MOSFET

• 使用熱插拔控制器增強系統(tǒng)可靠性
  

  作者：Karl Audison Cabas，產(chǎn)品應用開發(fā)工程師 Ralph Clarenz Matocinos，產(chǎn)品應用開發(fā)助理工程師 Christian Cruz，產(chǎn)品應用高級工程師 摘要 本文探討了在系統(tǒng)級應用中實施熱插拔控制器的優(yōu)勢和好處。熱插拔控制器提供了一種先進的解決方案，可無縫插入和拔出電子設備，確保持續(xù)運行、防止過流并進行實時監(jiān)測。通過提供參考設計，用戶可以更好地了解關(guān)鍵功能，從而增

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  12/13 07:03

  控制器 MOSFET
• CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
  

  Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊，便于無縫集成。

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  12/12 10:06

  MOSFET Nexperia
• MOSFET規(guī)格書寫的體二極管正向電流175A靠譜嗎？如何計算真實的通流能力？-電路易錯點
  

  上一篇文章我們介紹了MOSFET體二極管的關(guān)鍵參數(shù)以及電路設計關(guān)注點，其中Diode continuous forward current：體二極管連續(xù)正向電流這一參數(shù)，最大高達175A，如果是真的，那這個數(shù)據(jù)已經(jīng)很牛了，但是規(guī)格書這個參數(shù)有個角標2）：

  硬件那點事兒

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  12/09 14:00

  MOSFET
• 芯品速遞 | 希荻微推出16V、20A 高級熱插拔/電子保險絲，提供強大的負載保護和高效的電源管理
  

  希荻微電子集團股份有限公司(股票代碼:688173，以下簡稱“希荻微”)是國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及電源管理的集成電路設計商，專注于推動高效節(jié)能及智能系統(tǒng)的應用。近日，希荻微隆重推出了HL8520E——一款先進的熱插拔/電子保險絲器件，專為敏感負載電路提供卓越的保護和精準的電源控制。 HL8520E旨在保護系統(tǒng)免受輸入瞬變、短路和電壓尖峰等潛在危害的影響，同時優(yōu)化電力傳輸以增強可靠性。它寬泛的輸入電壓范圍(

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  12/06 08:49

  MOSFET 電源管理
• 所有的MOSFET都有體二極管嗎？它有什么作用呢？硬件工程師要搞懂的電路知識點
  

  與三極管等其他的有源器件相比，MOSFET的不同尋常之處在于其原理圖符號會包含一個寄生器件——體二極管。那么是不是所有的MOSFET都會有體二極管嗎？這個體二極管它有什么作用呢？

  硬件那點事兒

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  12/06 12:00

  MOSFET 硬件工程師
• Vishay推出性能先進的新款40 V MOSFET
  

  器件占位面積小，采用BWL設計，ID高達795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可優(yōu)化熱性能 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導通電阻，能夠為工業(yè)應用提供

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  12/04 08:11

  MOSFET 封裝
• 意法半導體車規(guī)八通道柵極驅(qū)動引入專利技術(shù)，降低電機驅(qū)動設計的物料成本
  

  意法半導體 L99MH98 8通道柵極驅(qū)動引入專利技術(shù)，可構(gòu)建沒有電流檢測電阻的直流電機驅(qū)動設計，從而降低耗散功率和物料成本。 L99MH98 能夠獨立控制四路全橋預驅(qū)或八路半橋預驅(qū)或八路高邊/低邊預驅(qū)，適用于驅(qū)動電動座椅、天窗、側(cè)滑門和電動尾門等直流電機應用。L99MH98內(nèi)置電荷泵，可用于驅(qū)動反接保護 MOSFET。 L99MH98最大柵極驅(qū)動電流可達120mA, 柵極驅(qū)動能力可配置，滿足驅(qū)動

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  12/04 08:07

  意法半導體 MOSFET
• 愛仕特內(nèi)絕緣型 SiC MOSFET：高效能應用的創(chuàng)新驅(qū)動引擎
  

  愛仕特近期推出了1200V和1700V兩款內(nèi)絕緣型TO-247-4封裝的SiC MOSFET。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在保持標準封裝尺寸，通過內(nèi)置陶瓷片優(yōu)化了絕緣和導熱性能，背面散熱器做了懸浮電位設計，減少了外部絕緣材料依賴，降低了材料老化導致的長期運行故障風險，增強了產(chǎn)品可靠性和耐用性。

  愛仕特科技

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  12/04 07:55

  MOSFET
• 意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術(shù)的標準閾壓40V MOSFET
  

  意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。 工業(yè)級晶體管STL300N4F8 和 車規(guī)晶體管STL305N4F8AG 的額定漏極電流高于300A，最大導通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應用中實現(xiàn)出色的能效。動態(tài)性能得到了改進，65nC(典型值)

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  11/29 08:58

  意法半導體 MOSFET
• 芯聯(lián)集成供應蔚來樂道首發(fā)車型
  

  近日，蔚來旗下全新品牌樂道首款車型樂道L60上市，芯聯(lián)集成為樂道L60供應碳化硅模塊。 樂道L60是同級別車型中唯一采用全域900V高壓平臺架構(gòu)的車型，其主電驅(qū)系統(tǒng)搭載的蔚來自研1200V SiC碳化硅功率模塊，融合了芯聯(lián)集成提供的高性能碳化硅模塊制造技術(shù)。 這不僅實現(xiàn)了動力系統(tǒng)的高效率和高穩(wěn)定性，也在降低能耗的同時顯著提高了L60的續(xù)航里程，這進一步為終端消費者帶來了良好的駕乘體驗。 來源：樂道

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  11/26 12:21

  SiC MOSFET
• 貿(mào)澤電子開售能為電動汽車牽引逆變器提供可擴展性能的英飛凌HybridPACK Drive G2模塊
  

  提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。HybridPACK Drive G2模塊基于HybridPACK Drive G1，在相同的緊湊尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模塊是一款高效率的汽車功率模塊，適用于電動汽車 (EV

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  11/26 08:47

  英飛凌 貿(mào)澤電子
• 英飛凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET
  

  為了滿足AI服務器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設計。該半導體器

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  1189

  11/25 08:34

  英飛凌 MOSFET

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