近500億元！EUV光刻機巨頭掙翻了

7月17日，全球最大的光刻設(shè)備廠商阿斯麥（ASML）公布2024年第二季度業(yè)績。

根據(jù)數(shù)據(jù)，ASML Q2總凈銷售額 62.43億歐元（約491億元人民幣），凈利潤為15.78億歐元，毛利率 51.5%，第二季度凈預(yù)訂量為55.67億歐元，其中25億歐元為EUV預(yù)訂額。不過相比去年同期的營收69億歐元、凈利潤19.4億歐元，ASML今年第二季度業(yè)績不及當時水平。

圖片來源：ASML官網(wǎng)截圖

但ASML表示，第二季度的總凈銷售額高于預(yù)期，這主要得益于沉浸式系統(tǒng)銷售的增加。與前幾個季度一樣，整體半導體庫存水平繼續(xù)改善，可以看到邏輯和存儲客戶的光刻工具利用率進一步提高。盡管市場仍存在不確定性，主要是受宏觀環(huán)境的影響，但預(yù)計行業(yè)復(fù)蘇將在下半年持續(xù)。

ASML總裁兼首席執(zhí)行官Christophe Fouquet表示，預(yù)計2024年第三季度總凈銷售額在67億歐元至73億歐元之間，毛利率在50%至51%之間。ASML預(yù)計研發(fā)成本約為11億歐元，銷售、一般及行政費用約為2.95億歐元，對2024年全年的展望保持不變。

Christophe Fouquet認為，“2024年是一個過渡年，將繼續(xù)在產(chǎn)能提升和技術(shù)方面進行投資。目前，我們看到人工智能的強勁發(fā)展，推動了大部分行業(yè)的復(fù)蘇和增長，領(lǐng)先于其他細分市場?！?/p>

01、半導體行業(yè)準備邁入High-NA EUV時代

眾所周知，EUV光刻機是先進半導體生產(chǎn)的關(guān)鍵。從本質(zhì)上理解，High NA EUV技術(shù)是EUV技術(shù)的進一步發(fā)展。NA代表數(shù)值孔徑，表示光學系統(tǒng)收集和聚焦光線的能力，數(shù)值越高，聚光能力越好。通過升級將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學系統(tǒng)，High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率，從而有助于晶體管的進一步微縮。

業(yè)界預(yù)計，隨著High-NA EUV技術(shù)的不斷成熟和普及，將在2025-2026年期間迎來大規(guī)模的量產(chǎn)應(yīng)用，并認為，半導體行業(yè)準備邁入High-NA EUV時代。

當前，全球新晶圓廠建設(shè)如火如荼，這其中必離不開EUV光刻機的運作，從大廠建廠動態(tài)來看，臺積電、英特爾、三星等芯片大廠正在實行各自建廠計劃，晶圓代工廠商先進制程之戰(zhàn)早已開始，預(yù)計將在2025年至2027年配備新設(shè)備。

臺積電方面，據(jù)臺灣地區(qū)媒體報道，2024-2025兩年，臺積電將接受60臺EUV光刻機，預(yù)估總投資額將超新臺幣4000億元（約122.7億美元），據(jù)悉，ASML年底將向臺積電交貨High-NA EUV。

三星方面，三星已在ASML韓國華城新園區(qū)附近新獲得了一塊場地，將于明年開始建設(shè)，計劃在竣工時引進“高數(shù)值孔徑”設(shè)備，預(yù)計最晚會在2027年完成。

英特爾方面，該公司包攬了，ASML截至2025上半年的高數(shù)值孔徑EUV（High-NA EUV）設(shè)備訂單，此前英特爾已完成ASML首臺High NA EUV光刻機設(shè)備組裝，價值高達3.5億歐元，英特爾計劃用該款設(shè)備生產(chǎn)1.8nm以下的先進制程芯片。

從這個時間點來看，ASML此前預(yù)計到2025年產(chǎn)能目標將達到90臺EUV極紫外光刻機、600臺DUV深紫外光刻機、20臺High-NA EUV高數(shù)值孔徑光刻機。

目前ASML是全球唯一掌握High-NA EUV技術(shù)的設(shè)備廠商。從產(chǎn)品升級性能來看，與0.33NA相比，High-NA可以使晶體管密度增加近3倍。產(chǎn)品進度上，在0.33NA EUV光刻機方面，ASML已交付額外的NXE:3800E系統(tǒng)，預(yù)計今年下半年大部分出貨將是3800E系統(tǒng)；0.55NA High-NA EUV光刻機方面，ASML已在Q2出貨第二套系統(tǒng)，第一套系統(tǒng)在客戶處運行合格晶圓，第二套系統(tǒng)也在安裝中。

在High-NA EUV之后，ASML已開始著手研究下一代Hyper-NA EUV設(shè)備，尋找合適的解決方案。據(jù)外媒EETimes 6月報導，ASML公布了下一代Hyper-NA EUV設(shè)備藍圖，目前為開發(fā)早期階段。

ASML計劃，2030年推出Hyper-NA EUV，數(shù)值孔徑達0.75。相比High-NA EUV的0.55數(shù)值孔以及標準EUV的0.33數(shù)值孔徑，Hyper-NA EUV精確度提高，可有更高分辨率圖案化及更小晶體管特征。對ASML而言，Hyper-NA技術(shù)還能推動整體EUV平臺，改善成本和交貨時間。

隨著先進制程的不斷更迭，技術(shù)節(jié)點正向1納米以下的埃米時代發(fā)展。ASML稱，Hyper-NA是未來埃米級制程的必要設(shè)備，許多公司將采用Hyper-NA EUV，以降低多重圖形化制程的風險。

IMEC圖案化項目總監(jiān)Kurt Ronse表示，High-NA EUV應(yīng)可包括2~1.4納米節(jié)點，再到1~0.7納米節(jié)點，之后由Hyper-NA EUV接續(xù)。他還認為，Hyper-NA EUV是機會，成為2030年后新愿景。Hyper-NA EUV比High-NA EUV雙重曝光的成本更低，也為半導體產(chǎn)業(yè)帶來新機會。

02、全球半導體設(shè)備銷售額大漲

當前，AI人工智能帶動了HBM、晶圓代工、先進封裝需求飛升，半導體設(shè)備也隨之受益。據(jù)公開信息顯示，半導體設(shè)備是用于生產(chǎn)各類型集成電路與半導體分立器件的專用設(shè)備，主要包含前道工藝設(shè)備（晶圓制造）和后道工藝設(shè)備（封裝測試）兩大類。

前道工藝設(shè)備（晶圓制造）用于晶圓制造環(huán)節(jié)，設(shè)備產(chǎn)品包括光刻機、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、CMP設(shè)備等；后道工藝設(shè)備（封裝測試）主要用于半導體產(chǎn)品的封裝和測試環(huán)節(jié)，以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，代表產(chǎn)品包括劃片設(shè)備、封裝設(shè)備、測試設(shè)備等，晶圓切割機也包含其中，主要用于將晶圓切割成芯片，以便之后的封裝和測試。

國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）最新報告指出，看好全球半導體制造設(shè)備市場，預(yù)期2024年銷售總額可望年增3.4%、達1,090億美元，創(chuàng)新高；明年有機會沖高至1,280億美元，比去年底預(yù)期的1,240億元更好。

按照地區(qū)來看，全球半導體銷售如果依照地區(qū)來區(qū)分，SEMI表示，中國大陸、中國臺灣地區(qū)、韓國，至2025年仍穩(wěn)居設(shè)備支出前三大。其中，中國大陸區(qū)設(shè)備采購量持續(xù)增加，預(yù)測期間內(nèi)可望維持領(lǐng)先地位，估計2024年中國大陸設(shè)備出貨量將來到創(chuàng)紀錄350億美元，不過，2025年可能趨緩下跌。

SEMI表示，展望2025年，在先進邏輯和存儲器應(yīng)用需求增加帶動下，晶圓廠設(shè)備銷售額可望更上一層樓，增幅14.7%至1,130億美元。

日本方面，據(jù)日本半導體制造設(shè)備協(xié)會（SEAJ）預(yù)計，2024年度日本半導體設(shè)備銷售額將首破4萬億日元，年增15%，2026年度更將超5萬億日元，主要受AI普及帶動的GPU和HBM需求增長所推動。