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英諾賽科

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英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。

英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。 收起

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  • 引領(lǐng)功率半導(dǎo)體市場變革 氮化鎵龍頭英諾賽科港股招股中
    近年來，隨著新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，以及智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的興起，功率半導(dǎo)體器件市場需求增長迅猛。其中，以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料，憑借優(yōu)秀的物理性能和廣泛的下游應(yīng)用場景，已成為推動功率半導(dǎo)體行業(yè)變革的核心驅(qū)動力。 在這一領(lǐng)域，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（「英諾賽科」或「公司」，2577.HK）是公認(rèn)的頭部企業(yè)，憑借強大的技術(shù)專長和前瞻布局，穩(wěn)居行業(yè)領(lǐng)先地位。12月18日至1
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    又一個芯片明星獨角獸奔赴IPO了。近日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）向港交所遞交招股書，擬主板IPO上市，中金公司、招銀國際為其聯(lián)席保薦人。
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    08/29 10:45
  • 英飛凌對英諾賽科提起追加訴訟，并向美國國際貿(mào)易委員會起訴
    英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于2024年7月23日在美國加利福尼亞北區(qū)地方法院，對英諾賽科（珠海）科技有限公司、英諾賽科美國公司及其關(guān)聯(lián)公司（以下簡稱：英諾賽科）在現(xiàn)有訴訟基礎(chǔ)上，追加了新的訴訟請求，指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項與氮化鎵（GaN）技術(shù)相關(guān)的專利。此外，英飛凌今日還向美國國際貿(mào)易委員會（USITC）起訴，就前述訴訟所涉的四項相同專利提出
  • 半導(dǎo)體四家企業(yè)IPO迎來最新進展
    半導(dǎo)體四家企業(yè)IPO迎來最新進展
    近日，包括英諾賽科、聯(lián)蕓科技、高裕電子、慧翰股份四家企業(yè)IPO迎來最新進展。2023年8月以來，證監(jiān)會、交易所、國務(wù)院接連發(fā)布IPO市場重要政策，在釋放“階段性收緊IPO節(jié)奏”信號的同時，也表明了“嚴(yán)把發(fā)行上市準(zhǔn)入關(guān)”的決心。
  • 英諾賽科港股IPO正式啟動！
    英諾賽科港股IPO正式啟動！
    6月12日晚間，英諾賽科向港交所遞交上市申請，聯(lián)席保薦人為中金公司、招銀國際。自2019年10月，OPPO Reno Ace首次將氮化鎵技術(shù)應(yīng)用于充電器以來，基于氮化鎵材料而研制的功率器件，憑借更高的電流密度、遷移率以及優(yōu)秀的耐熱性、導(dǎo)電性和散熱性，在諸多應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)開疆拓土。