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寬禁帶半導(dǎo)體“漸入佳境”

隨著微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求的快速發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體材料對推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要性日益凸顯。尤其是伴隨人工智能、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體需求逐漸攀升，寬禁帶半導(dǎo)體在技術(shù)推進(jìn)、產(chǎn)品創(chuàng)新、行業(yè)布局上都迎來了新的變化。

中國電子報

2099

11/18 13:04

氮化鎵半導(dǎo)體材料
融資8000萬美元！從斯坦福走出的半導(dǎo)體激光加工技術(shù)

近日，半導(dǎo)體激光加工公司Halo Industries,Inc.宣布，獲 8000 萬美元 B 輪融資（折合人民幣約5.81億元）。本輪融資由美國創(chuàng)新技術(shù)基金（USIT）牽頭，8VC、SAIC跟投。據(jù)媒體報道，新一輪融資將使 Halo Industries公司的總市值達(dá)到 3 億美元。

DT半導(dǎo)體

910

08/13 11:10

寬禁帶半導(dǎo)體半導(dǎo)體激光器
憑借 800V 電動汽車動力總成設(shè)計解決“里程焦慮”問題

電動汽車 (EV) 普及率的上升激發(fā)了市場對優(yōu)化設(shè)計、降低成本和提升車輛運行效率的需求，并為產(chǎn)品測試提出了新的難題。各種功率轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器構(gòu)成了電動汽車動力總成子系統(tǒng)的核心，必須通過測試方可使其達(dá)到最出色的效率水平。盡管SiC/GaN 等寬禁帶半導(dǎo)體器件能夠為此提供積極的支持，但我們?nèi)杂衅渌麥y試難題需要應(yīng)對。 800V 動力總成架構(gòu)的引入堪稱一次里程碑式的飛躍。下面我們就來了解一下，目前存在哪

與非網(wǎng)編輯

2009

02/20 10:25

電動汽車示波器
相遇2023慕尼黑電子展，泰克與您探討半導(dǎo)體、智能汽車測試難題

2023慕尼黑上海電子展(electronica China)正在國家會展中心（上海）舉辦，作為全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商，泰克科技現(xiàn)場展出其領(lǐng)先測試解決方案，展位號國家會展中心（上海）6.2號館A202。慕尼黑上海電子展(electronica China)是從電子產(chǎn)品設(shè)計到應(yīng)用落地的橫跨產(chǎn)業(yè)上下游的專業(yè)展示平臺，2023年7月11-13日在國家會展中心（上海）舉辦，涵蓋新能源汽車、綠色

與非網(wǎng)編輯

2102

2023/07/13

慕尼黑電子展泰克
泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案，加快SiC和GaN技術(shù)驗證速度

全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關(guān)器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs）提供自動可重復(fù)的、高精度測量功能。

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1950

2023/05/31

寬禁帶半導(dǎo)體
深挖GaN潛力，中國企業(yè)別掉隊

除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨特優(yōu)勢。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

1930

2023/05/04

GaN 氮化鎵
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性調(diào)整態(tài)勢下，英飛凌何以創(chuàng)下歷史新高？

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨波動和結(jié)構(gòu)性調(diào)整之時，英飛凌卻在2022財年創(chuàng)下歷史新高：全球營收142.18億歐元，利潤33.78億歐元，利潤率23.8%。這體現(xiàn)了頭部的半導(dǎo)體企業(yè)，多年來通過不斷優(yōu)化產(chǎn)品組合、保持創(chuàng)新能力、面向長周期產(chǎn)業(yè)持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)能布局等戰(zhàn)略，得以構(gòu)建起的應(yīng)對周期變化的能力和韌性。日前，英飛凌科技大中華區(qū)在京舉辦了2023年度媒體交流會。英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技

張慧娟

3016

2023/03/25

物聯(lián)網(wǎng) 與非觀察
綠色芯片迎來春天

堅持高質(zhì)量發(fā)展、走綠色低碳之路，成為中國經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的共識。今年全國兩會政府工作報告指出，要推動發(fā)展方式綠色轉(zhuǎn)型，推動重點領(lǐng)域節(jié)能降碳。去年年底，中共中央、國務(wù)院印發(fā)的《擴(kuò)大內(nèi)需戰(zhàn)略規(guī)劃綱要（2022－2035年）》中也提到，大力倡導(dǎo)綠色低碳消費，推進(jìn)制造業(yè)高端化、智能化、綠色化。

中國電子報

1053

2023/03/15

半導(dǎo)體技術(shù) 寬禁帶半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體能否引領(lǐng)電子芯片業(yè)的一次革新？

寬禁帶半導(dǎo)體材料突破原有半導(dǎo)體材料在大功率、高頻、高速、高溫環(huán)境下的性能限制，在5G通信、互聯(lián)網(wǎng)、新能源、電子信息產(chǎn)業(yè)等前沿領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。在摩爾定律遇到瓶頸，“中國制造2025”的大背景下，寬禁帶半導(dǎo)體材料的發(fā)展前景不可限量。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

1721

2023/01/30

第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)
意法半導(dǎo)體將在意大利興建整合式碳化硅襯底制造廠

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。

與非網(wǎng)編輯

328

2022/10/08

SiC 碳化硅
芯片測試大講堂——寬禁帶半導(dǎo)體模塊動態(tài)參數(shù)測試

本期，我們來聊聊寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體模塊的動態(tài)參數(shù)測試，以及是德科技新面市的雙脈沖測試（DPT）系統(tǒng)PD1550A。

是德科技KEYSIGHT

1374

2022/06/15

寬禁帶半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)
轉(zhuǎn)向8英寸，寬禁帶半導(dǎo)體成本要降？

近日，多家半導(dǎo)體頭部企業(yè)加速布局8英寸寬禁帶半導(dǎo)體制造。5月9日，有消息稱，聯(lián)電加速布局8英寸晶圓寬禁帶半導(dǎo)體制造，近期正大舉購置新機臺擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計下半年進(jìn)駐廠區(qū)。

中國電子報

261

2022/05/14

寬禁帶半導(dǎo)體
ST：減碳！寬禁帶半導(dǎo)體迎來商用熱潮

在實現(xiàn)高效能、節(jié)能降耗的過程中，電力科技一直都起著關(guān)鍵作用，而未來的重點方向之一就是新材料的運用，例如寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN。

張慧娟

1242

2022/03/10

與非觀察 SiC
Oscillation of SiC SBD 碳化硅肖特基二極管的震蕩

讓我們開始今天的話題，寬禁帶半導(dǎo)體(這里主要就SiC展開)中普遍易于硅基的振蕩。

Disciple

1117

2021/12/27

二極管 sic器件
寬禁帶半導(dǎo)體：碳中和新賽道

特斯拉在Model3使用了意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的碳化硅MOSFET，開啟了碳化硅上車之路。碳化硅 MOSFET 模組使特斯拉的逆變器效率從Model S的82%提升至Model 3的90%。

中國電子報

174

2021/12/15

寬禁帶半導(dǎo)體
駕馭狼的速度，泰克與忱芯強強聯(lián)手解決寬禁帶半導(dǎo)體測試難題

近日，由忱芯科技（UniSiC）主辦的碳化硅功率半導(dǎo)體及應(yīng)用研討會在蘇州成功召開，橫跨芯片、材料、封裝及應(yīng)用領(lǐng)域的多位國內(nèi)外頂尖的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)帶頭人受邀參會，圍繞寬禁帶半導(dǎo)體卡脖子關(guān)鍵技術(shù)難題分享觀點，展開討論。

與非網(wǎng)編輯

238

2021/11/08

芯片 SiC
新能源汽車“里程焦慮”如何破？寬禁帶半導(dǎo)體出手了

2021年國慶期間，新能源汽車的長途旅行充電難問題引起廣泛關(guān)注。據(jù)報道，有車主在高速公路服務(wù)區(qū)為了給車充電花費5個多小時，原本8小時的路程，最終花了16個小時。充電難問題正在成為限制新能源汽車產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵。在這方面，芯片產(chǎn)業(yè)有著很大的發(fā)揮空間，通過電池管理實現(xiàn)快速充電、通過能源管理提高續(xù)航里程，許多芯片企業(yè)均推出相關(guān)解決方案。當(dāng)電

中國電子報

210

2021/10/15

新能源汽車寬禁帶半導(dǎo)體
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體步入產(chǎn)業(yè)化階段，對新一代半導(dǎo)體材料的探討已經(jīng)進(jìn)入大眾視野。走向產(chǎn)業(yè)化的銻化物，以及國內(nèi)外高度關(guān)注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導(dǎo)體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導(dǎo)體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導(dǎo)體。

中國電子報

371

2021/09/28

SiC 碳化硅