01、?比亞迪??半導(dǎo)體
比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高效、智能、集成新型半導(dǎo)體企業(yè)。主要從事功率半導(dǎo)體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導(dǎo)體、制造及服務(wù)。
前不久,比亞迪半導(dǎo)體的第二代車規(guī)級(jí)非負(fù)溫度系數(shù)FRD產(chǎn)品獲獎(jiǎng)了。
比亞迪半導(dǎo)體自主研發(fā)的快恢復(fù)二極管,具有非負(fù)溫度系數(shù)、高頻率、高電壓、大電流、低損耗和低電磁干擾等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電力電子電路中,在功率模塊中與絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)配合使用,通常工作在高頻高壓及大電流工況下,起到反向恢復(fù)續(xù)流的作用,是電力電子電路中非常關(guān)鍵且不可或缺的重要器件之一。
采用復(fù)合發(fā)射極技術(shù)和局域壽命控制技術(shù),使該FRD的正向電壓具備近正溫度系數(shù)特性,有效避免多顆芯片并聯(lián)情況下不均流問(wèn)題,改善電流集邊效應(yīng)和反向恢復(fù)軟度,在提升芯片電流密度的同時(shí)保障了芯片魯棒性。
本產(chǎn)品作為首款國(guó)產(chǎn)大批量裝車應(yīng)用的車用FRD產(chǎn)品,已應(yīng)用于比亞迪多款車系,出貨量位列國(guó)內(nèi)前列。該產(chǎn)品經(jīng)過(guò)多年市場(chǎng)認(rèn)證,有豐富市場(chǎng)應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),售后表現(xiàn)優(yōu)異。
02、 華潤(rùn)微電子
公司于2020年2月27日登陸科創(chuàng)板,成為境內(nèi)紅籌第一股。公司是擁有芯片設(shè)計(jì)、掩模制造、晶圓制造、封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運(yùn)營(yíng)能力的IDM半導(dǎo)體企業(yè),主營(yíng)產(chǎn)品有SGT MOS、SJ MOS、IGBT、SiC MOSFET與SiC模塊等,用于新能源汽車用OBC、DCDC、主驅(qū)、車身、空調(diào)壓縮機(jī)等。
例如650V超結(jié)MOSFET CRJQ41N65GCFQ,該產(chǎn)品基于華潤(rùn)微自有的8寸多層外延工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā),對(duì)標(biāo)國(guó)際領(lǐng)先品牌主流產(chǎn)品,同時(shí)具有自有專利的新型設(shè)計(jì),增強(qiáng)了器件的抗沖擊能力,產(chǎn)品可靠性高,魯棒性好,并通過(guò)了AECQ101可靠性考核。
產(chǎn)品基于華潤(rùn)微自有8寸/12寸制造平臺(tái),年產(chǎn)能折8寸近25萬(wàn)片/年,可有效保障供貨。該產(chǎn)品自上市以來(lái)已在多家客戶穩(wěn)定供貨,大批量應(yīng)用于新能源汽車OBC。
03、 瑤芯微電子科技(上海)
瑤芯微電子科技(上海)有限公司主要致力于功率器件、智能傳感器和信號(hào)鏈IC的設(shè)計(jì)、研發(fā)和銷售,主營(yíng)產(chǎn)品為功率器件(中低壓Trench MOS以及SGT MOS,高壓SJ超結(jié)MOS,IGBT,F(xiàn)RD,SiC MOS和SiC 二極管)和MEMS傳感器以及信號(hào)鏈IC。
主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)椋合M(fèi)類和工業(yè)類以及車載的功率器件應(yīng)用(比如手機(jī)快充,工業(yè)開(kāi)關(guān)電源,光伏儲(chǔ)能逆變器,車載OBC,主驅(qū)逆變,各類工業(yè)/車載電機(jī)和BMS 應(yīng)用)以及消費(fèi)類電子市場(chǎng)、醫(yī)療與工控領(lǐng)域的MEMS傳感器產(chǎn)品和信號(hào)鏈IC。目前已上車200W臺(tái)。
04、 三安半導(dǎo)體
是三安光電的全資子公司,主要從事寬禁帶半導(dǎo)體的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售和服務(wù),產(chǎn)品與服務(wù)包括SiC MOSFET/SBD、SiC襯底/外延、車規(guī)級(jí)SiC功率模塊代工等,核心性能及可靠性符合行業(yè)高品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn),SiC芯片/器件已累計(jì)出貨超3億顆。
三安半導(dǎo)體推出的第三代碳化硅二極管的綜合性能達(dá)到世界領(lǐng)先水平。通過(guò)獨(dú)有的源區(qū)設(shè)計(jì)方案,實(shí)現(xiàn)了高電流密度,并申請(qǐng)專利保護(hù)。同時(shí)優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu),解決HV-H3TRB可靠性問(wèn)題,大大推進(jìn)了碳化硅二極管在光伏,汽車等領(lǐng)域的推廣。第三代碳化硅二極管累計(jì)出貨已超過(guò)10kk。
05、??中晶新源?(上海)
上海中晶新源(上海)半導(dǎo)體有限公司成立于 2017 年,總部坐落于上海臨港。聚焦研制國(guó)際領(lǐng)先功率芯片,主要從事高效能高可靠功率半導(dǎo)體的研發(fā)設(shè)計(jì)、先進(jìn)功率封裝研發(fā)制造、市場(chǎng)銷售和應(yīng)用服務(wù)。
產(chǎn)品聚焦新一代車規(guī)級(jí) SGT 全電壓系列 (對(duì)標(biāo)世界第一,中低壓Si-MOSFET最前沿技術(shù))、高壓 SJ-MOSFET 650V 系列 (對(duì)標(biāo)世界第一, 高壓Si-MOSFET領(lǐng)先主流技術(shù))、小信號(hào)及新一代整流器 SGR、車規(guī)級(jí) MOSFET、IGBT 單管及模塊(對(duì)標(biāo)世界前二大),并擴(kuò)展至車規(guī)級(jí) IGBT 、功率 IC、寬禁帶半導(dǎo)體 GaN 和 SiC MOSFET 等。
SMT4005AHPQ (40V 新一代SGT技術(shù), PDFN5060-8L封裝)
1. 國(guó)際認(rèn)證:通過(guò)No.1檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)SGS嚴(yán)苛的AEC-Q101認(rèn)證,全球客戶認(rèn)可。2. 技術(shù)領(lǐng)先:采用Si-base中低壓最領(lǐng)先SGT技術(shù),明顯降低導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗,全方位提升系統(tǒng)效率。3. 性能優(yōu)勢(shì):與歐美大廠對(duì)標(biāo)產(chǎn)品相比,導(dǎo)通阻抗3.9毫歐領(lǐng)先10%,F(xiàn)OM值優(yōu)15%,進(jìn)一步提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。4. 應(yīng)用優(yōu)勢(shì):緊湊型貼片封裝,175°C 高結(jié)溫,高效率、高功率密度,更低功耗、更低溫升;低 Crss/ Ciss 比例,優(yōu)化 EMI。5. 更安全:BV 高耐壓冗余設(shè)計(jì),標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)防止誤開(kāi)啟;100%雪崩測(cè)試,寬SOA,抗沖擊能力強(qiáng)。6. 高可靠:? 安全冗余設(shè)計(jì),為汽車品質(zhì)而生;芯片保護(hù)層Polyimide結(jié)合封裝最佳化匹配,有效提升熱應(yīng)力與離子污染防護(hù)。7. 應(yīng)用廣泛:適用于新能源汽車及傳統(tǒng)汽車電子水泵,油泵,天窗,車窗,電動(dòng)尾門,電動(dòng)座椅,車載電源等領(lǐng)域客戶。
06、 士蘭微半導(dǎo)體
杭州士蘭微電子股份有限公司成立于1997年9月,總部在中國(guó)杭州。2003年3月公司股票在上海證券交易所掛牌交易,是第一家在中國(guó)境內(nèi)上市的集成電路芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。
士蘭微電子建在杭州錢塘新區(qū)的集成電路芯片生產(chǎn)線目前實(shí)際月產(chǎn)出達(dá)到23萬(wàn)片,在小于和等于6英寸的芯片制造產(chǎn)能中排在全球第二位。公司8英寸生產(chǎn)線于2017年投產(chǎn),成為國(guó)內(nèi)第一家擁有8英寸生產(chǎn)線的民營(yíng)IDM產(chǎn)品公司,8英寸線月產(chǎn)能已達(dá)6萬(wàn)片。2023年底,公司12吋特色工藝晶圓生產(chǎn)線月產(chǎn)能已達(dá)6萬(wàn)片,先進(jìn)化合物半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線月產(chǎn)能已達(dá)14萬(wàn)片。
公司目前的產(chǎn)品和研發(fā)投入主要集中在功率半導(dǎo)體&半導(dǎo)體化合物器件、功率驅(qū)動(dòng)與控制系統(tǒng)、MEMS傳感器、ASIC產(chǎn)品、光電產(chǎn)品。
SVGQ041R3NL5V-2HS:Silan推出的該典型參數(shù)LVMOS,滿足國(guó)內(nèi)新能源汽車領(lǐng)域各細(xì)分應(yīng)用需求。1. 190A,40V,Rds(on)_max=1.3mΩ@Vgs=10V2.采用士蘭LVMOS工藝制造3.低柵極電荷、低反向傳輸電容4.開(kāi)關(guān)速度快5.可用于增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)翼6.無(wú)鉛管腳鍍層
SGM600PB12B3BTFM_T:Silan推出的該典型參數(shù)的IGBT模組,媲美國(guó)際一線品牌廠商性能,已用于國(guó)內(nèi)知名品牌高端新能源車型。1.支持850V電壓,輸出電流350-400Arms工況2.采用士蘭精細(xì)溝槽 FS-V 技術(shù)自主開(kāi)發(fā)3.高電流密度、低飽和壓降、高阻斷電壓4.采用Si3N4 AMB絕緣陶瓷基板,橢圓pinfin 進(jìn)一步模組降低熱阻
07、 宏微科技
江蘇宏微科技股份有限公司成立于2006年,主營(yíng)業(yè)務(wù)為電力半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造及銷售,主營(yíng)產(chǎn)品有IGBT、VDMOS、FRED等芯片、分立器件、模塊等功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。2021年,宏微科技成功上市科創(chuàng)板。
MMG600V120X6RS適合汽車800V平臺(tái)電驅(qū)控制器;MMG280VD075X6T7適合1.5L增程器70KW GCU。采用宏微GV與GVD封裝,均擁有更低的通態(tài)損耗,在客戶應(yīng)用工況下有著極高的效率。
08、?晶源健三?
深圳晶源健三成立于2009年,并且已獲得村田、松下、安費(fèi)諾等著名元器件授權(quán)代理。
提供sic驅(qū)動(dòng)器的全方位技術(shù)支持,可以為模塊樣品提供基礎(chǔ)應(yīng)用測(cè)試服務(wù),加快客戶驗(yàn)證進(jìn)度,提供與客戶應(yīng)用同等條件的測(cè)試數(shù)據(jù),增強(qiáng)模塊技術(shù)推廣中的參數(shù)可信性。
09、 平偉實(shí)業(yè)
重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司是一家集芯片設(shè)計(jì)、封測(cè)、應(yīng)用與可靠性檢測(cè)服務(wù)一體化的功率半導(dǎo)體IDM產(chǎn)品公司。平偉開(kāi)發(fā)的“雙面散熱DFN5*6封裝40V N-MOSFET車規(guī)產(chǎn)品”已取得第三方實(shí)驗(yàn)室AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證證書(shū),確認(rèn)了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的地位,開(kāi)創(chuàng)了國(guó)產(chǎn)雙面散熱車規(guī)器件的先河。
推出的150A,40V,0.8mΩ AECQ101 Qualified N-MOSFET,PWDC008N04ESQ實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)目標(biāo):?1、替代進(jìn)口品牌DFN雙面散熱MOS產(chǎn)品。相比常規(guī)DFN封裝,熱阻降低20%,封裝電流提升15%以上。?2、性能達(dá)到國(guó)外Uxx系列,Oxx系列汽車級(jí)產(chǎn)品水平。?3、應(yīng)用于汽車EPS(電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)):DFN5*6雙面散熱,電壓BVDSS=40V,最大導(dǎo)通電阻Rdson,max=0.79mΩ,電流ID=150A,可對(duì)標(biāo)國(guó)外TPWR7904PB。
10、 中車時(shí)代
中車時(shí)代的750VS3+系列IGBT模塊,使用中車自主設(shè)計(jì)、制造的IGBT+FRD芯片,滿足新能源汽車對(duì)功率半導(dǎo)體的高性能、高效率、高可靠性要求。該系列產(chǎn)品自2019年推出以來(lái),目前已迭代升級(jí)推出V1.0、V2.0、V3.0等多代產(chǎn)品,電流等級(jí)覆蓋750V/450A~1200A,適用功率范圍覆蓋90kW~200kW+。中車750VS3+系列IGBT模塊,已批量裝車于多個(gè)國(guó)內(nèi)主流新能源車型,累計(jì)裝車超過(guò)150萬(wàn)臺(tái)。