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動態(tài)隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

動態(tài)隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。收起

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    近日美光表示獲得美國61.65億美元（約為人民幣450億元）的直接資金資助，計劃用于加強尖端DRAM供應(yīng)能力。兩個月時間里，美國芯片法案補貼計劃已公布9家。另外近日存儲市場動態(tài)頻頻，三星、Marvell、鎧俠等相繼披露了最新進展。
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    之前，我已經(jīng)做了全球存儲器市場的統(tǒng)計和預(yù)測了。后來和行業(yè)人士核對了一下我的預(yù)測結(jié)論，大方向上彼此還是基本一致的：明年無論DRAM還是NAND的價格都會出現(xiàn)下跌，但出貨量的上漲會有一些對沖作用；明年HBM的市場大約會占DRAM市場的10%左右，對整體市場規(guī)模會有一些支撐
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    三星電子開始投資可大規(guī)模生產(chǎn)的“1c” DRAM。據(jù)了解，近期已向相關(guān)合作伙伴訂購了生產(chǎn)設(shè)備，安裝工作將于明年2月左右開始。由于1c DRAM是決定三星電子下一代HBM4競爭力的關(guān)鍵要素，因此看來正在為及時量產(chǎn)該產(chǎn)品做好準備。
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    今天講講半導(dǎo)體存儲器器件（DRAM、NAND）的市場數(shù)據(jù)。過去，我一直是直接把DramExchange公布的季度市場數(shù)據(jù)拿過來參考使用的。不過最近我扒了三星、海力士、美光的財報以后，發(fā)現(xiàn)這幾家財報上公布的數(shù)據(jù)和DramExchange的數(shù)據(jù)有些許差異，而且這些差異也并不僅僅是匯率換算的問題導(dǎo)致的
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  • HBM在風(fēng)口，也在浪尖
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    據(jù)悉，美國商務(wù)部BIS將于本周四（11月28日）“感恩節(jié)假期前”公布限制中國科技發(fā)展的新出口管制措施，預(yù)計將有約200家中國芯片公司納入貿(mào)易限制名單，無法獲取美國公司的產(chǎn)品。截至發(fā)文，未有出口管制措施發(fā)布。緊接著，另一套限制高帶寬存儲(HBM)出口到中國的規(guī)定，也預(yù)計在12月間對外公布。該規(guī)定是更廣泛限制中國人工智能(AI)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一環(huán)。
  • 研報 | 服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
    研報 | 服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第三季DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收為260.2億美元，季增13.6%。受到大陸手機制造商去化庫存及部分DRAM供應(yīng)商擴產(chǎn)影響，盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降，但供應(yīng)數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM（高帶寬內(nèi)存）需求上升。
  • 服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
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    2024年第三季DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收為260.2億美元，季增13.6%。受到大陸手機制造商去化庫存及部分DRAM供應(yīng)商擴產(chǎn)影響，盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降，但供應(yīng)數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM（高帶寬內(nèi)存）需求上升。平均銷售單價部分，三大原廠延續(xù)前一季的上漲趨勢，加上HBM持續(xù)擠壓整體DRAM產(chǎn)能，合約價于第三季達成8%至13%的漲幅。 展望2024年第四季，Trend

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