi)用的 40%給予支持；對(duì)在本地生產(chǎn)企業(yè)掩模流片的，擇優(yōu)最高按首輪流片費(fèi)用的 60%給予支持。

工藝制程為 45nm 以上的，單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。

工藝制程達(dá)到 45nm 及以下的，單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。
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7、蘇州?
2019 年蘇州工業(yè)園區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品進(jìn)行首輪流片（MPW 或工程流片）產(chǎn)生的費(fèi)用，給予最高 50%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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對(duì)注冊(cè)在園區(qū)的集成電路制造、封裝測(cè)試等企業(yè)，為園區(qū)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)提供流片、封裝、測(cè)試服務(wù)的，給予實(shí)際服務(wù)金額 10%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。（將有利于和艦芯片制造、晶方半導(dǎo)體）
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8、昆山?
2018 年 6 月昆山市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì) IC 設(shè)計(jì)企業(yè)開展的符合一定條件的工程產(chǎn)品首輪流片，按該產(chǎn)品掩模制版費(fèi)用的 60%或首輪流片費(fèi)用的 30%給予支持。

單一產(chǎn)品年度支持總額最高不超過 200 萬元；單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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9、南通?
2017 年 11 月南通港閘區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)用于研發(fā)的多項(xiàng)目晶圓（MPW），可享受多項(xiàng)目晶圓（MPW）直接費(fèi)用 70%的支持、工程片試流片加工費(fèi) 40%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元，連續(xù)支持 3 年。
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10、常州
2019 年 5 月常州武進(jìn)區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)工程流片（含 MPW）的設(shè)計(jì)企業(yè)，最高按照該款產(chǎn)品首輪流片（含 IP 授權(quán)、掩模制版）費(fèi)用的 50%給予支持。

工藝制程 40nm 以上產(chǎn)品支持總額不超過 300 萬元，工藝制程達(dá)到 40nm-28nm（不含 28nm）產(chǎn)品支持總額不超過 500 萬元，工藝制程達(dá)到 28nm 及以下產(chǎn)品支持總額不超過 800 萬元。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 1000 萬元。
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11、杭州
2018 年 7 月杭州市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)進(jìn)行重點(diǎn)支持領(lǐng)域工程產(chǎn)品流片的集成電路企業(yè)，給予其該款產(chǎn)品掩模版制作費(fèi)用的 50%或首輪流片費(fèi)用的 30%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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11.1 杭州高新區(qū)
2019 年 11 月杭州高新區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)進(jìn)行重點(diǎn)支持領(lǐng)域工程產(chǎn)品流片的集成電路企業(yè)，給予其該款產(chǎn)品掩模版制作費(fèi)用的 50%或首輪流片費(fèi)用的 30%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。
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12、寧波
2019 年 2 月寧波高新區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)區(qū)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)、制造企業(yè)進(jìn)行工程流片的費(fèi)用，按照當(dāng)年實(shí)際發(fā)生額給予 50%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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13、紹興
2018 年紹興越城區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)在本區(qū)集成電路生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行重點(diǎn)支持領(lǐng)域的工程產(chǎn)品流片的設(shè)計(jì)企業(yè)，按該款產(chǎn)品掩模版制作費(fèi)用的 60%或者首輪流片費(fèi)用的 30%給予研發(fā)支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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14、海寧
2018 年 6 月海寧市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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鼓勵(lì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)開展符合一定條件的工程產(chǎn)品首輪流片，按照該款產(chǎn)品掩模版制作費(fèi)用的 60%或首輪流片費(fèi)用的 30%給予支持。
最高不超過 200 萬元研發(fā)支持。

單一產(chǎn)品年度支持總額最高不超過 200 萬元；同一企業(yè)每年支持上限為 500 萬元。
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15、青島
2019 年 2 月青島紅島經(jīng)濟(jì)區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)注冊(cè)在紅島的獨(dú)立法人公司或商及稅務(wù)注冊(cè)地遷至紅島經(jīng)濟(jì)區(qū)的公司，按照產(chǎn)品掩模版制作費(fèi)用的 60%或首輪流片費(fèi)用的 40%給予支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 150 萬元，連續(xù)支持 3 年。
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16、合肥
2018 年 4 月合肥市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)參加 MPW 項(xiàng)目（多項(xiàng)目晶圓項(xiàng)目，含單企業(yè) MPW），同一設(shè)計(jì)型號(hào)首輪流片、再次流片分別按 50%、30%給予支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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企業(yè)進(jìn)行工程流片，按照工程型號(hào)產(chǎn)品掩模版制作費(fèi)用或首輪流片費(fèi)用的 30%給予支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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16.1 合肥高新區(qū)
2018 年 8 月合肥高新區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)產(chǎn)品流片（含掩模版等）費(fèi)用的 30%及從第三方購買 IP（含 Foundry 的 IP 模塊）費(fèi)用的 30%予以支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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17、蕪湖
2019 年 7 月蕪湖市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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微電子設(shè)計(jì)企業(yè)參與研發(fā)的多項(xiàng)目晶圓（MPW），可享受最高不超過 MPW 直接費(fèi)用 70%（高校或科研院所 MPW 直接費(fèi)用 80%）、工程片試流片加工費(fèi) 30%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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本地微電子設(shè)計(jì)企業(yè)利用本地芯片生產(chǎn)線流片，按首次工程流片費(fèi)用（含 IP 授權(quán)或購置、掩模版制作、流片等）的 40%給予支持。（蕪湖本地芯片生產(chǎn)線在哪里）

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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18、廣州
2018 年 9 月廣州黃埔區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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企業(yè)研發(fā)多項(xiàng)目晶圓（MPW）流片的，按直接費(fèi)用的 80%給予支持；企業(yè)購買光罩、研發(fā)全掩模（Full Mask）流片的，按直接費(fèi)用的 40%給予支持；企業(yè)研發(fā)工程片、試流片的，按加工費(fèi)用的 30%給予支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。
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19、深圳
2019 年 4 月深圳市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)于使用多項(xiàng)目晶圓進(jìn)行研發(fā)的設(shè)計(jì)企業(yè)，給予多項(xiàng)目晶圓直接流片費(fèi)用最高 70%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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對(duì)于首次完成全掩模工程產(chǎn)品流片的企業(yè)，給予流片費(fèi)用最高 50%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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19.1 坪山區(qū)
2019 年 5 月坪山區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)參加多項(xiàng)目晶圓（MPW）項(xiàng)目，按多項(xiàng)目晶圓（MPW）直接費(fèi)用的 80%進(jìn)行支持；高?；蚩蒲性核鶇⒓佣囗?xiàng)目晶圓（MPW）項(xiàng)目的，按多項(xiàng)目晶圓（MPW）直接費(fèi)用的 90%進(jìn)行支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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對(duì)利用坪山區(qū)晶圓制造企業(yè)開展多項(xiàng)目晶圓（MPW）的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，按多項(xiàng)目晶圓（MPW）直接費(fèi)用的 80%進(jìn)行支持；對(duì)利用坪山區(qū)晶圓制造企業(yè)開展多項(xiàng)目晶圓（MPW）的高校或科研院所，按多項(xiàng)目晶圓（MPW）直接費(fèi)用的 90%進(jìn)行支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 400 萬元的資助。（有利于中芯國際深圳）
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對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)首次工程流片進(jìn)行資助，按首次工程流片費(fèi)用（含 IP 授權(quán)或購置、掩模版制作、流片等）的 30%進(jìn)行支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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對(duì)利用坪山區(qū)企業(yè)集成電路生產(chǎn)線流片的，按首次流片費(fèi)用的 60%進(jìn)行支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。（有利于中芯國際深圳）
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19.2 龍崗區(qū)
2019 年 7 月龍崗區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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給予不超過上一年多項(xiàng)目晶圓（MPW）流片（含掩模版）實(shí)際發(fā)生金額、單個(gè)項(xiàng)目最高 100 萬元扶持，單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元。
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于完成小于 90nm 全掩模（Full Mask）工程產(chǎn)品流片的項(xiàng)目，給予不超過流片費(fèi)用（含掩模版），其中，工藝制程小于 90nm、大于 45nm（不含）的，單個(gè)項(xiàng)目最高扶持 50 萬元，小于 45nm、大于 28nm（不含）的，單個(gè)項(xiàng)目最高扶持 200 萬元，小于 28nm 的，單個(gè)項(xiàng)目最高扶持 300 萬元；同一項(xiàng)目只扶持 1 次。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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20、珠海
2019 年 1 月珠海高新區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)在參加多項(xiàng)目晶圓（MPW）、工程片試流片階段，市財(cái)政對(duì)企業(yè)多項(xiàng)目晶圓（MPW）直接費(fèi)用給予最高 70%的支持，區(qū)財(cái)政再給予 10%的支持；市財(cái)政對(duì)企業(yè)首次工程片流片加工費(fèi)（含 IP 授權(quán)或購置、掩模版制作、流片等）給予最高 30%的支持，區(qū)財(cái)政再給予 20%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元（其中區(qū)財(cái)政不超過 200 萬元）。
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21、東莞
2017 年 12 月東莞松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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購買多項(xiàng)目晶圓（MPW）項(xiàng)目費(fèi)用，給予 50%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。
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購買光罩（MASK）費(fèi)用，給予 30%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 150 萬元。
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22、福州?
2017 年 9 月福州高新區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì) IC 設(shè)計(jì)企業(yè)參加多項(xiàng)目晶圓（MPW）項(xiàng)目，采用 180nm 以上工藝，給予 MPW 直接費(fèi)用 40%支持；采用 180nm 及以下工藝，給予 MPW 直接費(fèi)用 45%；對(duì)企業(yè)在本地代工廠采用 90nm 及以下工藝，給予 MPW 直接費(fèi)用 50%支持；成立不足 3 年的企業(yè)申請(qǐng)首件 MPW 支持，最高給予 MPW 直接費(fèi)用 80%支持。（實(shí)在不知福州本地代工廠有 90nm 及以下工藝）

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。
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23、廈門
2016 年 6 月廈門市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。2018 年 10 月進(jìn)行了修訂、增補(bǔ)。
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用于研發(fā)的集成電路企業(yè)多項(xiàng)目晶圓（MPW），按照不高于多項(xiàng)目晶圓（MPW）直接費(fèi)用 70%進(jìn)行資助，針對(duì)硅 CMOS 工藝最小線寬≤55nm、GaAs MMIC 工藝最小線寬≤250nm 等兩類先進(jìn)工藝，按照不高于多項(xiàng)目晶圓（MPW）直接費(fèi)用 80%進(jìn)行資助；用于研發(fā)的集成電路企業(yè)工程片試流片按照不高于其加工費(fèi) 30%進(jìn)行資助，針對(duì)硅 CMOS 工藝最小線寬≤55nm、GaAs MMIC 工藝最小線寬≤250nm 等兩類先進(jìn)工藝，工程片試流片按照不高于其加工費(fèi) 40%進(jìn)行支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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同時(shí)政策規(guī)定，本地集成電路企業(yè)利用本地集成電路生產(chǎn)線流片，按首次工程流片費(fèi)用（含 IP 授權(quán)或購置、掩模版制作、流片等）的 40%給予支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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23.1 廈門海滄區(qū)
2017 年 6 月 22 日廈門海滄區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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利用廈門集成電路生產(chǎn)線流片，按首次工程流片費(fèi)用（含 IP 授權(quán)或購置、掩模版制作、流片等）的 50%給予支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。
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24、泉州
2018 年 8 月泉州市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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按 MPW 直接費(fèi)用的 80%給予支持；企業(yè)參加工程流片項(xiàng)目，對(duì)同一流片項(xiàng)目工程流片費(fèi)用給予 50%支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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25、晉江
2016 年 10 月晉江市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持，2019 年 5 月對(duì)政策進(jìn)行了修訂、增補(bǔ)，于 2019 年 6 發(fā)布修訂版。
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對(duì)采用多項(xiàng)目晶圓技術(shù)的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，按 MPW 直接費(fèi)用的 80%（高校或科研院所按 90%）給予支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 400 萬元。
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對(duì)采用全掩模工程片流片的，按照其每款產(chǎn)品首次工程流片費(fèi)用（掩模版費(fèi)及流片加工費(fèi)）的 30%給予支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 400 萬元。
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對(duì)利用晉華集成電路生產(chǎn)線流片的企業(yè)，按首次工程流片費(fèi)用（含 IP 授權(quán)或購置費(fèi)、掩模版費(fèi)及流片加工費(fèi)等）的 40%給予支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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26、莆田
2018 年 12 月莆田市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，按照 MPW 流片費(fèi)用 80%支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，首輪工程流片按照流片費(fèi)用的 50%支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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27、武漢
2019 年 8 月武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)進(jìn)行工程產(chǎn)品流片的集成電路企業(yè)，按照掩模版制作費(fèi)用的 50%或首輪流片費(fèi)用的 30%給予支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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28、長沙
2019 年 9 月 20 日長沙市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和首輪流片進(jìn)行支持。
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對(duì)企業(yè)的多項(xiàng)目晶圓（MPW）試流片、全掩模（Full Mask）工程產(chǎn)品首次流片、購買 IP 核費(fèi)用，給予實(shí)際發(fā)生額的 60%、50%、50%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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29、成都
2018 年 3 月成都市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持 .
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對(duì)于首次完成全掩膜（Full Mask）工程產(chǎn)品流片的企業(yè)，給予流片費(fèi)用最高 10%、年度總額不超過 500 萬元的補(bǔ)貼；對(duì)于進(jìn)行化合物半導(dǎo)體全掩膜首輪驗(yàn)證性流片的企業(yè)，給予流片費(fèi)用最高 50%、年度總額不超過 500 萬元的補(bǔ)貼；對(duì)于使用多項(xiàng)目晶圓（MPW）流片進(jìn)行研發(fā)的企業(yè)（單位），給予 MPW 直接費(fèi)用最高 40%、年度總額不超過 100 萬元的補(bǔ)貼。
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2018 年 6 月發(fā)布政策實(shí)施細(xì)則。
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對(duì)于使用多項(xiàng)目晶圓（MPW）流片進(jìn)行研發(fā)的企業(yè)，給予多項(xiàng)目晶圓（MPW）直接費(fèi)用最高 40%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 100 萬元。
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本市 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)工程產(chǎn)品在本市企業(yè)完成首輪全掩模（Full Mask）工程產(chǎn)品流片，達(dá)到可以提供給集成電路系統(tǒng)整機(jī)廠商的芯片示范應(yīng)用水準(zhǔn)，首輪流片費(fèi)用累計(jì)在 4000 萬元以上（含 4000 萬元），給予 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)流片費(fèi)用 10%的支持；首輪流片費(fèi)用累計(jì)在 2000 萬元以上但小于 4000 萬元（含 2000 萬元、不含 4000 萬元），給予 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)流片費(fèi)用 7%的支持；首輪流片費(fèi)用累計(jì)小于 2000 萬元（不含 2000 萬），給予 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)流片費(fèi)用 5%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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非本市 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)工程產(chǎn)品委托本市集成電路制造企業(yè)完成首輪全掩模（Full Mask）工程產(chǎn)品流片，達(dá)到可以提供給集成電路系統(tǒng)整機(jī)廠商的芯片示范應(yīng)用水準(zhǔn)，給予本地集成電路制造企業(yè)代工的流片費(fèi)用 2%的支持。
單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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本市 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)委托非本市集成電路制造企業(yè)完成首輪全掩模（Full Mask）工程產(chǎn)品流片，達(dá)到可以提供給集成電路系統(tǒng)整機(jī)廠商的芯片示范應(yīng)用水準(zhǔn)，給予 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)流片費(fèi)用總額 1.5%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 50 萬元。
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對(duì)于提供化合物半導(dǎo)體全掩模首輪驗(yàn)證性無償試流片的本市代工企業(yè)，首輪流片成本費(fèi)用累計(jì)在 900 萬元以上（含 900 萬元），給予代工企業(yè)流片成本費(fèi)用 50%的支持；首輪流片成本費(fèi)用累計(jì) 300 萬元以上、小于 900 萬元（含 300 萬元，不含 900 萬元），給予代工企業(yè)流片成本費(fèi)用 20%的支持；首輪流片成本費(fèi)用小于 300 萬元（不含 300 萬元），給予代工企業(yè)流片成本費(fèi)用 10%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 500 萬元。
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對(duì)于在本市進(jìn)行化合物半導(dǎo)體全掩模首輪驗(yàn)證性有償試流片的本市 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)，首輪流片費(fèi)用累計(jì)在 1000 萬元以上（含 1000 萬元），給予 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)流片費(fèi)用 10%的支持；首輪流片費(fèi)用累計(jì)在 500 萬元以上、小于 1000 萬元（含 500 萬元、不含 1000 萬元），給予 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)流片費(fèi)用 7%的支持；首輪流片費(fèi)用累計(jì)小于 500 萬元（不含 500 萬元），給予 IC 設(shè)計(jì)企業(yè)流片費(fèi)用 5%的支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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30、貴陽
2016 年 5 月貴陽市出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)開展工程產(chǎn)品首輪流片的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，按照該款產(chǎn)品掩模版制作費(fèi)用的 20%或首輪流片費(fèi)用的 20%予以資金支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 200 萬元。
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31、西安
2018 年 2 月西安國家自主創(chuàng)新示范區(qū)出臺(tái)政策對(duì)多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩模流片進(jìn)行支持。
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對(duì)于集成電路產(chǎn)品設(shè)計(jì)企業(yè)，按照企業(yè)初次流片實(shí)際費(fèi)用的 50%予以支持。

單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 50 萬元。
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分析：
1、對(duì)工藝有明確要求，以提升本地設(shè)計(jì)工藝技術(shù)。上海明確規(guī)定支持的是 45 納米及以下工藝，由于 45 納米及以下費(fèi)用較高，所以支持額度高達(dá) 1500 萬元。無錫對(duì)工藝也有明確規(guī)定，如工藝制程為 45 納米以上的，單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 300 萬元；而工藝制程達(dá)到 45nm 及以下的，單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 600 萬元。廈門則針對(duì)硅 CMOS 工藝最小線寬≤55nm、GaAs MMIC 工藝最小線寬≤250nm 等兩類先進(jìn)工藝，給予更大支持。而常州對(duì)工藝要求更甚。工藝制程 40nm 以上產(chǎn)品支持總額不超過 300 萬元，工藝制程達(dá)到 40nm-28nm（不含 28nm）產(chǎn)品支持總額不超過 500 萬元，工藝制程達(dá)到 28nm 及以下產(chǎn)品支持總額不超過 800 萬元，單一企業(yè)年度支持總額最高不超過 1000 萬元。
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2、在流片支持條款中明確要支持本地晶圓制造企業(yè)。上海、重慶、蘇州、蕪湖、深圳、晉江、成都都規(guī)定對(duì)利用本地晶圓制造企業(yè)開展多項(xiàng)目晶圓（MPW）和全掩膜流片給予更大支持，這對(duì)中芯國際、華虹集團(tuán)、華潤微電子重慶、和艦芯片制造、晉華集成、海威華芯是利好，也將極大促進(jìn)當(dāng)?shù)刂圃炱髽I(yè)的發(fā)展。
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3、大部分城市的流片補(bǔ)貼只是流于形式，為了招商工作而寫，多是給出一個(gè)補(bǔ)貼比例和最高補(bǔ)貼限額，無外乎就是比哪個(gè)城市支持的金額更大，而對(duì)工藝等沒有具體要求，造成魚龍混雜，對(duì)真正進(jìn)行高端先進(jìn) IC 設(shè)計(jì)的公司不利。
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如果一個(gè)城市招商，只是靠政策恐怕不會(huì)長遠(yuǎn)；一個(gè)企業(yè)落戶只是看補(bǔ)貼，估計(jì)這種企業(yè)也不會(huì)長久。

注：多項(xiàng)目晶圓（Multi Project Wafer，簡(jiǎn)稱 MPW）：就是將多種具有相同工藝的集成電路設(shè)計(jì)放在同一個(gè)硅圓片上、在同一生產(chǎn)線上流片，制造完成后，每個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目可以得到數(shù)十片芯片樣品，這一數(shù)量足夠用于設(shè)計(jì)開發(fā)階段的實(shí)驗(yàn)、測(cè)試。而實(shí)驗(yàn)費(fèi)用就由所有參加多項(xiàng)目晶圓的項(xiàng)目按照各自所占的芯片面積分?jǐn)?，極大地降低了產(chǎn)品開發(fā)風(fēng)險(xiǎn)。這就很象我們都想吃巧克力，但是我們沒有必要每個(gè)人都去買一盒，可以只買來一盒分著吃，然后按照各人吃了多少付錢。多項(xiàng)目晶圓提高了設(shè)計(jì)效率，降低了開發(fā)成本，為設(shè)計(jì)人員提供了實(shí)踐機(jī)會(huì)，并促進(jìn)了集成電路設(shè)計(jì)成果轉(zhuǎn)化，對(duì) IC 設(shè)計(jì)人才的培訓(xùn)，及新產(chǎn)品的開發(fā)研制均有相當(dāng)?shù)拇龠M(jìn)作用。