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歲末之際，我國半導體領域捷報頻傳，呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的景象。此前長飛先進碳化硅基地、星曜半導體溫州首家晶圓廠、格力碳化硅芯片工廠等項目已取得亮眼進展。而近期，在射頻芯片、IC設計、半導體設備、電子元器件、光通信芯片、化合物半導體等多個關鍵領域，武漢敏聲、中芯微、唐晶量子、民翔半導體、思特威、華工科技、兆馳股份等眾多知名企業(yè)負責的一批半導體項目又紛紛刷新進度，在技術研發(fā)的深度攻堅與產能擴張的規(guī)模布局方面均實現(xiàn)了重大突破，正逐步構建起更為完善且強大的國內半導體產業(yè)生態(tài)。
武漢敏聲高端射頻濾波器生產線項目封頂
12月26日，武漢敏聲新技術有限公司（以下簡稱“武漢敏聲”）宣布其位于武漢光谷的高端射頻濾波器生產線項目廠房主體封頂。
2022年，武漢敏聲與北京賽微電子聯(lián)合共建8英寸射頻濾波器生產線，聯(lián)合產線已于2023年7月實現(xiàn)量產，月產能達2000片晶圓，據(jù)稱該生產線是目前國內最大的BAW濾波器生產基地。
此后，武漢敏聲啟動月產能1萬片晶圓的自有產線建設，項目總投資30億元，將于2026年實現(xiàn)量產，預計年產值超30億元。目前，武漢敏聲已成功量產超過10余款BAW濾波器，通過70余家客戶產品驗證，并為30余家下游客戶供貨，出貨數(shù)量超1億顆。
資料顯示，武漢敏聲成立于2019年1月，目前已成長為國內高端BAW濾波器的頭部企業(yè)，在武漢、蘇州、北京、新加坡等四地布局設立研發(fā)設計中心、產品中試平臺及大規(guī)模量產基地，在國內率先實現(xiàn)BAW濾波器的技術突破并實現(xiàn)規(guī)?；慨a。同時，該公司通過了ISO9001國際質量管理體系標準認證，并獲評2024年湖北省科創(chuàng)“新物種”企業(yè)-潛在獨角獸和中國隱形獨角獸500強等多項榮譽獎項。
思特威3大募投項目全部結項
12月25日，思特威發(fā)布公告稱，公司首次公開發(fā)行股票募集資金投資項目之“研發(fā)中心設備與系統(tǒng)建設項目”“圖像傳感器芯片測試項目”“CMOS圖像傳感器芯片升級及產業(yè)化項目”已達到預定可使用狀態(tài)，公司決定將其予以結項，并將節(jié)余募集資金用于永久補充流動資金。
思特威此前向社會公開發(fā)行人民幣普通股（A股）40,010,000股，發(fā)行價格為31.51元/股，募集資金總額為1,260,715,100元，扣除相關費用后，募集資金凈額為1,174,218,226.48元，全部用于“研發(fā)中心設備與系統(tǒng)建設項目”“圖像傳感器芯片測試項目”“CMOS圖像傳感器芯片升級及產業(yè)化項目”極易補充流動資金。
截至2024年12月18日，思特威募投項目之“研發(fā)中心設備與系統(tǒng)建設項目”“圖像傳感器芯片測試項目”“CMOS圖像傳感器芯片升級及產業(yè)化項目”已達到預定可使用狀態(tài)，公司決定將其予以結項，合計節(jié)余募集資金670.43萬元。
據(jù)思特威此前公告介紹，研發(fā)中心設備與系統(tǒng)建設項目為加大車用CMOS圖像傳感器芯片的研發(fā)投入，搭建車用CMOS圖像傳感器的研發(fā)平臺，打造新一代車規(guī)級產品線；思特威（昆山）電子科技有限公司圖像傳感器芯片測試項目在昆山經濟技術開發(fā)區(qū)建設測試廠房，搭建無塵車間，購買測試設備，提升公司的產品終測能力；CMOS 圖像傳感器芯片升級及產業(yè)化項目擬加大安防與機器視覺 CMOS 圖像傳感器的研發(fā)投入，形成新工藝技術能力和生產收入。
貴州合鼎智能制造項目二期預計年底試運營
據(jù)貴陽網消息，近日，貴州合鼎智能制造二期項目廠房升級改造已完成，設備采購完成95%，正在進行安裝調試，預計年底試運營、明年6月正式投產。
貴州合鼎智能制造項目位于清鎮(zhèn)市經開區(qū)，由貴州中芯微電子科技有限公司（以下簡稱“中芯微”）組織實施。項目分兩期建設。一期項目已建成半導體電子元器件封裝生產線6條，于2022年7月投產，實現(xiàn)集成電路芯片月產能4億顆。二期項目于2023年7月開工建設，將建設1條微處理器MCU生產線和1條存儲芯片生產線，建成后，每年還能增產1億顆微處理器MCU以及3000萬顆存儲芯片。
據(jù)相關負責人介紹，二期項目主要是補充設備、擴大產能，包括自動粘片機、自動塑封系統(tǒng)、全自動轉塔式測試系統(tǒng)、自動分選測試系統(tǒng)等。目前正在安裝測試中，月底就能試運行。
另據(jù)資料信息，中芯微是由合鼎集團（深圳）有限公司與清鎮(zhèn)市工業(yè)投資有限公司共同出資成立的一家集成電路芯片研發(fā)設計、封裝測試、智能電子產品方案主板設計、生產制造及銷售為一體的高科技公司。
唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產項目竣工投產
據(jù)“西安高新”消息，近日，西安高新區(qū)舉行2024年下半年重點項目集中竣工投產活動。本次活動共有23個重點項目正式竣工投產，總投資達335.22億元，涉及先進制造、現(xiàn)代服務、社會事業(yè)、基礎設施等多個領域。
其中，唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產項目竣工投產。項目建筑面積38747.11平方米。項目分兩期建設，一期建筑面積20064平方米，該項目擬建設一條砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）化合物半導體外延片生產線用于化合物半導體外延片的研發(fā)及生產，包含生產車間、生產大樓等。
資料指出，西安唐晶量子科技有限公司位于西安市高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)，專注于采用金屬有機化學氣相沉積設備(MOCVD)進行以砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)為襯底的III-V族化合物半導體外延片研發(fā)與生產，提供專業(yè)的外延生長定制服務。公司擁有MOCVD外延工藝經驗技術團隊，已攻克外延片生長關鍵技術難題。
唐晶量子是國內極少數(shù)具有GaAs和InP化合物半導體外延片量產能力的代工平臺，公司從根本上補強我國光通信有源器件產業(yè)鏈中最薄弱的環(huán)節(jié)——外延片技術短板，實現(xiàn)了國內半導體激光器外延片的產業(yè)化，推進國產半導體激光器外延片全面取代進口，實現(xiàn)零的突破，也為產業(yè)鏈的發(fā)展提供核心材料保障。
10億元，民翔半導體存儲項目一期投產
據(jù)“同心薌城”消息，近日，位于福建省漳州市薌城區(qū)金峰經濟開發(fā)區(qū)內的民翔半導體存儲項目一期投產。
據(jù)介紹，該項目總投資10億元，規(guī)劃用地40畝，分兩期建設，一期占地20畝。項目建設有綜合樓、生產廠房、宿舍樓及其他配套設施，購置有全自動芯片測試線和SMT貼片線、芯片封裝全產業(yè)鏈生產線，致力于打造國內高端消費類存儲產品全產業(yè)鏈。項目投產后可實現(xiàn)年產值5億元，年納稅3000萬元。
該項目由深圳民翔控股集團有限公司投資建設，該公司是民翔正能(香港)有限公司控股公司，民翔集團成立于2015年，主營業(yè)務涵蓋半導體產品生產銷售、新能源儲能電池制造、存儲產品代理分銷三方面。
另據(jù)企查查信息，福建民翔半導體有限公司成立于2024年2月2日，注冊資本1億元，經營范圍包括集成電路制造；集成電路芯片及產品制造；半導體分立器件制造；集成電路設計；集成電路芯片設計及服務；集成電路芯片及產品銷售等。
振華風光研發(fā)中心募投項目延期半年建成
12月25日，振華風光發(fā)布公告稱，公司基于審慎性原則，結合當前公司研發(fā)中心建設項目的實際進展情況，在實施主體、募集資金用途及研發(fā)中心建設項目規(guī)模均不發(fā)生變更的情況下，擬將研發(fā)中心建設項目達到預定可使用狀態(tài)日期進行調整，預計達到可使用狀態(tài)日期由2024年12月31日延期至2025年6月30日。
據(jù)介紹，振華風光研發(fā)中心建設項目擬使用募集資金金額2.5億元，截至2024年11月30日，累計投入募集資金金額為1.11億元。研發(fā)中心建設項目目前已基本完成項目建設內容，經梳理，項目總投資預計達到17,755萬元，總投資較原方案降低7,245萬元，主要是受半導體整體市場環(huán)境變化影響，集成電路研發(fā)設備價格降低，購置費用較預算降低等因素的影響。
研發(fā)中心建設項目總投資降低并不影響建設目標的實現(xiàn)，目前，振華風光已完全搭建起“一企四中心”高可靠模擬集成電路研發(fā)平臺，實現(xiàn)了異地協(xié)同與資源共享，縮短了產品市場準入時間，完成了項目既定目標，并且已完成63款產品的研發(fā)設計定型工作，目前正在逐步推向市場，部分產品達到國內領先水平。
振華風光表示，項目延期原因主要是在“研-測-分析”一體化辦公平臺適應性改造方面，廠房適應性改造面積4000余平方米，在設計過程中，根據(jù)廠房現(xiàn)場實際情況，公司對廠房的平面布局和結構設計進行了調整，導致設計變更，增加了設計變更審批流程和設計修改工作量，該標段已于2024年11月29日在貴州省公共資源交易中心掛網公示，預計2025年6月完成單項驗收工作。
據(jù)官網介紹，貴州振華風光半導體股份有限公司成立于2005年，其前身國營風光電工廠始建于1971年。公司隸屬中國振華電子集團有限公司，屬國有控股企業(yè)。公司專注于高可靠集成電路設計、封裝、測試及銷售，主要產品包括信號鏈及電源管理器等系列產品，建有完整的模擬集成電路芯片設計平臺和系統(tǒng)封裝設計平臺,具備陶瓷、金屬、塑料等多種形式的封裝能力，以及電性能測試、機械試驗、環(huán)境試驗、失效分析等完整的檢測試驗能力。
華工科技半導體激光裝備產業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合實驗室啟動
據(jù)華工科技微視界消息，12月24日，華工科技半導體激光裝備產業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合實驗室（以下簡稱“聯(lián)合實驗室”）啟動儀式在華工激光舉行。聯(lián)合實驗室旨在通過深度融合產業(yè)與學術資源，聚焦光電子信息和高端裝備兩大產業(yè)方向，推動半導體激光裝備產業(yè)的技術革新與產業(yè)升級。
消息指出，華工科技在武漢市科創(chuàng)局和經信局及東湖高新區(qū)管委會指導下牽頭聯(lián)合武漢華工激光工程有限責任公司、華中科技大學、湖北光谷實驗室、湖北九峰山實驗室、武漢華日精密激光股份有限公司、武漢云嶺光電股份有限公司、長飛先進半導體（武漢）有限公司、武漢華工科技投資管理有限公司九家成員單位共同構建聯(lián)合實驗室，依托豐厚的團隊實力、知識產權與研究成果、研發(fā)平臺與設施建設，有效推動聯(lián)合實驗室順利高效運轉。
聯(lián)合實驗室是武漢市首批10家聯(lián)合實驗室之一，以半導體關鍵制程激光裝備落地應用為目標，著力攻克產業(yè)重大關鍵核心技術，開發(fā)出半導體晶圓激光加工、檢測裝備等產業(yè)鏈關鍵制程激光裝備，并實現(xiàn)批量應用。
未來，聯(lián)合實驗室將建設成為全國一流的半導體激光裝備研發(fā)平臺，可全方位提升國產半導體激光裝備的性能與競爭力，推動武漢激光產業(yè)升級換代，助力搭建完整的武漢市半導體產業(yè)鏈。
無錫集成電路產業(yè)專項母基金首個直投項目簽約
12月24日，無錫集成電路產業(yè)專項母基金與無錫星微科技有限公司（以下簡稱“星微科技”）舉行項目投資簽約儀式，這是無錫戰(zhàn)新基金完成的第一單直投項目。接下來，無錫集成電路產業(yè)專項母基金將繼續(xù)發(fā)揮戰(zhàn)新專項母基金功能，持續(xù)加大對半導體設備、零部件和材料的投資，促進無錫集成電路產業(yè)向縱深發(fā)展。
星微科技成立于2015年，注冊地位于無錫市新吳區(qū)，專注于半導體精密運動控制解決方案研發(fā)。公司依托微米與納米級精密運動控制技術、精密制造能力以及科學生產管理，努力向“晶圓超精密定位、傳輸、存儲一體化解決方案制造商”目標邁進。
今年6月21日，江蘇省戰(zhàn)新母基金正式啟動運行，通過發(fā)揮長期資本、耐心資本、戰(zhàn)略資本作用，推動全省戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展和未來產業(yè)布局。本次直投星微科技項目的無錫集成電路產業(yè)專項母基金規(guī)模為50億元，采取直接投資與設立產業(yè)子基金相結合的方式，以全產業(yè)鏈優(yōu)質發(fā)展為目標，對無錫市域內集成電路半導體產業(yè)結構進一步優(yōu)化，補充支撐配套，重點培育產業(yè)鏈上中下游核心技術企業(yè)，提升無錫地方集成電路產業(yè)鏈價值。
未來，無錫集成電路產業(yè)專項母基金將長期陪伴星微科技進行技術升級，推動半導體精密運動控制產品的創(chuàng)新升級，加快該領域的國產替代，也將繼續(xù)以高效率、高質量的投資速度，力爭在年底落地一批創(chuàng)新能力強、發(fā)展?jié)摿Υ蟮漠a業(yè)項目。
合肥新站高新區(qū)新增一半導體項目
12月21日，合肥新站高新區(qū)與深記設備搬運安裝有限公司舉行項目簽約儀式。
聚合肥新站區(qū)消息，該項目占地面積58畝，總投資3億元，建成后將用于半導體顯示設備包裝材料生產及搬運安裝服務。項目預計2025年上半年開工建設，2026年投產，達產后年營業(yè)收入合計不低于4億元。
資料顯示，吳江市深記設備搬運安裝有限公司成立于2009年9月，主要從事各種昂貴液晶、半導體、光電設備的吊裝，無塵設備搬運安裝，貨柜裝卸，工廠搬遷，精密氣墊搬運，特殊精密機器的防震。據(jù)悉，該公司現(xiàn)主要服務的客戶有華星光電、三星、康寧、比亞迪集團等，與區(qū)內企業(yè)維信諾、國軒高科等公司均有業(yè)務合作。
此前合肥新站高新區(qū)明確了“1324”目標戰(zhàn)略，力爭2028年全區(qū)GDP超過1000億元，打造新型顯示和集成電路3000億級產業(yè)集群，新能源新材料、服務業(yè)2個千億級產業(yè)集群，培育大健康、智能裝備、人工智能、未來產業(yè)4個百億級產業(yè)鏈群。
10億元！兆馳股份加碼布局光通信領域
12月21日，兆馳股份發(fā)布公告稱，其全資子公司江西兆馳半導體有限公司（以下簡稱“兆馳半導體”）擬投資不超過5億元，建設年產1億顆光通信半導體激光芯片項目（一期），并建設砷化鎵、磷化銦化合物半導體激光晶圓制造生產線，主要應用為光芯片技術領域的VCSEL激光芯片及光通信半導體激光芯片。
兆馳股份表示，該項目有助于進一步打通光通信激光芯片與終端模塊的垂直整合，加速推動公司在光通信領域產業(yè)鏈的發(fā)展，實現(xiàn)多產業(yè)橫向融合與多賽道協(xié)同發(fā)展。
另外，兆馳股份擬通過全資子公司兆馳通信的下屬子公司江西兆馳光聯(lián)投建“光通信高速模塊及光器件項目（一期）”，計劃投資金額不超過5億元，項目涵蓋100G及以下、200G、400G、800G等高速光模塊，建設周期為3年。
兆馳股份稱，計劃擴大光通信模塊器件的生產規(guī)模，并加速技術升級，從100G以下的接入網模塊向200G/400G/800G及以上高速率光模塊發(fā)展，以應對AIGC高速發(fā)展帶來的需求增長。公司還計劃從電信市場起步，逐步拓展至云計算、大數(shù)據(jù)等數(shù)據(jù)通信市場，以及工業(yè)自動化、自動駕駛等新興領域，力求在光通信行業(yè)中成為領軍企業(yè)。
兆馳半導體指出，此次投資與公司未來產品方向發(fā)展規(guī)劃緊密結合，將助力公司強化光芯片—光器件—光模塊的垂直整合，打造光通信領域的一站式解決方案。并將有助于公司構建光通信產業(yè)鏈平臺，形成成本優(yōu)勢，并在技術研發(fā)和市場開拓方面發(fā)揮垂直一體化布局的協(xié)同作用，推動公司各細分板塊聚焦行業(yè)龍頭。
