MOSFET

• 使用熱插拔控制器增強系統(tǒng)可靠性
  

  作者：Karl Audison Cabas，產品應用開發(fā)工程師 Ralph Clarenz Matocinos，產品應用開發(fā)助理工程師 Christian Cruz，產品應用高級工程師 摘要 本文探討了在系統(tǒng)級應用中實施熱插拔控制器的優(yōu)勢和好處。熱插拔控制器提供了一種先進的解決方案，可無縫插入和拔出電子設備，確保持續(xù)運行、防止過流并進行實時監(jiān)測。通過提供參考設計，用戶可以更好地了解關鍵功能，從而增

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  12/13 07:03

  控制器 MOSFET
• CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
  

  Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內領先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交互式數(shù)據手冊，便于無縫集成。

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  12/12 10:06

  MOSFET Nexperia
• MOSFET規(guī)格書寫的體二極管正向電流175A靠譜嗎？如何計算真實的通流能力？-電路易錯點
  

  上一篇文章我們介紹了MOSFET體二極管的關鍵參數(shù)以及電路設計關注點，其中Diode continuous forward current：體二極管連續(xù)正向電流這一參數(shù)，最大高達175A，如果是真的，那這個數(shù)據已經很牛了，但是規(guī)格書這個參數(shù)有個角標2）：

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  12/09 14:00

  MOSFET
• 芯品速遞 | 希荻微推出16V、20A 高級熱插拔/電子保險絲，提供強大的負載保護和高效的電源管理
  

  希荻微電子集團股份有限公司(股票代碼:688173，以下簡稱“希荻微”)是國內領先的模擬及電源管理的集成電路設計商，專注于推動高效節(jié)能及智能系統(tǒng)的應用。近日，希荻微隆重推出了HL8520E——一款先進的熱插拔/電子保險絲器件，專為敏感負載電路提供卓越的保護和精準的電源控制。 HL8520E旨在保護系統(tǒng)免受輸入瞬變、短路和電壓尖峰等潛在危害的影響，同時優(yōu)化電力傳輸以增強可靠性。它寬泛的輸入電壓范圍(

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  12/06 08:49

  MOSFET 電源管理
• 所有的MOSFET都有體二極管嗎？它有什么作用呢？硬件工程師要搞懂的電路知識點
  

  與三極管等其他的有源器件相比，MOSFET的不同尋常之處在于其原理圖符號會包含一個寄生器件——體二極管。那么是不是所有的MOSFET都會有體二極管嗎？這個體二極管它有什么作用呢？

  硬件那點事兒

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  12/06 12:00

  MOSFET 硬件工程師
• Vishay推出性能先進的新款40 V MOSFET
  

  器件占位面積小，采用BWL設計，ID高達795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可優(yōu)化熱性能 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導通電阻，能夠為工業(yè)應用提供

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  12/04 08:11

  MOSFET 封裝
• 意法半導體車規(guī)八通道柵極驅動引入專利技術，降低電機驅動設計的物料成本
  

  意法半導體 L99MH98 8通道柵極驅動引入專利技術，可構建沒有電流檢測電阻的直流電機驅動設計，從而降低耗散功率和物料成本。 L99MH98 能夠獨立控制四路全橋預驅或八路半橋預驅或八路高邊/低邊預驅，適用于驅動電動座椅、天窗、側滑門和電動尾門等直流電機應用。L99MH98內置電荷泵，可用于驅動反接保護 MOSFET。 L99MH98最大柵極驅動電流可達120mA, 柵極驅動能力可配置，滿足驅動

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  12/04 08:07

  意法半導體 MOSFET
• 愛仕特內絕緣型 SiC MOSFET：高效能應用的創(chuàng)新驅動引擎
  

  愛仕特近期推出了1200V和1700V兩款內絕緣型TO-247-4封裝的SiC MOSFET。這些創(chuàng)新產品在保持標準封裝尺寸，通過內置陶瓷片優(yōu)化了絕緣和導熱性能，背面散熱器做了懸浮電位設計，減少了外部絕緣材料依賴，降低了材料老化導致的長期運行故障風險，增強了產品可靠性和耐用性。

  愛仕特科技

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  12/04 07:55

  MOSFET
• 意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術的標準閾壓40V MOSFET
  

  意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。 工業(yè)級晶體管STL300N4F8 和 車規(guī)晶體管STL305N4F8AG 的額定漏極電流高于300A，最大導通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應用中實現(xiàn)出色的能效。動態(tài)性能得到了改進，65nC(典型值)

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  11/29 08:58

  意法半導體 MOSFET
• 芯聯(lián)集成供應蔚來樂道首發(fā)車型
  

  近日，蔚來旗下全新品牌樂道首款車型樂道L60上市，芯聯(lián)集成為樂道L60供應碳化硅模塊。 樂道L60是同級別車型中唯一采用全域900V高壓平臺架構的車型，其主電驅系統(tǒng)搭載的蔚來自研1200V SiC碳化硅功率模塊，融合了芯聯(lián)集成提供的高性能碳化硅模塊制造技術。 這不僅實現(xiàn)了動力系統(tǒng)的高效率和高穩(wěn)定性，也在降低能耗的同時顯著提高了L60的續(xù)航里程，這進一步為終端消費者帶來了良好的駕乘體驗。 來源：樂道

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  11/26 12:21

  SiC MOSFET
• 貿澤電子開售能為電動汽車牽引逆變器提供可擴展性能的英飛凌HybridPACK Drive G2模塊
  

  提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。HybridPACK Drive G2模塊基于HybridPACK Drive G1，在相同的緊湊尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模塊是一款高效率的汽車功率模塊，適用于電動汽車 (EV

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  11/26 08:47

  英飛凌 貿澤電子
• 英飛凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET
  

  為了滿足AI服務器和電信領域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設計。該半導體器

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  11/25 08:34

  英飛凌 MOSFET
• MOSFET規(guī)格書中單脈沖雪崩能量EAS如何理解？電路設計咋用它計算MOS會損壞嗎？
  

  打開MOSFET規(guī)格書，我們會發(fā)現(xiàn)所有的MOSFET規(guī)格書在Maximum ratings，也就是極限電氣參數(shù)中給出Avalanche energy, single pulse的值，單位是mJ，對應中文含義是單脈沖雪崩能量，那么這一參數(shù)到底表征了什么含義？當我們在設計MOSFET電路時又該如何考量這一參數(shù)帶來的限制呢？

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  2418

  11/22 13:09

  MOSFET 電路設計
• 艾睿電子助力SAVART Motors擴大其在印尼的電動車制造規(guī)模
  

  全球技術解決方案供應商艾睿電子宣布為印尼本土電動車制造商SAVART Motors提供支持，助力其設計和制造高品質、安全且經濟實惠的電動兩輪車。首批數(shù)百輛SAVART電動兩輪車預計將于2025年第二季度投入市場。 艾睿電子助力SAVART Motors擴大其在印尼的電動車制造規(guī)模 SAVART Motors成立于2018年，是少數(shù)幾家擁有自主研發(fā)能力、先進原型硬件和軟件的本地品牌之一，并且該企業(yè)還

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  11/20 08:20

  人工智能 MOSFET
• Vishay 新款150 V MOSFET具備業(yè)界領先的功率損耗性能
  

  TrenchFET? 器件采用PowerPAK? SO-8S封裝，RthJC低至0.45 °C/W，ID高達144 A，從而提高功率密度 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700

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  11/20 08:17

  電阻 MOSFET
• 有的MOSFET電路柵源極為什么要并聯(lián)穩(wěn)壓二極管？一文搞懂MOS Vdss，Vgss，Id參數(shù)選型
  

  無論任何元器件的選型，第一步都是去仔細閱讀對應的datasheet，那么如何看懂datasheet就很重要，打開datasheet，哪些參數(shù)是需要重點關注的，哪些是需要參考的，這是硬件設計的基本功。今天我們的主角是MOSFET，接下來我們就分幾篇文章介紹一下MOSFET選型時的重點參數(shù)關注以及講解。

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  1321

  11/20 16:34

  MOSFET 穩(wěn)壓二極管
• MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后，MOS管為什么會炸管？原因分析
  

  上一篇文章我們介紹了在進行MOSFET相關的電路設計時，可能會遇到MOSFET誤導通的問題，為了解決此問題，我們提出了兩種方法，一種是增大MOSFET柵極串聯(lián)電阻的阻值，另外一種是在MOSFET柵-源極之間并聯(lián)一個電容，有讀者在評論區(qū)說如果在柵-源極并聯(lián)一個電容，MOSFET可能會出現(xiàn)炸管的問題？那么在MOSFET柵-源極并聯(lián)電容和MOSFET炸管是否真的有聯(lián)系？內在的機制又是什么？如何解決？今天我們就詳細分析一下。

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  11/14 14:29

  MOSFET 電路設計
• 意法半導體先進的電隔離柵極驅動器STGAP3S為 IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
  

  意法半導體的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。 STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動

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  11/13 08:08

  碳化硅 意法半導體
• MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個電容？居然能解決MOS誤導通的問題？
  

  在MOSFET中，dv/dt指的是MOSFET在開關瞬態(tài)期間，其漏源電壓Vds的變化率，即漏極和源極之間電壓隨時間的變化速度。一般想到dv/dt，我們第一反應是高dv/dt會導致強烈的電磁干擾，影響周圍的敏感電路，降低系統(tǒng)的信號完整性。

  硬件那點事兒

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  11/13 12:20

  MOSFET 并聯(lián)電容器
• 東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200 V SiC MOSFET
  

  東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結構可實現(xiàn)低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。 當?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電[4]時，其可靠性會因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通

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  803

  11/12 09:05

  MOSFET 逆變器

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